IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)，變頻器的核心部件
2024-03-18 17:12:31
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IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心，IGBT結(jié)合了MOSFET的輸入阻抗高和GTR的低飽和壓降的特點，其獨特
2024-03-12 15:34:18149 
安森美，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創(chuàng)新的場截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統(tǒng)成本，為行業(yè)樹立了新的標(biāo)桿。
2024-03-01 09:53:53163 絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極開關(guān)特性以及 BJT 的最小導(dǎo)通電阻（低飽和電壓）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時間與關(guān)斷時間？ 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種主要應(yīng)用于功率電子裝置中的半導(dǎo)體器件，其具有低導(dǎo)通壓降和高關(guān)斷速度等優(yōu)點。開通時間和關(guān)斷時間是評估IGBT性能
2024-02-20 11:19:16280 在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極型晶體管（BJT）的載流能力強(qiáng)的優(yōu)點。
2024-02-18 10:29:261055 
這是絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的實用指南。您將從實際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但是，當(dāng)你剝離物理解釋并開始練習(xí)時，將其放入電路中是很簡單的。
2024-02-11 10:57:00533 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，因其高效率和快速開關(guān)特性而受到青睞。
2024-02-06 11:14:40303 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
IGBT驅(qū)動電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和普通雙極晶體管的優(yōu)點。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有
2024-01-23 13:44:51674 管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動型放大器，對其信號放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）的特點。IGBT通常用于高電壓和高電流應(yīng)用，例如工業(yè)
2024-01-12 11:18:10350 與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40372 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱
2024-01-03 15:14:22268 
晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件，邏輯電路用于開關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型，它們每個都有自己的優(yōu)勢和一些限制。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)將BJT和MOSFET的最佳部分
2023-12-22 10:30:58750 
IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率
2023-12-18 09:40:221150 
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們在不同的應(yīng)用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？
2023-12-13 14:38:56400 
igbt的作用和功能? IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣
2023-12-07 16:32:552936 襯底:NPN雙極晶體管的基礎(chǔ)是p摻雜(硼)硅襯底，上面沉積了厚氧化層（600 nm）。
2023-12-06 18:15:251251 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用基于三相絕緣柵極雙極性晶體管 (IGBT)的逆變器應(yīng)用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 11:05:31
5 絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
2023-11-24 14:45:34405 
和原理。它由一個晶閘管和兩個晶體管組成，其中晶體管的作用是將電流放大并控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。而IGBT是一種電壓場控型器件，其工作原理是基于絕緣柵雙極晶體管的結(jié)構(gòu)和原理。它由一個絕緣柵雙極晶體管和兩個晶體管組成，其中絕緣柵雙極晶體管的作
2023-11-24 11:40:53997 來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
在電力電子領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是兩種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件。它們的獨特特性使它們在高效能和高頻率應(yīng)用中非常重要。本文將探討IGBT和MOSFET的工作原理、封裝技術(shù)及其廣泛的應(yīng)用。
2023-11-15 14:12:32176 
： IGBT是一種晶體管結(jié)構(gòu)，由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）控制Bipolar雙極晶體管的開關(guān)動作。IGBT主要由三個部分組成： - N型溝道區(qū)：
2023-11-10 14:26:281260 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
絕緣柵雙極晶體管，是一種高速開關(guān)器件，常用于功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。其工作原理是基于雙極晶體管和場效應(yīng)管的原理結(jié)合而成的。在IGBT內(nèi)部，由P型硅和N型硅交替排列形成NPNP結(jié)構(gòu)，其中兩個P型區(qū)域分別與兩個N型區(qū)域相接，形成PN結(jié)，而在兩個P型區(qū)域之間還有一個N型區(qū)域，形成一個N通道結(jié)構(gòu)。這個N型區(qū)域被稱為增
2023-10-19 17:08:082592 ：IGBT封裝難點
三、IGBT廠商介紹
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極晶體管）的縮寫，最常見的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境使用IGBT
2023-10-16 11:00:14
體，IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。 與BJT或MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管IGBT優(yōu)勢在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。 0****1 **什么是IGBT ** IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種
2023-10-16 10:28:541213 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103325 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場的第一炮
2023-09-19 02:43:54232 選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計中的重要任務(wù)，因為正確的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56921 
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291490 
損壞的主要原因具體來說，變頻調(diào)速系統(tǒng)由變頻器、電纜和電機(jī)組成。逆變器的核心控制元件有BJT(雙極晶體管)、IGBT(絕緣柵)等類型，其中IGBT具有驅(qū)動簡單、保護(hù)容
2023-09-05 11:34:55328 
