IC的PWM OUT輸出
一般IC的PWM OUT輸出如左圖所示,內(nèi)部集成了限流電阻Rsource和Rsink,通常Rsource》Rsink,具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak。一般IC的驅(qū)動(dòng)輸出能力在0.5A左右,因此Rsource在20Ω左右。
由前面的電壓電流曲線可以看到一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET,但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線,感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾,還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制??紤]到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。
表
可以看到L對(duì)上升時(shí)間的影響比較小,主要還是Rg影響比較大。上升時(shí)間可以用2*Rg*Cgs來近似估算,通常上升時(shí)間小于導(dǎo)通時(shí)間的二十分之一時(shí),MOSFET開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的損耗不致于會(huì)太大造成發(fā)熱問題,因此當(dāng)MOSFET的最小導(dǎo)通時(shí)間確定后Rg最大值也就確定了 ,一般Rg在取值范圍內(nèi)越小越好,但是考慮EMI的話可以適當(dāng)取大。
以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,此時(shí)阻值要盡量小,這也是Rsink放電阻過小,由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)RG又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。這個(gè)二極管通常使用高頻小信號(hào)管1N4148。
圖
實(shí)際使用中還要考慮MOSFET柵漏極還有個(gè)電容Cgd的影響,MOSFET ON時(shí)Rg還要對(duì)Cgd充電,會(huì)改變電壓上升斜率,OFF時(shí)VCC會(huì)通過Cgd向Cgs充電,此時(shí)必須保證Cgs上的電荷快速放掉,否則會(huì)導(dǎo)致MOSFET的異常導(dǎo)通。