等公司是這一歷史階段的先驅(qū)。現(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實(shí)施和工藝技術(shù)。在這個(gè)階段，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計(jì)限制，出現(xiàn)了一個(gè)更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計(jì)和構(gòu)建定制
2024-03-13 16:52:37
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
376 
想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
采用熱增強(qiáng)封裝技術(shù)的 100V GaN 功率級(jí)，可將解決方案尺寸縮小 40% 以上，提高功率效率，并將開(kāi)關(guān)損耗降低 50%。 業(yè)界超小型 1.5W 隔離式直流/直流模塊可為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用提供比之前
2024-03-07 16:03:04211 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1.5A 輸出電流高功率密度降壓/升壓轉(zhuǎn)換器TPS631000數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:23:21
0 新聞亮點(diǎn)： 采用熱增強(qiáng)封裝技術(shù)的 100V GaN 功率級(jí)，可將解決方案尺寸縮小 40% 以上，提高功率效率，并將開(kāi)關(guān)損耗降低 50%。 業(yè)界超小型 1.5W 隔離式直流/直流模塊可為汽車(chē)和工業(yè)
2024-03-06 14:40:5370 
? 在處理激光光學(xué)時(shí)，功率和能量密度是需要理解的兩個(gè)重要概念。這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)經(jīng)?；Q使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語(yǔ)。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:22167 
管控，能采用精細(xì)化管理模式，在細(xì)節(jié)上規(guī)避常規(guī)問(wèn)題發(fā)生；再?gòu)男聲r(shí)代發(fā)展背景下提出半導(dǎo)體封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)，建議把工作重心放在半導(dǎo)體封裝工藝質(zhì)量控制方面，要對(duì)其要點(diǎn)內(nèi)容全面掌握，才可有效提升半導(dǎo)體封裝工藝質(zhì)量。 引言 從半導(dǎo)
2024-02-25 11:58:10275 
共讀好書(shū) 半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展，從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級(jí)封裝（Wafer
2024-02-21 10:34:20176 
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技SiSC 功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的器件之一，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開(kāi)關(guān)、線路保護(hù)、逆流及整流等作用。后道封裝是保證器件可靠性
2024-01-12 17:00:06673 
2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01227 
隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體已經(jīng)成為現(xiàn)代社會(huì)不可或缺的核心元器件。半導(dǎo)體封裝作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，對(duì)保護(hù)芯片、提高芯片性能和降低生產(chǎn)成本具有重要意義。本文將以雙列直插式封裝（Dual In-line Package，DIP）為例，探討半導(dǎo)體封裝的發(fā)展歷程、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來(lái)趨勢(shì)。
2023-12-26 10:45:21414 
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:42235 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07276 
過(guò)去幾十年里，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過(guò)封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無(wú)法匹配芯片特性等挑戰(zhàn)。
2023-12-20 09:47:43417 
新半導(dǎo)體技術(shù)將提升功率轉(zhuǎn)換效率
2023-12-15 09:18:51165 
在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類(lèi)，包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類(lèi)型、半導(dǎo)體封裝的獨(dú)特制造工藝，以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度.doc》資料免費(fèi)下載
2023-12-06 14:39:00308 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:06364 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 18:00:18212 
通過(guò)GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
異構(gòu)集成時(shí)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的價(jià)值
2023-11-28 16:14:14223 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
2023-11-23 09:08:35284 
隨著汽車(chē)行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來(lái)的是，增加的電子設(shè)備使得汽車(chē)對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無(wú)疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
高功率應(yīng)用需要高功率密度和可靠的功率半導(dǎo)體，且成本合理。分立器件降低了解決方案的總成本，但在重負(fù)載循環(huán)期間必須承受高熱要求。為了滿足這些要求，功率半導(dǎo)體應(yīng)具有較低的總損耗，使用標(biāo)準(zhǔn)封裝中最大的芯片
2023-11-16 17:26:531059 
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助
2023-11-16 13:28:337015 
其實(shí)除了這些傳統(tǒng)的封裝，還有很多隨著半導(dǎo)體發(fā)展新出現(xiàn)的封裝技術(shù)，如一系列的先進(jìn)封裝和晶圓級(jí)封裝等等。盡管半導(dǎo)體封裝技術(shù)不斷發(fā)展，但仍面臨著一些挑戰(zhàn)。首先，隨著半導(dǎo)體元件尺寸的不斷縮小，封裝
2023-11-15 15:28:431071 
環(huán)氧模塑料是一種重要的微電子封裝材料, 是決定最終封裝性能的主要材料之一, 具有低成本和高生產(chǎn)效率等優(yōu)點(diǎn), 目前已經(jīng)成為半導(dǎo)體封裝不可或缺的重要材料。本文簡(jiǎn)單介紹了環(huán)氧模塑料在半導(dǎo)體封裝中的重要作用
2023-11-08 09:36:56533 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類(lèi)活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動(dòng)汽車(chē)包括功率半導(dǎo)體，飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
功率半導(dǎo)體，作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分，扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于處理高功率電信號(hào)和控制電力流動(dòng)的半導(dǎo)體器件，與低功率應(yīng)用中使用的小信號(hào)半導(dǎo)體不同，功率半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27490 
充電機(jī)(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車(chē)系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200V SiC功率開(kāi)關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開(kāi)關(guān)管具有
