KC-1型可控硅測(cè)試儀簡(jiǎn)介

KC-1型可控硅測(cè)試儀簡(jiǎn)介

。一、概述：

。 KC-1型可控硅測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式多功能可控硅參數(shù)測(cè)試裝置，它可以測(cè)量各種大小

功率的單雙向可控硅（晶閘管），小至TO-92、TO-126、TO-220、TO-3P等封裝的單雙向可控硅，大至

1000A 的平板型可控硅、螺栓型可控硅和各種組合模塊，可以測(cè)量觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT、斷態(tài)不重

復(fù)峰值電壓VDSM、反向不重復(fù)峰值電壓VRSM等可控硅主要參數(shù)，該儀器主要用于可控硅使用廠家對(duì)可控硅

元件的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)、可控硅設(shè)備的維修之用。儀器還可以用于其它電子元器件的高低壓耐壓測(cè)

試，如：大中小功率的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管的耐壓，壓敏電阻的電壓值，觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓等。

。二、主要應(yīng)用范圍：

1、可以測(cè)量0.5A-1000A 以下的單雙向可控硅及各種可控硅模塊的IGT、VGT、VDSM、VRSM 。

2、可以測(cè)量可控硅專(zhuān)用的雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓。

3、可以測(cè)量各種大小功率的二極管、三極管、穩(wěn)壓管、場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT及各種模塊的擊穿電壓。

4、可以測(cè)量各種大小功率的壓敏電阻、放電管等的擊穿電壓。

5、可以測(cè)量非電解類(lèi)小容量電容器的耐壓（尤其可以測(cè)量4KV以下的小容量高壓電容）。

6、一般可控硅測(cè)試采用0-4KV等級(jí)的儀器已能滿(mǎn)足要求，若有其它特殊要求可以定制最高達(dá)0-12KV的儀器。

。三、主要技術(shù)參數(shù)：

1、觸發(fā)電壓VGT測(cè)量范圍： 0—5V ， 精度 ≤2.5%。

2、觸發(fā)電流IGT 測(cè)量范圍： 0—19.99mA ，0—199.9mA ， （分兩檔） 精度 ≤2.5%。

3、可控硅耐壓參數(shù)測(cè)試用高壓輸出和測(cè)量范圍： 0—2KV、 0—4KV ，（分兩檔） 精度 ≤2.5% 。

4、其它電子原器件耐壓測(cè)試用高壓輸出和測(cè)量范圍： 0—2KV、 0—4KV 。

該測(cè)試儀是我根據(jù)幾十年豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)自行研究設(shè)計(jì)制造，

其特點(diǎn)是：1、實(shí)用性強(qiáng) 。2、測(cè)量范圍廣。3、使用方便。4、采用一種特殊的可調(diào)恒壓限流電源可確保

在測(cè)試耐壓的過(guò)程中不易損壞被測(cè)器件。