想問下S1位置的電壓為什么是這樣計算？
2024-03-15 09:21:59
CREE的CMPA1D1J001S是款 1W 封裝類型 MMIC HPA，使用高性能 0.15um GaN on SiC 制作工藝。CMPA1D1J001S 的頻率范圍為 12.7-18 GHz
2024-03-06 09:41:07
QPM21012.5-4 GHz S波段接收VGA模塊QPM2101 關(guān)鍵性能頻率范圍：2.5-4.0 GHzRX噪聲系數(shù)：1.0dBRX小信號增益：30 dBRX輸出TOI
2024-03-01 10:20:19
Qorvo QPX0002 2.5GHZ至15GHz I/Q混頻器Qorvo QPX0002 2.5GHZ-15GHz I/Q混頻器是一款緊湊型寬帶I/Q GaAs混頻器，采用4mm x 4mm氣腔
2024-02-26 22:48:25
5G毫米波與Sub-6GHz頻段的特性與技術(shù)挑戰(zhàn)
2024-01-24 14:22:05
201 
高通公司宣布推出一款全新的虛擬現(xiàn)實/混合現(xiàn)實芯片——Snapdragon XR2+ Gen 2。這款芯片是去年9月推出的XR2 Gen 2的升級版，專為虛擬現(xiàn)實頭顯、混合現(xiàn)實頭顯和其他可穿戴設(shè)備設(shè)計。
2024-01-05 15:31:22324 高通宣布推出全新的Snapdragon XR2+ Gen 2芯片，這款芯片專為混合現(xiàn)實（MR）頭戴設(shè)備設(shè)計。高通表示，三星和谷歌已經(jīng)計劃采用這款新芯片。
2024-01-05 15:15:32223 在Snapdragon X Elite發(fā)布一周后，蘋果也推出了其全新的M3系列芯片。蘋果聲稱其CPU性能核心和效率核心比M1中的核心快30%和50%。
2023-12-18 15:57:09266 各位專家好，我在使用AD2S1210時遇到了激磁輸出EXC只有2.5V左右直流信號的情況，芯片的時鐘輸入8,192MHz正常，供電也正常，請問還有可能是什么問題導(dǎo)致了這個狀況。
2023-12-15 06:05:15
如上圖所示，是3位SAR ADC的簡化電路圖。
采樣階段：當Sc，SIN閉合，S1，S2，S3，S4左閉合接通AIN時，可知，電容陣列充電，電壓為AIN。然后，Sc斷開，而S1，S2，S
2023-12-14 06:23:20
各位，請教：技術(shù)數(shù)據(jù)表格說最高7200，扭矩圖上看S1(60K)約3000，S1(100K)約4800，問題1：S1(60K)和S1(100K)條件如何在訂貨號中體現(xiàn)？問題2：實際應(yīng)用時能夠
2023-12-12 08:21:13
AD2S1205規(guī)格書中寫到 S3-S1為正弦，即S3為正模擬輸入，S1為負模擬輸入，
但是示意圖中如下所示，S3對應(yīng)連接sinlo，S1對應(yīng)連接sin。
請問：旋轉(zhuǎn)變壓器輸出的正弦的正，負與AD2S1205該如何連接？？？
2023-12-12 08:13:39
我使用的是KC705板卡，調(diào)用了里面JESD204B的IP核，使用模式為interpolation值為4,4條鏈路，DAC頻率為2.5GHZ，通道速度為6.25GHZ，出現(xiàn)的問題是：
幀同步過程
2023-12-12 07:28:25
AD9625的評估板電路圖中，時鐘源是輸出在2.5GHz的一款vco，但是VCO的調(diào)諧電壓是怎么供上的?。?？
如圖中紅圈內(nèi)所示，連接器是類似這樣的一排4腳的，那一腳的電源是如何供到2,3腳的吶，疑惑！
2023-12-12 06:10:17
Ad9164采樣率為3.2G，采用x2 NRZ模式，設(shè)置內(nèi)部的Nco輸出頻率為2.5Ghz，fpga產(chǎn)生0-500mhz的基帶信號送給ad9164從而產(chǎn)生2-3GHz范圍的射頻信號。單頻點輸出時會
2023-12-04 07:39:16
AD2S1210的高8位信號一直是0，檢測不到1，請問是為什么呢？我的SOE引腳已經(jīng)接到3.3V了，但沒信號的感覺
2023-12-01 06:15:46
3A6000才只有2.5GHz，Intel、AMD則都已經(jīng)做到了5GHz之上。
這其中有多方面的原因，最主要的一是龍芯更追求單位頻率的效能，二是受制于制造工藝。
如果都設(shè)定在同樣的頻率，龍芯對比Intel
2023-11-29 10:44:17
龍芯3A6000處理器的主頻為2.5GHz，由4個最新研發(fā)的高性能LA664處理器核組成，支持同時多線程技術(shù)，全芯片共8個邏輯核。綜合相關(guān)測試結(jié)果，該處理器的總體性能與英特爾公司2020年上市的第10代酷睿四核處理器相當。
2023-11-28 17:26:24704 提升機的運行時間如下：
(1)上升加速時間7.2s,上升減速時間7.2S,中途運行時間85.8s.
