近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專(zhuān)為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19
558 服務(wù)范圍橫向科研技術(shù)?持和服務(wù)、軌道交通、核電、裝備領(lǐng)域板卡失效分析、可靠性壽命試驗(yàn)方案及可靠性提升方案開(kāi)發(fā)與執(zhí)行。檢測(cè)項(xiàng)目基于壽命特征分析的板卡壽命及剩余壽命研究：l 板卡X-ray
2024-03-15 17:27:02
服務(wù)內(nèi)容橫向科研技術(shù)支持和服務(wù)、高鐵裝備、零部件失效分析、可靠性試驗(yàn)方案及可靠性提升方案開(kāi)發(fā)與執(zhí)行、裝備及系統(tǒng)健康管理技術(shù)方案開(kāi)發(fā)及軟硬件平臺(tái)搭建。服務(wù)范圍● 車(chē)體部件：側(cè)窗、底部大部件、連接件等
2024-03-15 16:46:27
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，能夠高效地將輸入的220V交流電壓穩(wěn)定地轉(zhuǎn)換為12V直流輸出電壓，提供500mA的大電流輸出。這種設(shè)計(jì)不僅保證了電源的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)也有效降低了能源損耗，節(jié)省了電能。
除了高效率
2024-03-12 14:25:14
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN?）已被臺(tái)達(dá)電子（Delta Electronics, Inc.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)
2024-03-12 10:42:46123 3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《半導(dǎo)體可靠性手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-04 09:35:44
0 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
。在便攜儲(chǔ)能中，IGBT不僅確保了電能的有效轉(zhuǎn)換，還有助于提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著新能源的發(fā)展，IGBT的需求也在不斷增長(zhǎng)，顯示出其在能源轉(zhuǎn)換和管理領(lǐng)域的重要性。
2024-02-04 00:09:003569 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02364 封裝可靠性最重要的可靠性測(cè)試，也是進(jìn)行器件壽命模型建立和壽命評(píng)估的根本。服務(wù)范圍車(chē)規(guī)級(jí)功率器件模塊及基于分立器件的等效特殊設(shè)計(jì)產(chǎn)品。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)● DINENISO/
2024-01-29 22:46:02
、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮（Autoclave）試驗(yàn)服務(wù)，設(shè)備能力完全覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗(yàn)?zāi)芰?。服?wù)背景AEC-Q101對(duì)對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體
2024-01-29 21:35:04
標(biāo)準(zhǔn)。安森美(onsemi)作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。之前我們分享了如何對(duì)IGBT進(jìn)行可靠性測(cè)試，今天我們來(lái)介紹如何通過(guò)可靠性審核程序確保IGBT的產(chǎn)品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng)，公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng)，必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過(guò)基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性
2024-01-17 09:56:32448 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
產(chǎn)品的質(zhì)量取決于其是否可以充分滿足指定的標(biāo)準(zhǔn)及特性；而半導(dǎo)體產(chǎn)品的可靠性，是指在一定時(shí)間內(nèi)無(wú)故障運(yùn)行，從而提高客戶(hù)滿意度和復(fù)購(gòu)率的能力。以此為前提，失效是指在產(chǎn)品使用過(guò)程中發(fā)生的故障，而缺陷是指在產(chǎn)品制造或檢
2024-01-13 10:24:17711 
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技SiSC 功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的器件之一，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開(kāi)關(guān)、線路保護(hù)、逆流及整流等作用。后道封裝是保證器件可靠性
2024-01-12 17:00:06673 
功率半導(dǎo)體是一類(lèi)特殊的半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流和高溫等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對(duì)功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹。 功率半導(dǎo)體的工作原理 功率半導(dǎo)體的工作原理
2024-01-09 16:22:11380 
什么是電光轉(zhuǎn)換效率電光轉(zhuǎn)換效率是衡量半導(dǎo)體激光器和半導(dǎo)體光放大器SOA芯片性能的一個(gè)重要指標(biāo)，簡(jiǎn)單概括講就是指將電能轉(zhuǎn)換為光能的能量轉(zhuǎn)換效率。η=P光/P電=(Pout-Pin)/IF*VFPout
2023-12-27 18:18:16456 
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
Pout：輸出光功率(注意：對(duì)半導(dǎo)體光放大器SOA來(lái)說(shuō)，如果ASE噪聲光功率不大，就取總輸出光功率，如果ASE噪聲大，取激光輸出光功率) Pin：輸入光功率 IF：前向電流 VF：前向電壓 電光轉(zhuǎn)換效率通常用百分比來(lái)代表。例如，一個(gè)光器件的電光轉(zhuǎn)換效率為20%，代表該光芯片20%的電能
2023-12-21 13:24:04196 
半導(dǎo)體可靠性測(cè)試主要是為了評(píng)估半導(dǎo)體器件在實(shí)際使用過(guò)程中的可靠性和穩(wěn)定性。這些測(cè)試項(xiàng)目包括多種測(cè)試方法和技術(shù)，以確保產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和可靠性滿足設(shè)計(jì)規(guī)格和用戶(hù)需求。下面是關(guān)于半導(dǎo)體可靠性測(cè)試的詳細(xì)
2023-12-20 17:09:04696 Pout：輸出光功率(注意：對(duì)半導(dǎo)體光放大器SOA來(lái)說(shuō)，如果ASE噪聲光功率不大，就取總輸出光功率，如果ASE噪聲大，取激光輸出光功率) Pin：輸入光功率 IF：前向電流 VF：前向電壓 電光轉(zhuǎn)換效率通常用百分比來(lái)代表。例如，一個(gè)光器件的電光轉(zhuǎn)換效率為20%，代表該光芯片20%的電能
