晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。
晶閘管簡稱為SCR，IGBT的中文名稱為絕緣柵雙極型晶體管。
IGBT等效為由BJT（雙極型三極管）加MOS（絕緣柵型場效應管）。
IGBT為全控型器件，SCR為半控型器件。
IGBT模塊已經在很多運用場合取代了SCR。
SCR是通過電流來控制，IGBT通過電壓來控制。
SCR需要電流脈沖驅動開通，一旦開通，通過門極無法關斷。
SCR的開關時間較長，所以頻率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的開關頻率較高。IGBT模塊可達30KHZ左右，IGBT單管開關頻率更高，達50KHZ以上。
晶閘管和IGBT有什么區(qū)別？?
功率晶閘管（SCR）在過去相當一段時間里，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯一半導體器件。因此，針對SCR的不足，人們又研制開發(fā)出了門極關斷晶閘管（GTO）。用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結果，但其關斷控制較易失敗，仍較復雜，工作頻率也不夠高。幾乎與此同時，電力晶體管（GTR）迅速發(fā)展了起來。???
絕緣柵雙極晶體管IGBT是MOSFET和GTR相結合的產物。其主體部分與晶體管相同，也有集電極和發(fā)射極，但驅動部分卻和場效應晶體管相同，是絕緣柵結構。IGBT的工作特點是，控制部分與場效應晶體管相同，控制信號為電壓信號?UGE，輸人阻抗很高，柵極電流I?G≈0，故驅動功率很小。而其主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流，工作頻率可達20kHz。由IGBT作為逆變器件的變頻器載波頻率一般都在10kHz以上，故電動機的電流波形比較平滑，基本無電磁噪聲。???
雖然硅雙極型及場控型功率器件的研究已趨成熟，但是它們的性能仍待提高和改善，而1996年出現的集成門極換流晶閘管（IGCT）有迅速取代?GTO的趨勢。????
集成門極換流晶閘管（IGCT）是將門極驅動電路與門極換流晶閘管GCT集成于一個整體形成的器件。門極換流晶閘管GCT是基于GTO結構的一個新型電力半導體器件，它不僅與GTO有相同的高阻斷能力和低通態(tài)壓降，而且有與IGBT相同的開關性能，兼有GTO和IGBT之所長，是一種較理想的兆瓦級、中壓開關器件。IGCT芯片在不串不并的情況下，二電平逆變器容量0.5～3MVA，三電平逆變器1～6MVA；若反向二極管分離，不與IGCT集成在一起，二電平逆變器容量可擴至4.?5MVA，三電平擴至9MVA。目前IGCT已經商品化，ABB公司制造的IGCT產品的最高性能參數為?4.5kV／4kA，最高研制水平為6kV/4kA［1］。1998?年，日本三菱公司也開發(fā)了直徑為88mm的6kV/4kA的GCT晶閘管。