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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>使SiC相關(guān)業(yè)務(wù)銷售額達(dá)到160億日元 - 羅姆開始量產(chǎn)工業(yè)設(shè)備用全SiC模塊

使SiC相關(guān)業(yè)務(wù)銷售額達(dá)到160億日元 - 羅姆開始量產(chǎn)工業(yè)設(shè)備用全SiC模塊

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點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出最新一代 [1] 用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅 ( SiC ) 肖特基勢壘二極管 ( SBD
2023-07-13 17:40:02184

三星電子2nm制程工藝計劃2025年量產(chǎn) 2027年開始用于代工汽車芯片

外媒在報道中提到,根據(jù)公布的計劃,三星電子將在2025年開始,采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動設(shè)備應(yīng)用所需的芯片,2026年開始量產(chǎn)高性能計算設(shè)備的芯片,2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458

SiC系統(tǒng)梳理貼

1月5日,比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型:比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控,時隔2年,比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布了高端汽車品牌“仰望”,該品牌的兩款量產(chǎn)車型也同步亮相同步亮相,包括硬派越野 U8 和性能超跑 U9 。
2023-06-29 16:53:26441

瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn),助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:483174

89PES24N3 設(shè)備用戶手冊

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2023-06-26 20:48:290

89PES12N3 設(shè)備用戶手冊

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2023-06-26 20:48:180

科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月,科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn),打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342

14.2 SiC晶體結(jié)構(gòu)和能帶

SiC
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:22:10

14.1 SiC基本性質(zhì)(下)

SiC
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:14:08

14.1 SiC基本性質(zhì)(上)_clip002

SiC
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:13:16

14.1 SiC基本性質(zhì)(上)_clip001

SiC
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:12:34

SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07

三菱電機(jī)開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊樣品

三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月13日)宣布,將于6月14日開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感,并集成了第二代SiC芯片,有望幫助實(shí)現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備
2023-06-15 11:16:28748

三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

工業(yè)設(shè)備。樣品于5月31日開始發(fā)售。該新結(jié)構(gòu)芯片有望幫助實(shí)現(xiàn)鐵路牽引等電氣系統(tǒng)的小型化和節(jié)能化,促進(jìn)直流輸變電的普及,從而為實(shí)現(xiàn)碳中和做出貢獻(xiàn)。
2023-06-09 11:20:09365

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304

SiC MOSFET模塊串?dāng)_問題及應(yīng)用對策

針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題,文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進(jìn)行對比,有效減小測量誤差;然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211831

自動化設(shè)備用多芯防水連接器

在自動化設(shè)備的制造過程中,需要使用到大量的多芯防水連接器,以便實(shí)現(xiàn)各個設(shè)備之間的互聯(lián)互通。為了保障設(shè)備的正常工作,連接器的質(zhì)量必須得到高度的保證,否則將會對設(shè)備的性能和穩(wěn)定性帶來很大的影響。其中,自動化設(shè)備用多芯防水連接器就是必不可少的一種。
2023-06-01 12:53:51345

賽晶首款車規(guī)級SiC模塊進(jìn)入測試階段!

近日,賽晶首款車規(guī)級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國紐倫堡電子展(PCIM Europe 2023),引發(fā)國內(nèi)外與會專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動汽車模塊平臺
2023-05-31 16:49:15351

工業(yè)自動化方案,從遠(yuǎn)程 IO模塊開始!

遠(yuǎn)程IO模塊主要用于工業(yè)現(xiàn)場采集模擬信號和數(shù)字信號,而且還可以輸出模擬信號和數(shù)字信號來控制設(shè)備??梢詳U(kuò)展PLC、采集儀器儀表等數(shù)據(jù)處理設(shè)備的輸入和輸出口,比如一個PLC只有有10個模擬輸入接口,但是
2023-05-29 08:46:07808

MxxxT工業(yè)遠(yuǎn)程I/O模塊完美解決產(chǎn)線計數(shù)問題

MxxxT 工業(yè)遠(yuǎn)程以太網(wǎng) I/O 數(shù)據(jù)采集模塊是一款高性能的工業(yè)設(shè)備,它內(nèi)嵌了 32 位的微處理器 MCU,并集成了 1 個工業(yè)級的 10/100M 自適應(yīng)以太網(wǎng)接口,支持標(biāo)準(zhǔn)的 Modbus
2023-05-23 18:01:15628

問問can總線 以太網(wǎng)轉(zhuǎn)換設(shè)備用UDP模式通訊更快是因?yàn)槭裁茨兀?/a>

三菱電機(jī)開始提供集成SBD的SiC-MOSFET模塊樣品

2023年5月8日,三菱電機(jī)宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品,該半橋模塊額定電壓為3.3kV,絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:17833

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2023-05-06 19:02:260

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2023-05-06 19:02:080

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2023-04-27 19:10:570

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2023-04-26 19:49:140

2023年國產(chǎn)汽車芯片、SIC進(jìn)展報告

芯片SiC
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-25 17:38:23

SiC功率模塊封裝技術(shù):探索高性能電子設(shè)備的核心競爭力

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,硅碳化物(SiC)功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能,為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢。
2023-04-23 14:33:22840

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí),與現(xiàn)有SiC MOSFET相比,這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1],可將導(dǎo)通電阻[2](RonA)降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能,降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于APEX Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483

SIC438BEVB-B

SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢,雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后,通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合,雙方將能夠提供滿足市場需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案,從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。
2023-03-29 15:06:13

SIC431DED-T1-GE3

SIC431DED-T1-GE3
2023-03-28 14:50:25

SIC789CD-T1-GE3

SIC789CD-T1-GE3
2023-03-28 13:48:55

SIC639ACD-T1-GE3

SIC639ACD-T1-GE3
2023-03-28 13:15:17

SIC438BED-T1-GE3

SIC438BED-T1-GE3
2023-03-28 13:10:35

Microchip推出全新MPLAB? SiC電源模擬器,助力客戶在設(shè)計階段測試SiC電源解決方案

電氣化正在推動SiC半導(dǎo)體的增長,由于其具備快速開關(guān)能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能,電動汽車、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)等大型細(xì)分市場都轉(zhuǎn)向SiC電源解決方案。為了幫助電源設(shè)計工程師輕松、快速和放心
2023-03-25 06:40:02450

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