穿心電容是什么？
穿心電容外形如下圖所示。穿心電容是一種三端電容，但與普通的三端電容相比，由于它直接安裝在金屬面板上， 因此它的接地電感更小，幾乎沒有引線電感的影響，另外，它的輸入輸出端被金屬板隔離，消除了高頻耦合，這兩個(gè)特點(diǎn)決定了穿心電容具有接近理想電容的濾波效果。 穿心電容的介質(zhì)為陶瓷介質(zhì)，而陶瓷電容的容量會(huì)隨環(huán)境溫度變化而變化，這種容量變化會(huì)影響濾波器的濾波截止率。陶瓷電容的容量溫度變化率是由陶瓷介質(zhì)本身決定的。因此，選擇適當(dāng)?shù)奶沾山橘|(zhì)非常重要。濾波器所用的電容一般為陶瓷電容。由于其物理結(jié)構(gòu)，這種陶瓷電容又稱為穿心電容。
穿心電容自電感較普通電容小得多，故而自諧振頻率很高。同時(shí)，穿心式設(shè)計(jì)，也有效地防止了高頻信號(hào)從輸入端直接耦合到輸出端。這種低通高阻的組合，在 1GHz 頻率范圍內(nèi)，提供了極好的抑制效果。
電容充放電電路的設(shè)計(jì)：
圖（a）所示電路中，VF1是一次側(cè)主MOSFET，來自PWM集成控制器的脈沖使其通／斷工作。為使VF2的通／斷時(shí)間與VF1相反，增設(shè)雙向延時(shí)電路S1?，F(xiàn)假設(shè)VF1為截止?fàn)顟B(tài)，VF2為導(dǎo)通狀態(tài)，吸收電容Cr充電到VF1的漏極－源極間電壓，由此，也吸收加在VF1上的浪涌電壓。在由延時(shí)電路確定的延時(shí)時(shí)間后VF2截止，但這時(shí)，Cr兩端電壓等于加在VF1上的電壓，因此，為零電壓和零電流開關(guān)器件斷開方式。
VF1截止后，二次側(cè)二極管VD2的電流降為零，變壓器無勵(lì)磁能量。此時(shí)一次主繞組N1感應(yīng)的回掃電壓變?yōu)榱?，以高于C1上電壓進(jìn)行充電的吸收電容C1對(duì)一次主繞組N1反向放電，這樣，放電電流經(jīng)VF2的寄生二極管（虛線所示）流通。Cr放電開始時(shí)，VF2必須截止。由于Cr放電，電容Cr與一次主繞組的電感Lp產(chǎn)生諧振。
（a）原理電路；（b）實(shí)用電路
圖 控制吸收電容充放電的電路圖
若VF2為導(dǎo)通狀態(tài)，諧振繼續(xù)衰減振蕩，但VF2截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，電容Cr兩端電壓為零時(shí)振蕩停止。若Cr停止諧振，則以VF1和VF2的輸入較小容量電容繼續(xù)產(chǎn)生較短周期的諧振。VF1再度導(dǎo)通時(shí)，軔小電容放電電流流經(jīng)VF1本身而消耗掉。VF1導(dǎo)通時(shí)，其小容量電容充電的電壓隨導(dǎo)通時(shí)間而改變，但Cr兩端電壓降到最低電壓，因此，可以減小Cr產(chǎn)生的損耗。也就是說，即使采用較大容量的電容Cr損耗也不會(huì)增大。
圖（a）所示為采用VF2寄生二極管使Cr放電形式的電路。一般的M0S－FET寄生二極管恢復(fù)特性不適宜高頻，因此，增設(shè)低耗二極管作為電容放電二極管，即圖（b）中的二極管VD1。為使放電電流全部流經(jīng)二極管VD1，在VF2回路中增加了逆阻斷二極管VD2．逆阻斷二極管VD2的耐壓大于VD1的正向壓降即可，因此，選用肖特基二極管（SBD）。另外，雙向延時(shí)元件宜采用可飽和電抗器，延時(shí)元件和YF2的輸入電容共同決定延時(shí)時(shí)間，需要較長延時(shí)時(shí)間時(shí)，可在柵極增接電容。輸出電流一減小，VF1的導(dǎo)通時(shí)間就變短。這導(dǎo)通時(shí)間若短于延時(shí)時(shí)間，則VF1截止后，VF2導(dǎo)通，因此，VF1漏極－源極間電壓UDS的波形偏離正常波形，功耗也稍增大。為降低最小輸出電流，延時(shí)時(shí)間要非常短，這樣，就不能充分有效利用電容Cr。這里，作為大致目標(biāo)，最小輸出電流設(shè)定為最大輸出電流的2％～3％。