羅姆開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET

　　日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

　　新系列產(chǎn)品根據(jù)用途采用6種封裝，共13種產(chǎn)品。從9A到100A(可用于需要大電流的大功率設(shè)備)，所適用的電流値范圍更寬。另外，采用羅姆獨家的新構(gòu)造，與以往的一般產(chǎn)品相比，功率轉(zhuǎn)換性能改善約30%，尤其對需要大電流的大功率設(shè)備的DC/DC電源電路實現(xiàn)更低功耗貢獻(xiàn)巨大。

　　關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆株式會社總部(京都)，后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)、ROHM Korea Corporation (韓國)。從2012年4月份開始出售樣品(樣品價格30日元～100日元/個)，計劃從7月份開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。

　　近年來，在各種設(shè)備的DC/DC電源電路中，一直通過改善功率轉(zhuǎn)換效率來實現(xiàn)節(jié)電。其中，也要求對功率轉(zhuǎn)換影響巨大的功率MOSFET具有更低損耗、更高效率。

　　一直以來，羅姆為客戶提供了眾多面向消費電子的中功率的高效率MOSFET，隨著24V輸入的大型大功率工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域的發(fā)展，對耐壓40V級別、支持大電流的高效率功率MOSFET的需求日益高漲。

　　新系列產(chǎn)品采用了羅姆獨家的低電容構(gòu)造和“溝槽式場板結(jié)構(gòu)”，成功地同時實現(xiàn)了本為相互制約關(guān)系的低導(dǎo)通電阻與低柵極電容。由此，作為DC/DC轉(zhuǎn)換器用功率MOSFET的性能指數(shù)所使用的“FOM”與以往產(chǎn)品相比大幅減小，達(dá)到了業(yè)界最高級別的高效率。不僅如此，還可支持高頻動作，有助于外圍部件的小型化。

　　另外，根據(jù)用途可提供6種封裝，在工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域中廣泛使用的大功率封裝(TO-220, LPTS)產(chǎn)品陣容中，又增添了適用100A大電流的產(chǎn)品，有助于大幅降低設(shè)備的功耗。

　　此外，本產(chǎn)品為了確保同步整流電路中的性能，針對UIS(L負(fù)載雪崩耐量)實施了100%試驗，在質(zhì)量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發(fā)揮獨創(chuàng)的先進(jìn)工藝加工技術(shù)，不斷推進(jìn)設(shè)想到客戶需求的晶體管產(chǎn)品的開發(fā)。

　　1) 采用新構(gòu)造，實現(xiàn)了業(yè)界最高級別的高效率性能

　　進(jìn)一步微細(xì)化，同時，采用羅姆獨家的低電容構(gòu)造和新的“溝槽式場板結(jié)構(gòu)”，實現(xiàn)了低電容與低導(dǎo)通電阻兼?zhèn)?/p>

　　的元件。與羅姆以往產(chǎn)品相比，表示功率MOSFET的性能指數(shù)的“FOM”數(shù)值可大幅減小。

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2) 100A的大電流、適用于工業(yè)設(shè)備和車載用設(shè)備

　　根據(jù)不同用途，提供6種封裝。效率更高，使在高頻區(qū)域的使用成為可能。不僅如此，還可支持100A的大電流，可滿足工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域中的各種需求。

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　　?DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　將直流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓的電源電路。例如，將服務(wù)器和電腦等設(shè)備內(nèi)部的12V標(biāo)準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)換為

　　使微處理器和存儲器等IC工作的各種電壓(5V～0.9V等)。

　　?FOM(Figure of merit)

　　表示功率MOSFET性能的指數(shù)，以Ron×Qgd的數(shù)值表示。數(shù)值越小越優(yōu)異。