在介紹開發(fā)板之前，我們先來區(qū)分一下核心板和開發(fā)板的區(qū)別。核心板是一種集成度高、功能完整的計(jì)算模塊，搭載系統(tǒng)，簡化了外圍接口，體積尺寸相對(duì)較小，主要適用于嵌入式系統(tǒng)。而開發(fā)板由核心板和底板組成
2024-03-13 19:53:34
氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC2218 100V FET和低靜態(tài)電流、高頻LTC7890雙降壓DC/DC同步控制器，
2024-02-22 13:43:55
在本指南中，您將了解什么是光電晶體管，如何使用光電晶體管，并通過一個(gè)簡單的項(xiàng)目來構(gòu)建自動(dòng)開/關(guān)開關(guān)。
2024-02-11 11:09:00
594 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 CJ2301數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-19 13:39:58
0 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請(qǐng)問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵是一種化合物，化學(xué)式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構(gòu)成。 氮化鎵具有堅(jiān)硬的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，是一種重要的半導(dǎo)體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:011020 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:21941 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
高效功率轉(zhuǎn)換 (EPC) 宣布推出 EPC9194，這是一款用于 3 相 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的參考設(shè)計(jì)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14 V 至 60 V，可提供高達(dá) 60 Apk (40
2023-11-02 16:43:46397 51單片機(jī)開發(fā)板QZ_KST_51增強(qiáng)板
2023-10-26 16:02:055 氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺(tái)設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)，而E-Mode設(shè)計(jì)卻必須在性能上做出妥協(xié)
2023-10-24 14:12:26526 晶體管和FET給人的印象是具有信號(hào)放大的功能，即當(dāng)輸入信號(hào)通過晶體管或者FET后，輸出信號(hào)被直接放大。
2023-10-21 10:23:07597 
前言：
本文章收錄社區(qū)上（dev-board-sig）的開發(fā)板，當(dāng)前收錄了部分開發(fā)板，后續(xù)持續(xù)更新中。
企業(yè)可以根據(jù)自己的項(xiàng)目需求，選擇合適的開發(fā)板。
如果收錄開發(fā)板：
可以自己在本小組寫一篇
2023-10-19 11:27:47
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)?，效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《智嵌STM32F407開發(fā)板(增強(qiáng)型)V1.1原理圖.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-15 15:24:477 借助其增強(qiáng)型 NDEF 功能（ANDEF），ST25TV512C 和 ST25TV02KC 標(biāo)簽IC具備了上下文自動(dòng)NDEF消息傳遞服務(wù)。最終用戶只需簡單地“點(diǎn)擊”標(biāo)簽，便可動(dòng)態(tài)生成相應(yīng)的響應(yīng)
2023-09-13 06:33:45
氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
2023-09-12 15:31:55591 請(qǐng)教音叉開關(guān)上面的振動(dòng)壓電晶體在什么地方能買到
2023-09-08 08:49:16
n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常
2023-09-02 10:05:251531 CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發(fā)的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
增強(qiáng)型 GaN 晶體管的唯一已知方法（在撰寫本文時(shí)）是使用松下專利方法使用附加的 AlGaN 層。 這意味著涉及這種晶體管類型的任何創(chuàng)新都將依賴于松下，直到研究出其他方法為止。
GaN 器件的研究工作自
2023-08-21 17:06:18
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51685 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
，尤其是在芯片設(shè)計(jì)時(shí)。這些晶體管有耗盡型和增強(qiáng)型兩種類型。此外，這些類型分為P溝道和N溝道類型。
FET 的主要特點(diǎn)如下。
· 它是單極的，因?yàn)殡娮踊蚩昭ǖ入姾奢d流子負(fù)責(zé)傳輸。
· 在 FET 中，由于反向
2023-08-02 12:26:53
各種開發(fā)板測(cè)試文章
2023-07-17 10:34:35
FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，FET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。
2023-07-12 17:24:291034 
光電晶體管是將光轉(zhuǎn)化為電能的組件。它是一種晶體管，只是它使用光而不是基極電流來打開和關(guān)閉。
2023-06-29 10:40:38431 
MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式，而術(shù)語MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。
2023-06-28 18:17:137741 
高性能增強(qiáng)型功率晶體管，以及它如何解鎖多種應(yīng)用領(lǐng)域。 INN650D140A的特性 INN650D140A是一款增強(qiáng)型功率晶體管，具有以下特性： 高電壓：能夠承受高達(dá)700V的電壓。 高電流：能夠處理高達(dá)200A的電流。 高密度：體積小，適用于各種應(yīng)用場景。 可靠性：具
2023-06-25 17:51:03565 
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
我剛學(xué)想問一下，stc-isp是針對(duì)stc公司的cpu進(jìn)行燒錄，只要是用了該公司的芯片都可以燒錄嗎？比如普中開發(fā)板能用普中isp也能用stc-isp燒錄？
2023-06-24 12:17:27
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間，為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)，如主動(dòng)有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級(jí) FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
HC89F3XX1系列是芯圣電子推出的增強(qiáng)型8位觸摸單片機(jī)，內(nèi)置增強(qiáng)型 8051 內(nèi)核，擁有最大32K的ROM、256Bytes的IRAM以及1K的XRAM。
2023-06-01 16:39:56227 
