3.4 隔離電路的設(shè)計
限時保護繼電器的輸入端控制電流很低， 而輸出電流很大， 所以， 它們之間必須進行電隔離， 其隔離電路的原理圖如圖7 所示。本電路中采用振蕩電路的變壓器耦合隔離。變壓器耦合隔離主要由高頻振蕩電路、變壓器耦合電路和整流電路組成。高頻振蕩電路采用雙端推挽自激振蕩輸出， 它比單端輸出更能提高輸入能量的轉(zhuǎn)換效率。提高振蕩頻率， 使其達到50kHz ~200kHz， 實現(xiàn)快速響應(yīng)。
隔離變壓器磁芯是本電路的關(guān)鍵器件， 直接關(guān)系到電路的特性和轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)材料特性與本電路的特點， 并通過反復(fù)試驗， 采用Mn-Zn 高磁導(dǎo)率鐵氧體材料作為隔離變壓器磁芯。在選擇鐵氧體材料時要考慮如下幾個方面：
?、?磁導(dǎo)率和飽和磁通密度要高， 可減少線圈匝數(shù)， 減小內(nèi)阻， 減小磁環(huán)體積；
⑵ 矯頑力要小， 減小磁滯損失；
?、?電阻率要高， 減小渦流損耗；
?、?合理選擇居里溫度， 提高磁環(huán)的綜合性能。
隔離電路設(shè)計的另一個關(guān)鍵是振蕩電路的設(shè)計， 在本電路中振蕩電路如圖6 所示。在隔離的輸入與輸出確定后， 通過下列方式對振蕩電路進行優(yōu)化設(shè)計。
?、?調(diào)整RC 值， 改變振蕩頻率， 測試輸出參數(shù)， 并計算耦合效率η， 直至η最大；
?、?調(diào)整變壓器線圈匝數(shù)， 測試輸出參數(shù)， 并計算耦合效率直至最大。
同個隔離電路耦合后的電流信號為交流信號，經(jīng)過整流橋電路D1、D2 整流后， 為驅(qū)動電路提供工作電流。
3.5 驅(qū)動電路的設(shè)計
驅(qū)動電路直接給輸出電路供電， 輸出電路的功率場效應(yīng)管必須由恒壓源驅(qū)動。因此， 選擇高精度限流電阻提供功率管工作所需要的工作電流。工作電流經(jīng)過R13、V11 形成回路， V11 為15V 穩(wěn)壓管， 確保提供給輸出電路的場效應(yīng)管驅(qū)動電壓為15V 恒壓源。R14、C5 形成一個放電回路， 當限時保護繼電器不工作時， 由于輸出端功率場效應(yīng)管的電容效應(yīng)， 會在功率場效應(yīng)管的G 端積累電荷，會影響到功率場效應(yīng)管的壽命， 通過R14、C5 形成的回路可以釋放掉功率器件積累的電荷， 保護功率器件， 見圖8 所示。
3.6 串聯(lián)輸出電路的設(shè)計
輸出電路包括功率場效應(yīng)管、串聯(lián)保護回路和吸收電路。
?、?功率場效應(yīng)管的選擇
功率場效應(yīng)管是限時保護繼電器的核心部件，選擇合適的功率場效應(yīng)管是設(shè)計成功的關(guān)鍵。本產(chǎn)品中的功率器件可選用的類型主要有功率場效應(yīng)管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、雙極晶體管和達林頓晶體管。MOSFET 耐壓高， 輸出電流大， 漏電流小， 導(dǎo)通管壓降低， 驅(qū)動功率小， 體積小， 故作為限時保護繼電器的功率器件比較合理。
根據(jù)限時保護繼電器的應(yīng)用特點， 應(yīng)選用低電壓降型的MOSFET.功率器件的類型確定以后， 具體型號的選擇可根據(jù)額定輸出電壓、額定輸出電流、輸出電壓降、體積及市場情況， 遵循以下原則：
以24V 5A 限時保護繼電器為例， 功率器件選用耐壓250V、電流46A 的MOSFET.
?、?串聯(lián)保護回路的設(shè)計
根據(jù)圖9 的電路原理圖所示， 通過電磁繼電器K 與功率場效應(yīng)管Q1 串聯(lián)， 當限時保護繼電器不工作時， 電磁繼電器K 的觸點斷開， 功率場效應(yīng)管的兩端無電壓。因此， 發(fā)動機系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁干擾不會對功率場效應(yīng)管Q1 產(chǎn)生影響； 當限時保護繼電器加電工作時， 電磁繼電器的吸合時間為10ms， 而功率場效應(yīng)管的吸合時間為延時濾波時間200ms， 因此， 吸合時電磁繼電器K 在不帶電的情況下先吸合； 當限時保護繼電器斷電時， 由于功率場效應(yīng)管的關(guān)斷時間快， 為2.5ms， 因此， 關(guān)斷時電磁繼電器K 在不帶電的情況下后關(guān)斷， 通過此電路設(shè)計， 可確保電磁繼電器不會出現(xiàn)帶電切換的情況， 即不會出現(xiàn)電弧情況， 可確保電磁繼電器K 穩(wěn)定工作。
?、?吸收電路
限時保護繼電器在關(guān)斷時產(chǎn)生的干擾電壓峰值較高， 因此， 在輸出電路中增加吸收電路對功率場效應(yīng)管Q1 進行保護， 本電路中采用VRC 吸收電路。其中， V12 為快恢復(fù)二極， 管R15 為功率電阻， C6 為高頻無感電容。Q1 導(dǎo)通時， V12 反偏，C6 通過R15 放電， R 消耗能量并限制放電電流；Q1 關(guān)斷時， C6 通過V12 吸收干擾電壓， 使Q1 的尖峰電壓不會過高。
Q1 在關(guān)斷時產(chǎn)生的干擾電壓較高， 可由下式進行計算：
式中， Vcep為集-射極間的尖峰電壓， 單位為V; Vcc為負載電源電壓， 單位為V; L 為主電路和引線電路電感之和， 單位為H; di/dt 為MOSFET集電極電流變化速率， 單位為A/s.
由此可見， 在大電流、關(guān)斷速度很快時， 尖峰更大。因此， 在輸出電路中增加吸收電路對MOSFET進行保護。VRC 吸收電路中R、C 由下式進行計算：
4 結(jié)束語
本文介紹了固體式限時保護繼電器的電路設(shè)計， 并詳細介紹了輸入電路設(shè)計、延時濾波電路設(shè)計、限時保護電路設(shè)計、隔離電路設(shè)計、驅(qū)動電路設(shè)計、串聯(lián)輸出電路設(shè)計， 并經(jīng)過技術(shù)攻關(guān)， 研制出JGD24 -5 型固體式限時保護繼電器。經(jīng)試驗驗證， 其各項技術(shù)指標均達到了該方案的設(shè)計要求。