igbt單管和雙管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又稱絕緣柵雙極晶體管，是一種特殊的半導(dǎo)體器件。它集成了MOSFET和BJT的優(yōu)點，具有輸入電阻
2023-08-25 15:11:222533 今天給大家分享的是：IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)
2023-08-25 09:39:182040 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡單的開關(guān)功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
絕緣柵雙極晶體管（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導(dǎo)體器件的一種，主要用于新能源電動汽車、及電動車的交流電電動機(jī)的輸出控制。
2023-08-11 14:46:19545 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙 極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體
2023-08-08 10:14:122 范圍為 10 mA – 600mA。這些都可以 PNP 和 NPN 形式獲得。
光電晶體管
這些晶體管是光敏晶體管，這種晶體管的常見類型看起來像雙極晶體管，其中該晶體管的基極引線被移除并通過光敏區(qū)域
2023-08-02 12:26:53
供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
除了這些新材料外，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次進(jìn)入IGBT市場，推出了一系列新的600 V設(shè)備。本文將介紹IGBT、trench-gate設(shè)備和Nexperia的新產(chǎn)品系列。
2023-07-18 15:35:53367 
RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 “晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號放大和開關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機(jī)制和特點。
2023-07-07 10:14:492344 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)
2023-07-05 09:20:27459 
達(dá)林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接，使用一對雙極晶體管結(jié)型晶體管（BJT），設(shè)計用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細(xì)信息。
2023-06-29 10:06:49747 
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
絕緣柵雙極晶體管 （IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過
2023-06-14 20:15:012111 
產(chǎn)品線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-06-06 10:47:12390 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣
2023-05-26 11:19:061097 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣
2023-05-20 15:19:12583 這款 10 瓦晶體管音頻放大器電路采用常規(guī)雙極晶體管元件，具有 10 瓦功率輸出。為了良好運行，該放大器電路需要高達(dá)30 VDC的20VDC電壓。
2023-05-19 17:44:111859 
igbt模塊是什么東西 什么是 IGBTIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管
2023-05-17 15:10:46956 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344 供應(yīng)ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:37:48
供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應(yīng)50A、600V SGTP50V60FD2PU電機(jī)逆變器igbt，是士蘭微igbt一級代理商，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:22:26
供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應(yīng)IGBT 50A 600V 型號SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅(qū)動電機(jī)igbt，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域， 更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:14:31
供應(yīng)igbt伺服電機(jī)驅(qū)動管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士蘭微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:07:50
薩科微slkor半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹說，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型晶體管)和 MOSFET
2023-04-03 16:29:25521 
供應(yīng)600v 30a igbt模塊直流充電機(jī)SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F，提供SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:15:051 供應(yīng)IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt，提供SGT30T60SD1FD關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 16:13:31
供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)，提供SGT20T60SDM1P7 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:01:10
供應(yīng)STGF19NC60KD替代料SGT20T60SD1P7 逆變焊機(jī)單管igbt 20A、600V，提供SGT20T60SD1P7 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:50:59
供應(yīng)SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關(guān)逆變器，提供SGT20T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，是士蘭微IGBT代理商，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應(yīng)SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 20A600V單管igbt，提供SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:29:481 供應(yīng)士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅(qū)動電機(jī)的igbt晶體管，提供SGT20T60SD1S關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:27:47
供應(yīng)15A600V絕緣柵雙極型晶體管SGT15T60SD1T(F)(S)，提供SGT15T60SD1T(F)(S)關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:15:382 供應(yīng)600v 15a電機(jī)igbt驅(qū)動SGT15T60SD1F可代換IKA15N60T絕緣柵雙極型晶體管，提供SGT15T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:14:03
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
IGBT 600V 9A 38W DPAK
2023-03-29 15:38:34
逆變器、全橋驅(qū)動逆變器等領(lǐng)域。 ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點 ■ 浮動工作電壓可達(dá)600V ■ 拉灌電流典型值210mA/36
2023-03-29 09:24:35
我在設(shè)計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
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