電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT。但其驅(qū)動電路復(fù)雜，驅(qū)動功率大。
2024-03-07 17:06:38
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串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經(jīng)濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
緊湊型矢量光場生成系統(tǒng)
1，概述矢量光場可廣泛應(yīng)用于光學(xué)捕獲和操縱、表面等離子體、光學(xué)加工、焦場工程、量子信息處理、超分辨率顯微成像、光通信等方面。上海瞬渺光電近期推出的Model
2024-02-28 13:20:52
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應(yīng)的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
對于一個含有晶體管，場效應(yīng)管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們在不同的應(yīng)用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 晶體管的問世，是20世紀(jì)的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2023-12-13 16:42:31427 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。
2023-11-29 16:54:55182 
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
金氧半場效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時電子指南將詳述這類晶體管的工作機制，并提供關(guān)于使用和選擇恰當(dāng)MOSFET類型的實用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動最后一級的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動最后一級的功率晶體管，主要是出于以下幾個方面的考慮。 首先，最后一級
2023-10-22 14:47:33409 GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點和缺點？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中，各有強項和弱點，本文著重闡述四種晶體管的優(yōu)點和缺點。 一、 GTO
2023-10-19 17:01:256156 專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電源設(shè)計者只要熟悉雙極型晶體管的設(shè)計，掌握關(guān)于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快學(xué)會使用MOSFET管進行電路設(shè)計。對電路設(shè)計者來說,決定MOSFET管特性的制造材料和固態(tài)物理結(jié)構(gòu)并不太重要,這里
2023-09-28 06:33:09
上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢，有時候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC小哥簡單介紹如下。
2023-09-27 09:27:49934 
KINDERGARTEN上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢，有時候推薦用Trench工藝MOSFET,上海雷卯EMC小哥簡單介紹如下。1.
2023-09-27 08:02:48851 
2023年9月20日，比亞迪在日本召開新車上市發(fā)布會，推出緊湊型電動車BYD DOLPHIN。這是比亞迪在日本推出的第二款純電動車，售價為363萬日元（約合17.9萬人民幣）至407萬日元
2023-09-22 09:46:45560 絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291490 
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 這里介紹的電路是使用 MOSFET 輸出級的放大器電路，作為基于雙極晶體管的輸出級的替代品。該項目適合那些想要嘗試功率 MOSFET 的人。無需贅述，MOSFET 具有真空管和雙極晶體管特有的聲音
2023-08-24 15:47:49719 
分立晶體管是電子設(shè)計中最常見的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應(yīng)用，從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件，以及高頻/高功率器件。
2023-08-16 17:08:45171 更高。這會導(dǎo)致電路中的負(fù)載更少。FET晶體管分為兩種類型，即JFET和MOSFET。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管
JFET 代表結(jié)型場效應(yīng)晶體管。這很簡單，也是 FET 晶體管的初始類型，可用作電阻器、放大器
2023-08-02 12:26:53
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:13355 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:53
0 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 在過去的幾年里，MOSFET已經(jīng)成為功率開關(guān)的首選器件應(yīng)用程序。雖然導(dǎo)通電阻顯著降低，但它們通常需要驅(qū)動器級以獲得最佳性能，特別是當(dāng)由低電壓、低電流源驅(qū)動時。這就是雙極晶體管固有優(yōu)勢的優(yōu)勢所在
2023-07-24 10:01:370 MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241285 
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
CN243 - 緊湊型扁平結(jié)構(gòu)脈搏血氧儀主系統(tǒng)
2023-07-04 19:25:530 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
ZXTP25020CFF 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTP25020CFF（PNP, 20V, 4.5A, SOT23F）先進的工藝能力和封裝最大限度地提高了這種小外形晶體管的功率處理
2023-06-12 18:11:45
引言: 在當(dāng)今科技迅猛發(fā)展的時代，高效能的功率電子器件對于各個領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。潤新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進的產(chǎn)品，憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了眾多工程師
2023-06-12 16:48:161016 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
機器視覺技術(shù)全球領(lǐng)跑者的Teledyne DALSA公司宣布推出其MicroCalibir長波紅外（LWIR）緊湊型相機平臺的無快門版本。
2023-06-09 09:30:43651 ZXTN25020CFH 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN25020CFH 先進的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-08 13:24:00
ZXTN25020BFH 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN25020BFH 先進的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-08 13:17:09
ZXTN25015DFH產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN25015DFH 先進的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合
2023-06-08 11:59:10
ZXTN25012EFH 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN25012EFH 先進的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊
2023-06-08 07:07:37
ZXTN23015CFH 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN23015CFH 先進的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-08 06:57:40
ZXTN2040F 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN2040F 該晶體管結(jié)合了高增益、高電流操作和低飽和電壓，使其成為功率 MOSFET 柵極驅(qū)動和低損耗功率開關(guān)的理想選擇。
2023-06-08 06:47:03
ZXTN2038F 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN2038F 該晶體管結(jié)合了高增益、高電流操作和低飽和電壓，使其成為功率 MOSFET 柵極驅(qū)動和低損耗功率開關(guān)的理想選擇
2023-06-08 06:38:43
ZXTN2031F 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN2031F 先進的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-07 22:58:24
ZXTN2020F 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTN2020F 先進的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合
2023-06-07 21:17:56
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
。與其他類型的晶體管相比，MOSFET具有更高的功率密度，這是一個明顯的優(yōu)勢。此外，與BJT（雙極結(jié)型晶體管）相比，MOSFET需要最少的輸入電流來控制負(fù)載電流。
2023-05-24 11:19:06720 柵型場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設(shè)備。整個電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認(rèn)為熱量
2023-04-28 06:59:43
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎？
2023-04-17 14:13:13
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。
2023-04-15 09:17:39512 
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
UF2840GRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28VRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
DU2860U 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
; 產(chǎn)品規(guī)格零件號 UF28150J描述 射頻功率 MOSFET 晶體管 150W, 100MHz-500MHz, 28V
2023-03-31 10:34:44
DU2840S 射頻功率 MOSFET 晶體管 40W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管
2023-03-30 18:07:32
MOS管 N-Channel, PNP VDS=30V VGS=±8V ID=660mA RDS(ON)=580mΩ@4.5V SOT1118
2023-03-28 15:03:38
我在設(shè)計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。
2023-03-25 10:40:43671 集電極發(fā)射極間電壓 : VCE 集電極電流 : IC 數(shù)字晶體管 輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓) 輸出電流 : IO MOSFET 漏極源極間電壓 : VDS 漏極電流 : ID
2023-03-23 16:52:27762 
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