隨著電力電子技術(shù)向高頻化、模塊化方向發(fā)展，快恢復(fù)二極管是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管?？旎謴?fù)二極管作為一種高頻器件也得到蓬勃發(fā)展，現(xiàn)已廣泛用于各種高頻逆變裝置和斬波調(diào)速裝置內(nèi)，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。起到高頻整流、續(xù)流、吸收、隔離和箝位的作用。
現(xiàn)代脈沖電路中大量使用晶體管或二極管作為開關(guān)， 或者使用主要是由它們構(gòu)成的邏輯集成電路。而作為開關(guān)應(yīng)用的二極管主要是利用了它的通（電阻很小）、斷（電阻很大） 特性， 即二極管對(duì)正向及反向電流表現(xiàn)出的開關(guān)作用。二極管和一般開關(guān)的不同在于，“開”與“關(guān)”由所加電壓的極性決定， 而且“開”態(tài)有微小的壓降Vf，“關(guān)”態(tài)有微小的電流I0。當(dāng)電壓由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)， 電流并不立刻成為（-I0） ， 而是在一段時(shí)間ts 內(nèi)， 正向電流始終很大， 二極管并不關(guān)斷。經(jīng)過ts后， 正向電流才逐漸變小， 再經(jīng)過tf 時(shí)間， 二極管的電流才成為（-I0） ，。ts 稱為儲(chǔ)存時(shí)間，tf 稱為下降時(shí)間。tr=ts+tf 稱為反向恢復(fù)時(shí)間， 以上過程稱為反向恢復(fù)過程。
反向恢復(fù)過程，實(shí)際上是由電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時(shí)間就是正向?qū)〞r(shí)PN結(jié)存儲(chǔ)的電荷耗盡所需要的時(shí)間。假設(shè)為Trr，若有一頻率為T1的連續(xù)PWM波通過二極管，當(dāng)Trr《T1時(shí)，二極管方反向時(shí)就不能阻斷此PWM波，起不到開關(guān)作用。二極管的反向恢復(fù)時(shí)間由Datasheet提供。反向恢復(fù)時(shí)間快使二極管在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，可獲得較高的開關(guān)速度，提高了器件的使用頻率并改善了波形。
快恢復(fù)二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）在幾百納秒（ns）以下，超快恢復(fù)二極管甚至能達(dá)到幾十納秒。所謂反向恢復(fù)時(shí)間（trr），它的定義是：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換成反向，再由反向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。
整流二極管的反向恢復(fù)過程圖解
一、二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)過程
在上圖所示的硅二極管電路中加入一個(gè)如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時(shí)間內(nèi)，輸入為+VF，二極管導(dǎo)通，電路中有電流流通。
設(shè)VD為二極管正向壓降（硅管為0.7V左右），當(dāng)VF遠(yuǎn)大于VD時(shí)，VD可略去不計(jì)，則
在t1時(shí)，V1突然從+VF變?yōu)?VR。在理想情況下 ，二極管將立刻轉(zhuǎn)為截止，電路中應(yīng)只有很小的反向電流。但實(shí)際情況是，二極管并不立刻截止，而是先由正向的IF變到一個(gè)很大的反向電流IR=VR／RL，這個(gè)電流維持一段時(shí)間tS后才開始逐漸下降，再經(jīng)過tt后 ，下降到一個(gè)很小的數(shù)值0.1IR，這時(shí)二極管才進(jìn)人反向截止?fàn)顟B(tài)，如下圖所示。
通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程。其中tS稱為存儲(chǔ)時(shí)間，tt稱為渡越時(shí)間，tre=ts+tt稱為反向恢復(fù)時(shí)間。 由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。
二、產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因——電荷存儲(chǔ)效應(yīng)
產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是由于二極管外加正向電壓VF時(shí)，載流子不斷擴(kuò)散而存儲(chǔ)的結(jié)果。當(dāng)外加正向電壓時(shí)Ｐ區(qū)空穴向Ｎ區(qū)擴(kuò)散，Ｎ區(qū)電子向Ｐ區(qū)擴(kuò)散，這樣，不僅使勢(shì)壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，而且使載流子有相當(dāng)數(shù)量的存儲(chǔ)，在Ｐ區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了電子，而在Ｎ區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了空穴 ，它們都是非平衡少數(shù)載流于，如下圖所示。
空穴由Ｐ區(qū)擴(kuò)散到Ｎ區(qū)后，并不是立即與Ｎ區(qū)中的電子復(fù)合而消失，而是在一定的路程LP（擴(kuò)散長(zhǎng)度）內(nèi)，一方面繼續(xù)擴(kuò)散，一方面與電子復(fù)合消失，這樣就會(huì)在LP范圍內(nèi)存儲(chǔ)一定數(shù)量的空穴，并建立起一定空穴濃度分布，靠近結(jié)邊緣的濃度最大，離結(jié)越遠(yuǎn)，濃度越小 。正向電流越大，存儲(chǔ)的空穴數(shù)目越多，濃度分布的梯度也越大。電子擴(kuò)散到Ｐ區(qū)的情況也類似，下圖為二極管中存儲(chǔ)電荷的分布。
我們把正向?qū)〞r(shí)，非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象叫做電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。
當(dāng)輸入電壓突然由+VF變?yōu)?VR時(shí)Ｐ區(qū)存儲(chǔ)的電子和Ｎ區(qū)存儲(chǔ)的空穴不會(huì)馬上消失，但它們將通過下列兩個(gè)途徑逐漸減少：① 在反向電場(chǎng)作用下，Ｐ區(qū)電子被拉回Ｎ區(qū)，Ｎ區(qū)空穴被拉回Ｐ區(qū)，形成反向漂移電流IR，如下圖所示；
②與多數(shù)載流子復(fù)合。
在這些存儲(chǔ)電荷消失之前，ＰＮ結(jié)仍處于正向偏置，即勢(shì)壘區(qū)仍然很窄，ＰＮ結(jié)的電阻仍很小，與RL相比可以忽略，所以此時(shí)反向電流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ結(jié)兩端的正向壓降，一般 VR》》VD，即 IR＝VR／RL。在這段期間，IR基本上保持不變，主要由VR和RL所決定。經(jīng)過時(shí)間ts后Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)所存儲(chǔ)的電荷已顯著減小，勢(shì)壘區(qū)逐漸變寬，反向電流IR逐漸減小到正常反向飽和電流的數(shù)值，經(jīng)過時(shí)間tt，二極管轉(zhuǎn)為截止。
由上可知，二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程，實(shí)質(zhì)上由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷消失所需要的時(shí)間。
二極管和一般開關(guān)的不同在于，“開”與“關(guān)”由所加電壓的極性決定， 而且“開”態(tài)有微小的壓降V f，“關(guān)”態(tài)有微小的電流i0。當(dāng)電壓由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)， 電流并不立刻成為（- i0） ， 而是在一段時(shí)間ts 內(nèi)， 反向電流始終很大， 二極管并不關(guān)斷。
經(jīng)過ts后， 反向電流才逐漸變小， 再經(jīng)過tf 時(shí)間， 二極管的電流才成為（- i0） ， ts 稱為儲(chǔ)存時(shí)間， tf 稱為下降時(shí)間。tr= ts+ tf 稱為反向恢復(fù)時(shí)間， 以上過程稱為反向恢復(fù)過程。這實(shí)際上是由電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的， 反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。該過程使二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當(dāng)做開關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比tr 短， 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通， 起不到開關(guān)作用。