2023-12-20 16:47:32177 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《瑞納斯半導(dǎo)體可靠性報(bào)告.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:22:001 產(chǎn)品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩGaNHEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK045G檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS）,當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率
2023-12-16 12:01:21224 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:25311 
新半導(dǎo)體技術(shù)將提升功率轉(zhuǎn)換效率
2023-12-15 09:18:51165 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率電子材料和器件研發(fā)基本與國(guó)際同步，GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域，更全電壓等級(jí)，從當(dāng)前100V/650V拓展到30V~1200V，可靠性升級(jí)實(shí)現(xiàn)從消費(fèi)到工業(yè)、車(chē)規(guī)的跨越。
2023-12-05 11:38:30383 
新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 18:00:18212 
。
CW32A030C8T7通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)可靠性測(cè)試
作為武漢芯源半導(dǎo)體首款車(chē)規(guī)級(jí)MCU產(chǎn)品，CW32A030C8T7產(chǎn)品順利通過(guò)AEC-Q100（Grade2）車(chē)規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試，符合車(chē)用電
2023-11-30 15:47:01
SiC FET神應(yīng)用，在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11151 
，應(yīng)盡量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使每個(gè)部件都成為最簡(jiǎn)設(shè)計(jì)。當(dāng)今世界流行的模塊化設(shè)計(jì)方法是提高設(shè)備可靠性的有效措施。塊功能相對(duì)單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，將設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化
2023-11-22 06:29:05
。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器
2023-11-21 08:14:06255 
?2023新能源電子可靠性與功率半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)將在上海盛大舉辦。大會(huì)聚焦新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)能、電力電子、充電樁等就新能源電子可靠性設(shè)計(jì)、電磁兼容、第三代功率半導(dǎo)體、新能源汽車(chē)電驅(qū)電控、光伏逆變器、電源
2023-11-13 15:30:39244 
可靠性測(cè)試是半導(dǎo)體器件測(cè)試的一項(xiàng)重要測(cè)試內(nèi)容，確保半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性，保證其在各類(lèi)環(huán)境長(zhǎng)時(shí)間工作下的穩(wěn)定性。半導(dǎo)體可靠性測(cè)試項(xiàng)目眾多，測(cè)試方法多樣，常見(jiàn)的有高低溫測(cè)試、熱阻測(cè)試、機(jī)械沖擊測(cè)試、引線鍵合強(qiáng)度測(cè)試等。
2023-11-09 15:57:52744 
共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用
2023-11-03 11:40:49644 
機(jī)械溫控開(kāi)關(guān)的可靠性有多少？我看溫控開(kāi)關(guān)的體積很小，價(jià)格便宜，可以用于一些溫度控制方面，不過(guò)可靠性有多少呢？
2023-10-31 06:37:26
系統(tǒng)更好，更高效地運(yùn)行。 交流功率流 靜態(tài)同步補(bǔ)償器 （STATCOM）使用現(xiàn)代電力電子設(shè)備來(lái)控制通過(guò)交流（AC）傳輸網(wǎng)絡(luò)的功率流，從而提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。該器件有時(shí)被稱(chēng)為靜態(tài)同步調(diào)振器 （STATCON），充當(dāng)分流器，為電流通過(guò)電路創(chuàng)建一條低電
2023-10-25 16:07:19311 
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
。
功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)、控制等電力電子裝置的基礎(chǔ)和核心，是推動(dòng)電力電子系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率、功率密度、體積重量等方面優(yōu)化的關(guān)鍵因素之一。
下面以特斯拉來(lái)看看功率半導(dǎo)體IGBT的分布，下圖
2023-10-16 11:00:14
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
通過(guò)PLC組態(tài)軟件提高系統(tǒng)可靠性的幾項(xiàng)措施
2023-09-25 06:26:12
龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心，專(zhuān)注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估，公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則，制定產(chǎn)品可靠性規(guī)范并依此對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行完整可靠性驗(yàn)證。
2023-09-20 16:29:21808 
硬件IIC與軟件IIC在使用上的區(qū)別，對(duì)產(chǎn)品可靠性與效率的影響
2023-09-20 07:53:05
2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ? 走進(jìn)龍騰實(shí)驗(yàn)室 功率器件可靠性試驗(yàn)測(cè)試項(xiàng)目系列專(zhuān)題（一） ? 可靠性實(shí)驗(yàn)室介紹 ? 龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心，專(zhuān)注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估，公司
2023-09-12 10:23:45698 
快設(shè)計(jì)周期提高設(shè)計(jì)安全性和可靠性，確保產(chǎn)品效率?！ぷ詣?dòng)化：為工廠自動(dòng)化和家居樓宇自動(dòng)化提供節(jié)能環(huán)保高效的解決方案。
▌方案演示·邊緣人工及電機(jī)控制智能解決方案·智能工廠解決方案·200W無(wú)線充電
2023-09-11 15:43:36
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來(lái)極高的效率
2023-09-08 06:00:53
隨著全球新能源的發(fā)展，功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
