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傳統(tǒng)的可控硅并聯(lián)逆變器中頻感應(yīng)爐

2009年07月27日 11:35 本站整理 作者:佚名 用戶評(píng)論(0
關(guān)鍵字:可控硅(71974)
傳統(tǒng)的可控硅并聯(lián)逆變器中頻感應(yīng)爐


可控硅中頻電源在我國(guó)誕生于70年代,可控硅靜止變頻與旋轉(zhuǎn)式機(jī)組變頻相比,具有很多優(yōu)點(diǎn),因此,近三十年來可控硅中頻電源在相當(dāng)大的感應(yīng)加熱應(yīng)用領(lǐng)域里代替了中頻發(fā)電機(jī)組。占有不可抗拒的推陳出新的地位。傳統(tǒng)的可控硅中頻電源,其主要電路如圖1所示。

多年來我們以圖1為基礎(chǔ),圍繞高效、可靠、操作方便為目標(biāo),做了大量實(shí)驗(yàn)研究工作,諸如控制電路全集成化、零點(diǎn)壓?jiǎn)?dòng)、微機(jī)控制代替集成系統(tǒng)等,使得以交流——支流——交流,并聯(lián)逆變電路為框架的可控硅(晶閘管)中頻電源具有一定特色。產(chǎn)品遍及全國(guó)各地,數(shù)量上也達(dá)到相當(dāng)大的規(guī)模,很受用戶歡迎。
但多年實(shí)踐,這種產(chǎn)品仍有一些復(fù)雜的問題圍繞著我們。多為并聯(lián)逆變電路的固有特征所造成的:
1、并聯(lián)逆變電路流過感應(yīng)器中的電流IL是有功電流La的Q倍。對(duì)于中頻熔煉爐的Q=10——13,IL在感應(yīng)器電阻r中產(chǎn)生的電損耗IL2r一般達(dá)到有功功率的30%左右。也就是說感應(yīng)爐的電效率只能有70%左右,難以提高。
2、并聯(lián)逆變器輸出功率特征,由于負(fù)載參數(shù)變化的原因,必然出現(xiàn)功率凹角,且不可控制,使設(shè)備不能在全過程輸出額定功率,降低了運(yùn)行效率,增加了能源損耗。
3、并聯(lián)逆變電路是強(qiáng)迫換向,且依賴于負(fù)載電壓,加之不論是全集成化系統(tǒng)還是微機(jī)控制系統(tǒng)都是采用負(fù)載電壓對(duì)每個(gè)半波進(jìn)行步控制,在啟動(dòng)時(shí)或在通常運(yùn)行時(shí),都可能由于控制差異而出現(xiàn)換向失敗,造成直通或者故障。
4、并聯(lián)逆變電路要求恒流源輸入,要求三相全控調(diào)壓、平波電抗器的數(shù)值不能太大等。這樣使三相輸入電流變成方波,從而分解出三次及高次諧波,如圖2;使三相輸入線電壓出現(xiàn)整流換向缺口,使中頻電壓Ucp至少有百分之幾進(jìn)入電抗器Ld前端,如圖4。這些干擾都反饋到電網(wǎng)中去,給電網(wǎng)造成公害。
5、由于調(diào)節(jié)功率是通過三相全控整流電路的移相調(diào)壓來實(shí)現(xiàn),從而造成電網(wǎng)功率因數(shù)差,一般只能在0.8左右。
6、并聯(lián)逆變電路的啟動(dòng),在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中是重點(diǎn)考核的技術(shù)指標(biāo),不論各制造廠家解決這個(gè)問題的深度如何,總說明,并聯(lián)逆變電路的啟動(dòng)是一個(gè)問題存在,或啟動(dòng)較難,或因啟動(dòng)故障而影響正常的生產(chǎn)。



 



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