2023-10-31 15:37:59887 
泵、空調(diào)等汽車(chē)系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200VSiC功率開(kāi)關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開(kāi)關(guān)管具有很低的導(dǎo)通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 作者簡(jiǎn)介作者：OmarHarmon,ZhenboZhao,LukasHein翻譯：ZhaoKai/摘要/今天，功率半導(dǎo)體為很多應(yīng)用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分
2023-10-28 08:14:58517 
高功率密度、非常緊湊的設(shè)計(jì)和簡(jiǎn)化的裝配過(guò)程。該產(chǎn)品系列為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了四件裝、六件裝和圖騰柱配置的選擇，以提高其靈活性。 這些模塊包括1,200V SiC電源開(kāi)關(guān)，采用意法半導(dǎo)體尖端的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù)，以確保最小的RDS(on)值。這些器件以最小的溫度依賴(lài)性
2023-10-26 17:31:32741 模塊的高效率、高功率密度和高可靠性的挑戰(zhàn)需要通過(guò)持續(xù)的模塊改進(jìn)來(lái)支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開(kāi)發(fā)到量產(chǎn)，并滿足最高的牽引質(zhì)量、可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)。 封裝和芯片移位 近年來(lái)，下一代高功率
2023-10-24 16:11:30382 
隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地也對(duì)于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。
2023-10-22 09:27:32503 
解更多公司，建議查詢(xún)相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過(guò)以下途徑實(shí)現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 點(diǎn)擊 “東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)和高功率密度、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)越的物理性能，應(yīng)用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02268 
電驅(qū)和電控向大功率等級(jí)方向發(fā)展，短時(shí)峰值功率輸出能力越來(lái)越高，實(shí)現(xiàn)更好的用戶(hù)體驗(yàn) 電驅(qū)和電控向高功率密度方向發(fā)展，節(jié)省整車(chē)空間，降低整車(chē)重量
2023-10-17 15:31:472124 
未來(lái)對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶(hù)的不同項(xiàng)目。同時(shí)，變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展一直都是電子行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的重要驅(qū)動(dòng)力。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也經(jīng)歷了從基礎(chǔ)的封裝到高密度、高性能的封裝的演變。本文將介紹半導(dǎo)體封裝工藝的四個(gè)等級(jí)，以助讀者更好地理解這一關(guān)鍵技術(shù)。
2023-10-09 09:31:55932 
主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51201 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個(gè)有待解決的重要問(wèn)題。另外，早期應(yīng)用的故障率遠(yuǎn)高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟(jì)性，以滿足未來(lái)應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術(shù)，以及該技
2023-10-03 14:26:00305 
半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的一部分，它保護(hù)了敏感的半導(dǎo)體元件并提供了與其他電子組件的電氣和機(jī)械接口。本文將詳細(xì)探討半導(dǎo)體封裝的功能和應(yīng)用范圍。
2023-09-28 08:50:491270 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電站和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
了該封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430 意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 目前BGA封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，相較于傳統(tǒng)的TSOP封裝，具有更小體積、更好的散熱性能和電性能。
在BGA封裝的植球工藝階段，需要使用到特殊設(shè)計(jì)的模具，該模具的開(kāi)窗口是基于所需的實(shí)際焊球
2023-08-21 13:38:06
從事半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人，總繞不開(kāi)幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-08-21 11:05:14524 
，比如近幾年，單電機(jī)的功率越來(lái)越大，功率密度越來(lái)越高，每一次性能上的提升都是材料、散熱、電路控制方面的進(jìn)步。 ? 此前《中國(guó)制造2025重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中的目標(biāo)是，到2025年和2030年，國(guó)內(nèi)乘用車(chē)驅(qū)動(dòng)電機(jī)20s有效比功率分別要達(dá)到≥
2023-08-19 02:26:001870 
依靠簡(jiǎn)單的經(jīng)驗(yàn)法則來(lái)評(píng)估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，例如電源解決方案開(kāi)關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)密度的負(fù)載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器
2023-08-18 11:36:27264 大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:21:40355 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:05:26237 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
近年來(lái)，半導(dǎo)體封裝變得越發(fā)復(fù)雜，更加強(qiáng)調(diào)設(shè)計(jì)的重要性。半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)工藝需要各類(lèi)工程師和業(yè)內(nèi)人士的共同參與，以共享材料信息、開(kāi)展可行性測(cè)試、并優(yōu)化封裝特性。在之前的文章：[半導(dǎo)體后端工藝:第四篇
2023-08-07 10:06:19361 
從事半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人，總繞不開(kāi)幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-08-01 11:48:081172 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高功率密度200W游戲適配器TM PFC+HB LLC轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-31 15:28:514 ，通過(guò)檢測(cè)，來(lái)判斷產(chǎn)品的性能，是否仍然能夠符合預(yù)定要求，以便于產(chǎn)品設(shè)計(jì)、改進(jìn)、鑒定及出廠檢驗(yàn)用。半導(dǎo)體激光器封裝件高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù):1、工作室尺寸：按用戶(hù)要
2023-07-21 17:23:17
幾乎每個(gè)應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
為什么提高功率密度是轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員的重要目標(biāo)？不論是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等能源密集型系統(tǒng)，還是道路上越來(lái)越智能的車(chē)輛，為其供電的電源轉(zhuǎn)換電路需要能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率。真的就是那么簡(jiǎn)單。