2023-09-01 15:06:571677 
設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車(chē)電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車(chē)性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906 
，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無(wú)接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶(hù)測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
柵場(chǎng)截止(FS)結(jié)構(gòu)，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗性能與高耐用性。這可提高功率逆變器、感應(yīng)加熱器、焊接設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服、機(jī)器人、電梯、機(jī)器操作手和工業(yè)自動(dòng)化等）的效率和可靠性。
2023-08-14 09:34:51326 功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:09:541 650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
在半導(dǎo)體器件中，常見(jiàn)的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。 在大多數(shù)情況下，加速測(cè)試不改變故障的物理特性，但會(huì)轉(zhuǎn)移觀察時(shí)間。 加速條件和正常使用條件之間的轉(zhuǎn)移稱(chēng)為“降額”。那么半導(dǎo)體可靠性測(cè)試有哪些？讓凱智通小編告訴你~
2023-07-13 14:47:182537 
圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 器件，因?yàn)槠洚a(chǎn)量不斷在增加、可靠性得到認(rèn)證和價(jià)格持續(xù)下降。
此時(shí)，氮化鎵技術(shù)不再是一個(gè)“科學(xué)項(xiàng)目”，而是在15 V~650 V的應(yīng)用中廣泛替代硅MOSFET器件。
結(jié)論
當(dāng)今的氮化鎵技術(shù)在性能、可靠性
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開(kāi)關(guān)速度、降低開(kāi)關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展，提高了系統(tǒng)效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無(wú)需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無(wú)需額外添加自由輪二極管，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 低開(kāi)關(guān)損耗：采用先進(jìn)的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34686 33A－1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范
GJB 63B－2001 有可靠性指標(biāo)的固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范
GJB 65B－1999 有可靠性指標(biāo)的電磁繼電器總規(guī)范
GJB 597A－1996 半導(dǎo)體集成電路總
2023-06-08 09:17:22
非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
Nexperia | 用于汽車(chē)和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 半導(dǎo)體激光器一般具有質(zhì)量輕、調(diào)制效率高、體積小等特點(diǎn)，在民用、醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用比較廣泛。大功率半導(dǎo)體激光器的研究從20世紀(jì)80年代開(kāi)始，從未停止，隨著半導(dǎo)體技術(shù)與激光技術(shù)的不斷發(fā)展，大功率也半導(dǎo)體激光器在功率輸出、功率轉(zhuǎn)換、可靠性等方面取得了比較大的進(jìn)步。
2023-05-24 07:03:15656 
2023 年 5 月 19 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開(kāi)關(guān)管準(zhǔn)諧振 (QR
2023-05-22 17:08:11563 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463 。 其他設(shè)計(jì)技巧包括：考慮在柔性電路上逐層錯(cuò)開(kāi)走線，以提供更高水平的靈活性。導(dǎo)體應(yīng)始終垂直于彎曲半徑布線，以提高可靠性和靈活性。終端區(qū)域應(yīng)使用加勁肋進(jìn)行加勁。屏蔽應(yīng)使用交叉陰影線而不是實(shí)心平面。通孔應(yīng)
2023-04-21 15:52:50
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117 
）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
評(píng)估，以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性，并開(kāi)發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級(jí)SiC MOSFET特性對(duì)比
2023-04-11 15:29:18
PCB設(shè)計(jì)中的可靠性有哪些？ 實(shí)踐證明，即使電路原理圖設(shè)計(jì)正確，如果PCB設(shè)計(jì)不當(dāng)，也會(huì)對(duì)電子設(shè)備的可靠性產(chǎn)生不利的影響。舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子，如果PCB兩條細(xì)平行線靠得很近的話，則會(huì)造成信號(hào)波形
2023-04-10 16:03:54
半導(dǎo)體元器件在高溫環(huán)境下的可靠性是制造商和用戶(hù)十分關(guān)注的問(wèn)題。高溫試驗(yàn)是一種常用的測(cè)試方法，通過(guò)模擬實(shí)際使用中的高溫環(huán)境，可以評(píng)估元器件在高溫下的性能和可靠性。高溫試驗(yàn)需要仔細(xì)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案，包括選擇
2023-04-07 10:21:03765 
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
。 因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2023-03-27 17:01:30685 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 IGBT模塊作為汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開(kāi)關(guān)元件。IGBT同時(shí)具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開(kāi)關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻?。└唠妷汉痛箅娏魈幚砟芰Φ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
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