大電流密度下的P+-i-N+功率二極管的通態(tài)特性大大優(yōu)于肖特基二極管是不言而喻的。問題是如何提高其頻率特性，使其接近肖特基二極管的水平。提高開通和關斷過程的速度，也就是千方百計縮短由斷到開，特別是由開到關的時間，即縮短正向恢復時間tfr和反向恢復時間trr。
4.1 縮短正向恢復時間t(fr 改進開通特性)
由整流二極管的國際標準知，正向恢復時間tfr 規(guī)定為：在緊接零電壓或其他規(guī)定的反向電壓條件施加規(guī)定的階躍正向電流時，正向電壓上升到第一個規(guī)定值瞬間和從其峰值VFRM 下降到接近正向電壓最終穩(wěn)定值的第二個規(guī)定值瞬間的時間間隔。如圖2 所示。
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2)開通時的最高峰值電壓主要由器件雜散(也稱寄生)電感在電流上升率發(fā)生時的附加電壓L·di/dt以及結電壓(包括高低結的電壓)構成。顯然控制過大的雜散電感的產生是關鍵。這里采用有考究的平板式結構，管殼設計為無傘(傘也叫裙邊)薄殼，這都是降低裝配雜散電感，確保VFRM 值不高的必要措施。
一般來講，開通對高頻應用的影響遠不如關斷時反向恢復時間以及反向恢復電荷的影響大。
為此，提高整流二極管的高頻應用能力，要將重點放在對關斷特性的改進中。
4.2 降低反向恢復時間t(rr 改進關斷特性)
由整流二極管的國際標準知，反向恢復時間trr規(guī)定為：當從正向到反向轉換時，從電流過零瞬間起，至反向電流由峰值IFM減少到規(guī)定低值瞬間(如圖3 所示)的時間間隔。
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在研制過程中采取的措施是：
1)通過采取磷硅玻璃、硼硅玻璃吸收和慢降溫，先把少子壽命提高到
目的是提高電子的少子壽命到
，確保高頻應用時壓降不會過大，且正向開通時間tfr短。
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2)先低溫擴鉑再利用陰極面高濃度磷硅玻璃吸收，使少子壽命控制在
并在基區(qū)有一個理想的分布，后采用電子輻照達到最終的關斷要求的降低少子壽命的控制技術，既保證了器件長期應用的可靠性，又保證了反向恢復時間的要求，且又可以使器件軟關斷，即軟因子FRRS 增大，反向恢復電荷Qr減小。
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軟恢復的實質：在反向恢復時間不變的前提下，軟因子FRRS增大，即反向恢復電流下降時間trrf增長，實質就是反向恢復電荷Qr 減小了(也就是最大反向恢復電流減小)，這樣就實現(xiàn)了關斷時不產生過大的反向電流和過大的能量損耗的目的。
3)采用截面電阻率均勻的硅單晶，使空間電荷區(qū)寬度均勻，結電容小也是關斷時不產生過大的反向電流和過大的能量損耗的措施之一。
4)有意將陽極區(qū)的表面濃度做得比陰極區(qū)的還要低，也是提高軟因子，降低反向恢復電荷的措施之一。