DWM1001-DEV產(chǎn)品簡介 Qorvo 的 DWM1001-DEV 是一款即插即用開發(fā)板，用于評(píng)估DWM1001C超寬帶 (UWB) 收發(fā)器模塊的特性和性能。該開發(fā)板的用戶無需設(shè)計(jì)任何
2023-06-01 11:27:13
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15384 導(dǎo)電材料Ti3C2Tx MXene 被用來作為氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵電極，MXene和氮化鎵之間形成沒有直接化學(xué)鍵的范德華接觸。氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極控制能力得到顯著增強(qiáng)，亞閾值擺幅61 mV/dec接近熱力學(xué)極限，開關(guān)電流比可以達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的~1013。
2023-05-25 16:11:29599 
光電晶體管是一種光電轉(zhuǎn)換器件，它是在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上加入光敏材料制成的。光電晶體管可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，具有高靈敏度、高速度、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于光電傳感、光電控制、光電通信等領(lǐng)域。
2023-05-17 15:29:281557 我可以得到這個(gè)微控制器的開發(fā)板原理圖和技術(shù)參考手冊(cè)嗎？
零件號(hào)：
LPC1778FET208K
2023-05-17 11:37:18
光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:20:41529 光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場效應(yīng)型等。
2023-05-16 16:13:16580 
光電功能晶體主要是利用光電轉(zhuǎn)化的功能晶體，種類很多，如光學(xué)晶體、激光晶體、非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、閃爍晶體和磁光晶體等。它的作用是接受光信號(hào)，并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
2023-05-16 16:07:26389 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流，而是激活晶體管。這是因?yàn)楣?b class="flag-6" style="color: red">電晶體管由雙極半導(dǎo)體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
光電晶體管是一種電子開關(guān)和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理：當(dāng)光落在結(jié)上時(shí)，反向電流流動(dòng)，其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測(cè)光脈沖并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào)。這些是通過光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:12655 業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型（cascade）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商。
2023-05-10 11:23:31820 業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型（cascade）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
MS80F751x系列MCU是增強(qiáng)型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外設(shè)運(yùn)行，24MHz內(nèi)核運(yùn)行，工作電壓2.1V-5.5V，GPIO最多可達(dá)30個(gè)，內(nèi)置LCD/LED驅(qū)動(dòng)模塊
2023-05-06 09:28:45
STM32開發(fā)板 STM32F103RCT6最小系統(tǒng)板 ARM 一鍵串口下載 液晶屏
2023-04-04 11:05:04
STM32F401CCU6 411CEU6開發(fā)板 32F4核心小系統(tǒng)板 學(xué)習(xí)板
2023-04-04 11:05:04
STM32F407VET6開發(fā)板工控學(xué)習(xí)板帶485 雙CAN 以太網(wǎng) 物聯(lián)網(wǎng) STM32
2023-04-04 11:05:03
1. 開發(fā)板 2. 開發(fā)板介紹 瑞薩RA2L1產(chǎn)品組屬于48MHz Arm? Cortex?-M23 超低功耗通用微控制器 ，能夠支持 1.6V 至 5.5V 寬電壓工作，CPU 時(shí)鐘頻率
2023-04-03 16:55:03
對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOS管而言，為何漏源電壓增大到一定反型層會(huì)消失？此時(shí)柵極和襯底間不是仍然有一個(gè)正壓嗎
2023-03-31 15:31:55
N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā)，開發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
2023-03-29 22:59:16
BOARD DEV FOR EPC2014C
2023-03-29 22:47:05
EPC2001C–增強(qiáng)型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32
ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC
2023-03-28 13:05:54
ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND
2023-03-28 13:05:54
ATK-北極星STM32F750開發(fā)板 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-探索者STM32F407開發(fā)板 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-精英STM32F103開發(fā)板 DEVB_115X117MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-領(lǐng)航者ZYNQ開發(fā)板-7010 Edition DEVB_120X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-領(lǐng)航者ZYNQ開發(fā)板-7020 Edition DEVB_120X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-MiniSTM32F103開發(fā)板 DEVB_80X100MM 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-NANO STM32F103開發(fā)板 DEVB_60X100MM 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-NANO STM32F411開發(fā)板 DEVB_60X100MM 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-戰(zhàn)艦STM32F103開發(fā)板 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:53
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
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