收發(fā)器的復(fù)用器電路
用0.18um CMOS設(shè)計(jì)2.5Gb/s收發(fā)器的復(fù)用器電路
1 引言
近年來(lái)，隨著傳統(tǒng)電信業(yè)務(wù)和互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展，它們對(duì)網(wǎng)絡(luò)帶寬提出了越來(lái)越高的要求，由此導(dǎo)致了高速串行接口的出現(xiàn)。目前國(guó)內(nèi)關(guān)于2.5 Gb/s超高速串行收發(fā)器CMOS芯片及IP核研究開(kāi)發(fā)尚處于起步階段。設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能串行收發(fā)器芯片及IP核，打破國(guó)外對(duì)高端路由器、交換器芯片的壟斷，不僅能夠直接大幅度降低通信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備成本，產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)效益，還能帶來(lái)巨大的社會(huì)效益。本文所設(shè)計(jì)的復(fù)用器，應(yīng)用在2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)中。
眾所周知在高速的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中，收發(fā)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的功能起著至關(guān)重要的作用。而在收發(fā)器系統(tǒng)中，復(fù)用器是工作在最高速度的電路單元之一，因此復(fù)用器電路設(shè)計(jì)的好壞直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。
2 電路結(jié)構(gòu)及其設(shè)計(jì)
2.1 16:1復(fù)用器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)的16:1復(fù)用器是將發(fā)送數(shù)據(jù)選擇模塊輸出的16位156.25Mb/s并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為2.5Gb/s串行數(shù)據(jù)輸出，該電路主要由1個(gè)16:4復(fù)用器電路和1個(gè)采用樹(shù)形結(jié)構(gòu)（包括3個(gè)2:1復(fù)用器）實(shí)現(xiàn)的4:1的復(fù)用器電路構(gòu)成。其中16:4復(fù)用器用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)，4:1復(fù)用器電路用模擬電路實(shí)現(xiàn)。該電路接收從PLL送出的2.5GHz、1.25GHz和625MHz差分時(shí)鐘，為16:4復(fù)用器和2:1復(fù)用器電路提供所需要的時(shí)鐘。16位并行輸入數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)16:4復(fù)用器后輸出4位并行數(shù)據(jù)送入4:1復(fù)用器,經(jīng)4:1復(fù)用器后，數(shù)據(jù)變換成1比特寬度的串行數(shù)據(jù)流，發(fā)送順序最低位在前，即TXD_P[0]最先出現(xiàn)在TXD_S上,TXD_P[15]最后發(fā)出。由于本電路是數(shù)?；旌?a target="_blank">信號(hào)設(shè)計(jì)，仿真時(shí)需要給數(shù)字電路和模擬電路分別加激勵(lì)，對(duì)于4:1復(fù)用器電路，輸入采用互補(bǔ)的方波電壓源，峰峰值為0.4V。對(duì)于16:4復(fù)用器電路，通過(guò)用Verilog語(yǔ)言描述的方式加激勵(lì)。由于兩個(gè)模塊分別用數(shù)字電路和模擬電路實(shí)現(xiàn)，因此在兩個(gè)模塊的連接處要進(jìn)行電平的轉(zhuǎn)換。Virtuoso AMS Simulator中將接口模型劃分為A2D型和D2A型兩類(lèi)。本設(shè)計(jì)是由數(shù)字電路送信號(hào)給模擬電路，因此要用到D2A接口模型，該模型主要有4個(gè)參數(shù):d2a_tf,d2a_tr,d2a_vh和d2a_vl。其中d2a_tf和d2a_tr分別表示接口模型的輸出從當(dāng)前值上升到d2a_vh所需要的時(shí)間和下降到d2a_vl所需要的時(shí)間；d2a_vh和d2a_vl分別表示對(duì)應(yīng)數(shù)字電路中的邏輯“1”和“0”而轉(zhuǎn)換成的最終電壓值。本設(shè)計(jì)的設(shè)置如下: d2a_tf=20ps, d2a_tr=20ps，d2a_vh=1.8V，d2a_vl=1.4V。
2.2 單元電路設(shè)計(jì)
2.2.1 16:4復(fù)用器電路
16:4復(fù)用器電路由4個(gè)4:1復(fù)用器模塊和一個(gè)賦值語(yǔ)句模塊構(gòu)成，本電路均采用Verilog語(yǔ)言來(lái)描述。4個(gè)4:1復(fù)用器的作用是將16路156.25M數(shù)據(jù)TXD_P[15:0]復(fù)用為4路625M數(shù)據(jù)，這里我們用移位寄存器實(shí)現(xiàn)4:1復(fù)用器。首先將16位并行數(shù)據(jù)，分為四個(gè)4位并行數(shù)據(jù)，然后將4位并行數(shù)據(jù)送入4:1復(fù)用器。由于后級(jí)的模擬電路需要差分輸入，因此本模塊輸出均為互補(bǔ)輸出。
4:1復(fù)用器電路的Verilog實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵代碼如下：
2.2.2 4:1復(fù)用器電路
4:1復(fù)用器采用樹(shù)形結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，它主要由三個(gè)2:1的高速?gòu)?fù)用器和一個(gè)主從D觸發(fā)器（MSDEF）構(gòu)成。2:1復(fù)用器由一個(gè)主從D觸發(fā)器（由兩個(gè)鎖存器級(jí)連構(gòu)成），一個(gè)主從主D觸發(fā)器（由三個(gè)鎖存器級(jí)連構(gòu)成）和一個(gè)2:1數(shù)據(jù)選擇器構(gòu)成。
本文所設(shè)計(jì)的鎖存器和2:1數(shù)據(jù)選擇器均采用CML(電流模式邏輯)邏輯實(shí)現(xiàn)，按其功能可分為下拉邏輯網(wǎng)絡(luò)、尾電流源和上拉電阻三個(gè)部分。它可以在電壓擺幅較小的情況下正常工作。由于尾電流源的存在，CML電路的功耗近似為恒定值P=vdd*I，其中vdd是電源電壓，I為直流尾電流。眾所周知，傳統(tǒng)CMOS電路的功耗為P=CL`*f*vdd2，其中f是電路的開(kāi)關(guān)頻率，CL`是輸出節(jié)點(diǎn)的負(fù)載電容。因此，在高速率的條件下，CML電路的功耗比與其相似的CMOS電路的功耗要小得多。此外，降低CML電路的電壓擺幅，還可以減小整個(gè)電路的延時(shí)，從而提高電路的工作速度。
3仿真結(jié)果
該電路采用SMIC 0.18μm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。輸入信號(hào)為16位156.25Mb/s并行數(shù)據(jù)，如圖5(a)所示。仿真的corner包括：ff（fast model）、tt(typical model)、ss(slow model)。輸入數(shù)據(jù)為156.25Mb/s時(shí)，能較好的實(shí)現(xiàn)復(fù)用功能，輸出數(shù)據(jù)速率為2.5Gb/s，整個(gè)電路的功耗約為6mW。
4結(jié)論
隨著CMOS工藝的發(fā)展，采用CMOS工藝已經(jīng)可以設(shè)計(jì)出高性能、低功耗、成本低的高速電路。本次設(shè)計(jì)采用0.18μm CMOS工藝，采用CML電路設(shè)計(jì)技術(shù)和數(shù)?；旌显O(shè)計(jì)技術(shù)，設(shè)計(jì)出了2.5Gb/s 16:1復(fù)用器電路。該電路能夠在電源電壓為1.8V，工作溫度范圍為0－70。C時(shí)，工作速率可達(dá)到2.5Gb/s，功耗約為6mW