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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>科銳推出封裝型1700V碳化硅肖特基二極管C3Dxx170H

科銳推出封裝型1700V碳化硅肖特基二極管C3Dxx170H

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C4D05120E是一款二極管

1200V,5A,至252-2包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管碳化硅建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格. 
2023-07-26 17:23:39

C4D02120A是一款二極管

1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:19:54

C4D02120E是一款二極管

1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:17:31

E4D02120E是一款二極管

1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10

C3D06065A是一款二極管

650 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括服務(wù)器
2023-07-25 11:44:54

C6D04065A是一款二極管

650 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 6 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括服務(wù)器
2023-07-25 11:25:07

C3D03065E是一款二極管

650 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括服務(wù)器
2023-07-25 11:12:54

C3D20060D是一款二極管

600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:50:38

C3D16060D是一款二極管

600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:46:45

C3D10060A是一款二極管

600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:39:12

C3D10060G是一款二極管

600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:29:01

C3D08060A是一款二極管

600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:24:29

C3D08060G是一款二極管

600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:21:52

C3D06060A是一款二極管

600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:17:04

C3D06060F是一款二極管

600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:14:55

C3D06060G是一款二極管

600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:12:16

C3D04060A是一款二極管

600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:09:36

C3D04060F是一款二極管

600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:07:08

C3D04060E是一款二極管

600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:51:09

C3D03060A是一款二極管

600 V3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:21:52

C3D03060F是一款二極管

600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:18:50

C3D03060E是一款二極管

600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:45:09

C3D02060A是一款二極管

600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:42:41

C3D02060F是一款二極管

600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:37:00

C3D02060E是一款二極管

600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:32:22

CSD01060A是一款二極管

 600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42

CSD01060E是一款二極管

600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:23:06

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量,可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20

MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1  品牌:美浦森  封裝:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11

MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1  品牌:美浦森  封裝:DFN5
2023-07-05 15:50:06

肖特基二極管介紹

二極管
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:45:55

GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變

SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39

具有溫度不變勢壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34800

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導(dǎo)體器件,具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:002089

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

瀚薪科技完成B輪融資,已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆

根據(jù)公司披露:上海瀚薪具備多年的車規(guī)級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903

碳化硅肖特基二極管的基本原理

在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié),而不是p-n結(jié)(這是這些二極管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506

麗智芯片肖特基二極管-阻容1號

的主要特點(diǎn)包括高頻特性好、低反向漏電流、低正向壓降、長期可靠性好等。在電路中使用肖特基二極管需要根據(jù)具體應(yīng)用場合和用途來選擇器件的封裝、電性能以及參數(shù)等。 1.產(chǎn)品結(jié)構(gòu)Product Structure
2023-05-23 14:47:57

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢

碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍?;?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?

年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)
2023-05-05 17:00:1195

Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319

Nexperia針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來更高的穩(wěn)健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用

能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時間接近零的特點(diǎn),使得在PFC電路(功率因數(shù)校正)上的MOSFET開通損耗減少,效率得到進(jìn)一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384

二極管/三極管/MOS封裝類型,看這一篇就夠了!

二極管常見的封裝類型,DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等,相信大家都很熟悉。圖源:百度百封裝指的是安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。對于電子元器件來說,封裝是非常有必要
2023-04-13 14:09:54

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18

C3D10065E

碳化硅肖特基二極管
2023-03-27 13:51:50

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