2023-07-08 11:14:00343 無(wú)獨(dú)有偶，在車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車(chē)企不止吉利一家。近日，深藍(lán)汽車(chē)與斯達(dá)半導(dǎo)體達(dá)成合作，雙方組建了一家名為 " 重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司 " 的全新合資公司，雙方將圍繞車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊開(kāi)展合作，共同推進(jìn)下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-06-25 16:47:45556 
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
半導(dǎo)體芯片是如何封裝的？這是一個(gè)很好的問(wèn)題。半導(dǎo)體芯片通常需要被封裝起來(lái)才能使用。封裝工藝的目標(biāo)是將裸露的芯片保護(hù)起來(lái)，同時(shí)連接它們到外部引腳，以便于在電路板等設(shè)備中使用。
2023-06-21 14:33:561349 升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過(guò)CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開(kāi)關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開(kāi)關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計(jì)可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來(lái)了進(jìn)一步發(fā)展的機(jī)遇提高電動(dòng)汽車(chē)電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
微電子封裝用主流鍵合銅絲半導(dǎo)體封裝技術(shù)
2023-06-06 10:25:48424 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場(chǎng)比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 
功率密度和靈活性便是 Wolfspeed 和 Astrodyne TDI（ATDI）合作的原因，雙方一同挖掘 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，以滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造/工藝設(shè)備的多種電源需求。我們攜手使用 SiC
2023-05-20 15:46:51436 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
制造工藝對(duì)封裝技術(shù)的影響，探究了各種半導(dǎo)體封裝內(nèi)部連接方式之間的相互關(guān)系，旨在為我國(guó)半導(dǎo)體封裝技術(shù)應(yīng)用水平的快速提升帶來(lái)更多參考和啟迪。
2023-05-16 10:06:00497 隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步，封裝技術(shù)也在逐漸演變。晶圓級(jí)封裝（Wafer-Level Packaging，WLP）和傳統(tǒng)封裝技術(shù)之間的差異，以及這兩種技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域，值得我們深入了解。
2023-05-12 13:26:05681 
功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過(guò) 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來(lái)越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。
2023-05-09 14:27:552716 
能量轉(zhuǎn)換效率是一個(gè)重要的指標(biāo)，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實(shí)現(xiàn)這一提升，開(kāi)始逐漸采用越來(lái)越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓?fù)?，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開(kāi)關(guān)速度被譽(yù)為未來(lái)的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2023-05-08 09:39:17735 
郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32718 隨著電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體封裝技術(shù)已經(jīng)成為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。從早期的簡(jiǎn)單封裝到現(xiàn)代高密度、高集成度的封裝，半導(dǎo)體封裝技術(shù)在不斷地演進(jìn)。目前，市場(chǎng)上常見(jiàn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)可以歸納為三大類(lèi)：傳統(tǒng)封裝技術(shù)、表面貼裝技術(shù)和先進(jìn)封裝技術(shù)。本文將詳細(xì)介紹這三大類(lèi)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-04-25 16:46:21682 
摘要半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝形式。當(dāng)前功率器件的設(shè)計(jì)和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化
2023-04-20 09:59:41710 
瑞森半導(dǎo)體的超結(jié)MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠(chéng)邀咨詢(xún)
2023-04-18 10:21:55271 
瑞森半導(dǎo)體的超結(jié)MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠(chéng)邀咨詢(xún)
2023-04-17 17:56:30548 
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴(lài)進(jìn)口，未來(lái)進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過(guò)3,700億元。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 16:00:28
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴(lài)進(jìn)口，未來(lái)進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過(guò)3,700億元。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來(lái)越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓?fù)湟彩艿搅嗽S多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個(gè)令人興奮的機(jī)會(huì)，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢(shì)為工程師開(kāi)啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長(zhǎng)的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實(shí)現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類(lèi)似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
2023-03-31 12:44:271882 交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)需要在一定的前提條件下進(jìn)行，與指標(biāo)定義、評(píng)價(jià)對(duì)象、運(yùn)行電壓、工作溫度及其冷卻條件、持續(xù)時(shí)間、恒功率調(diào)速范圍等因素密切相關(guān)，不同前提下功率密度量化指標(biāo)差異巨大。
2023-03-27 14:12:002004 對(duì)于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡(jiǎn)單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標(biāo)稱(chēng)）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49710 
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