碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺?極管(Ge管)和硅?極管(Si管),現(xiàn)在也有用碳化硅做材料的二極管,美國的cree和深圳薩科微slkor(www.slkoric.com)半導(dǎo)體推出
2024-03-05 14:23:46
區(qū)域和準(zhǔn)中性N-區(qū)域。準(zhǔn)中性P-型區(qū)域是耗盡區(qū)邊緣與P-側(cè)二極管邊緣之間的間隔。
準(zhǔn)中性N型區(qū)域是耗盡區(qū)邊緣與N端二極管邊緣之間的距離。假設(shè)該分離距離為無窮大。當(dāng)我們向二極管邊界移動時,電荷載流子的濃度
2024-01-25 18:01:01
碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2024-01-09 09:26:49379 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)等,主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56305 碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導(dǎo)體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,碳化硅二極管具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27408 和IGBT的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)差異: 碳化硅是一種化合物半導(dǎo)體材料,由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點(diǎn)和熱導(dǎo)性,使其在高溫和高功率應(yīng)用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結(jié)構(gòu)通常更復(fù)雜,由多個寄生二極管組成,因此其電子流動路徑更復(fù)
2023-12-08 11:35:531782 11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18756 光電二極管接到ADL5304,光電二極管偏置需要10V,是否必須雙電源供電?
2023-11-24 07:50:26
TOLL Schottky SKY 肖特基二極管,大電流應(yīng)用時的應(yīng)用注意事項(xiàng)!
48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源,48V 10A的注意事項(xiàng)Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
LLC電源 輸出次級側(cè)使用肖特基二極管產(chǎn)品整流
LLC次級側(cè)使用肖特基二極管產(chǎn)品,灌膠電源有優(yōu)秀的散熱效果
2023-11-20 21:36:35
AD210芯片的16、17、19 這3個PIN,內(nèi)部有二極管的鉗位保護(hù)嗎? 即:對正15V電源的二極管,對-15V電源的二極管;是否存在?
外部電路應(yīng)該怎么對管腳進(jìn)一步保護(hù)呢?
2023-11-13 06:53:50
,有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV,極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果
2023-09-22 10:26:25205 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260 功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
和管理者。今年,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅(Si)無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性,并說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。
2023-08-04 11:04:17480 1700 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式的第六代高電壓、高性能 Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,可實(shí)施到任何定制模塊設(shè)計中較低的正向電壓、較小
2023-07-31 10:26:57
1700 V、25 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式的第六代高電壓、高性能 Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,可實(shí)施到任何定制模塊設(shè)計中較低的正向電壓、較小
2023-07-31 10:23:31
1700 V、10 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式的第六代高電壓、高性能 Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,可實(shí)施到任何定制模塊設(shè)計中較低的正向電壓、較小
2023-07-31 10:21:42
1700 V、5 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式的第六代高電壓、高性能 Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,可實(shí)施到任何定制模塊設(shè)計中較低的正向電壓、較小
2023-07-31 10:19:45
1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高電壓、高性能 Z-Rec ?碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式,可
2023-07-31 10:15:57
650 V、4 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 Gen 3 系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)、零正向和放大器、反向恢復(fù)和高頻操作。針對
2023-07-31 09:29:20
600 V、4 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)、零正向和放大器、反向恢復(fù)和高頻操作。針對
2023-07-31 09:17:53
600 V、3 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)、零正向和放大器、反向恢復(fù)和高頻操作。針對
2023-07-31 09:15:56
600 V、2 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)、零正向和放大器、反向恢復(fù)和高頻操作。針對
2023-07-31 09:12:19
??1700V,25A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
1700V,10A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管
2023-07-27 10:19:54
1700V,5A,至247-2包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管可以很
2023-07-27 10:17:56
1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08
1200V,40A,至247-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D40120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(40A),其特點(diǎn)是MPS(合并PIN肖特基)設(shè)計,是更強(qiáng)大和可靠
2023-07-27 10:14:00
1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50
1200V型,30A型,至247-2型包,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D30120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(30A),其特點(diǎn)是MPS(合并PIN肖特基)設(shè)計,是更強(qiáng)
2023-07-27 09:46:22
1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25
1200V,20A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管
2023-07-27 09:40:47
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59
1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31
1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59
1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43
1200V型,15A型,至247-2型包,第4代離散的SCHHOSTKY二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)
2023-07-27 09:09:11
1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:49:42
1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42
1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:43:35
1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:41:29
1200V,8A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:30:11
1200V,8A,到252-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:27:50
1200V,5A,到220-2包件,第4代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格,
2023-07-26 17:25:50
1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格.
2023-07-26 17:23:39
1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:19:54
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:17:31
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10
650 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括服務(wù)器
2023-07-25 11:44:54
650 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 6 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括服務(wù)器
2023-07-25 11:25:07
650 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括服務(wù)器
2023-07-25 11:12:54
600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:50:38
600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:46:45
600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:39:12
600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:29:01
600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:24:29
600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:21:52
600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:17:04
600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:14:55
600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:12:16
600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:09:36
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 10:07:08
600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:51:09
600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:21:52
600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-25 09:18:50
600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:45:09
600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:42:41
600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:37:00
600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:32:22
600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比
2023-07-24 17:23:06
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量,可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌:美浦森 封裝:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1 品牌:美浦森 封裝:DFN5
2023-07-05 15:50:06
SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導(dǎo)體器件,具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:002089 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 根據(jù)公司披露:上海瀚薪具備多年的車規(guī)級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903 在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié),而不是p-n結(jié)(這是這些二極管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506 的主要特點(diǎn)包括高頻特性好、低反向漏電流、低正向壓降、長期可靠性好等。在電路中使用肖特基二極管需要根據(jù)具體應(yīng)用場合和用途來選擇器件的封裝、電性能以及參數(shù)等。
1.產(chǎn)品結(jié)構(gòu)Product Structure
2023-05-23 14:47:57
碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍?;?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277 年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)
2023-05-05 17:00:1195 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來更高的穩(wěn)健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796 能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時間接近零的特點(diǎn),使得在PFC電路(功率因數(shù)校正)上的MOSFET開通損耗減少,效率得到進(jìn)一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384 二極管常見的封裝類型,DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等,相信大家都很熟悉。圖源:百度百科封裝指的是安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。對于電子元器件來說,封裝是非常有必要
2023-04-13 14:09:54
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
碳化硅肖特基二極管
2023-03-27 13:51:50
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