(2)下降加速時間7.2S,上升減速時間7.2S，中途運行時間85.8S
(3)中間的間隔時間是120—150s。
想用S1工作制電機代替，請問需計算什么、需注意什么。
2023-11-17 08:23:39
我想問一下，為什么HMC564的S參數(shù)在芯片手冊和s2p文件仿真得到的結(jié)果相差巨大。
HMC564芯片手冊中
利用ADS導(dǎo)入s2p文件得到
發(fā)現(xiàn)兩者相差巨大，7-14G手冊中S11約為-20dB，而s2p文件得到的僅為-10dB,結(jié)果相差很大。
2023-11-16 06:08:39
高通的Snapdragon X Elite專為運行Windows而設(shè)計，將在筆記本電腦方面與AMD和英特爾競爭。 在今年的驍龍峰會上，高通發(fā)布了其迄今為止最強大的PC處理器。專為運行 Windows
2023-11-14 15:30:56571 我們團隊在使用MCAL之CAN模塊時無法發(fā)送報文的問題，MCAL版本是S32K1XX_MCAL4_2_RTM_1_0_6評估版，使用EB配置CAN模塊的工程如附件文件夾
2023-11-13 08:29:51
一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性CGHV1F025S Package Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN
2023-11-07 15:24:25
CGHV1F025SPackage Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMTDescriptionWolfspeed
2023-11-07 15:05:39
怎樣利用STM8S105S4結(jié)合0.96寸OLED屏幕實時顯示正弦波、方波和三角波的波形？
2023-11-06 06:04:31
2023年8月，龍芯中科推出了龍芯3A6000處理器，這是龍芯第四代微架構(gòu)的首款產(chǎn)品，基于12nm制程工藝制造，集成4個最新研發(fā)的高性能6發(fā)射64位LA664處理器核，核心頻率2.5GHz，支持128位向量處理擴展指令（LSX）和256位高級向量處理擴展指令（LASX）。
2023-10-30 16:47:061394 
#define uchar unsigned char
sbit s1 = P3^2;//鬧鐘開關(guān)
sbit s2 = P3^3;//設(shè)置
sbit s3 = P3^4;//小時鍵
sbit s4
2023-09-27 07:48:49
了 2 MB SPI PSRAM。ESP32-S3-MINI-1 和 ESP32-S3-MINI-1U 均有兩種變型，訂購代碼分別以 -N8 和 -N4R2 結(jié)尾，兩種變型僅 flash 和 PSRAM 型號不同。
2023-09-18 08:48:12
?概述 K58S32 雷達微波模是一款小型化的 5.8GHz 微波感應(yīng)模塊，基于多普勒原理，采用平面天線收發(fā)高頻電磁波。 其對從移動物體返回的電磁波進行放大，經(jīng)微處理器檢測后最終輸出有用的控制電平或
2023-09-14 10:01:47
實用，而且可以方便的校調(diào)，本文推薦使用4COM段式LCD驅(qū)動器CN90C4S40芯片用于家用鬧鐘。 CN90C4S40是一款通用型液晶控制和驅(qū)動單芯片，
2023-09-11 10:04:12
初識小安派-Eyes-S1
前言：本教程針對零基礎(chǔ)人員可以快速上手小安派-Eyes-S1實現(xiàn)一些簡單的應(yīng)用開發(fā)，僅供參考學習，本人也在學習的過程中，感謝大家支持。
小安派S1全套開發(fā)板清單如下
2023-09-08 11:06:32
壓逆變器N1和N2的時鐘信號重疊，從報告突破N2時鐘信號P1可調(diào)。相同的信號但反轉(zhuǎn)位于
N3 的出口處。這兩個開關(guān)分別控制信號S2、S3分別為S1、S4。
此時兩個信號的混合發(fā)生，因為它們允許它們通過
2023-08-31 18:15:58
為避免損壞Musca-S1開發(fā)板，請遵循以下預(yù)防措施：
·切勿將電路板置于高靜電勢下。
處理任何電路板時，請遵守靜電放電(ESD)預(yù)防措施。
·在處理電路板時，一定要佩戴接地帶。
·只拿著板子的邊緣。
·避免接觸組件插針或任何其他金屬元素。
·在Musca-S1開發(fā)板通電時，不要安裝Arduino擴展盾。
2023-08-28 06:42:11
Musca-S1測試芯片展示了單芯片安全物聯(lián)網(wǎng)(IoT)終端的基礎(chǔ)。
該架構(gòu)集成了平臺安全架構(gòu)(PSA)的建議，使用與Musca-A相同的子系統(tǒng)(用于嵌入式的ARM CoreLink SSE-200
2023-08-18 08:04:43
tektronix泰克TDS7254B數(shù)字示波器4通道，2.5GHz泰克TDS7254B是泰克CSA7000B系列示波器，CSA7000B系列除了一些標準功能以外，還具有對串行掩碼測試
2023-08-17 16:20:34
美國Agilent安捷倫DSO9254A數(shù)字示波器 DSO9254A 是 Agilent 的 2.5 GHz、4 通道數(shù)字示波器。測量電子電路或組件中隨時間變化的電壓或電流信號，以顯示振幅、頻率
2023-08-17 11:09:00275 
TTM Technologies 的 X4C55K1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 5 至 6.3 GHz，耦合 5 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入損耗 0.2 dB
2023-08-16 16:48:57
TTM Technologies 的 X4C55K1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 5 至 6.3 GHz，耦合 2 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入損耗
2023-08-16 16:47:08
TTM Technologies 的 X4C55K1-04S 是一款定向耦合器，頻率為 5 至 6.3 GHz，耦合 4 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入損耗
2023-08-16 16:37:44
TTM Technologies 的 X4C45K1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 3.6 至 5.1 GHz，耦合 1.9 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入損耗
2023-08-16 16:22:28
TTM Technologies 的 X4C35K1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 3.1 至 4.2 GHz，耦合 5 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入損耗 0.2
2023-08-16 15:52:42
TTM Technologies 的 X4C35K1-04S 是一款定向耦合器，頻率為 3.1 至 4.2 GHz，耦合 4 dB，耦合變化 ±0.40 dB，平均功率 10 W，插入損耗 0.25
2023-08-16 15:49:44
TTM Technologies 的 X4C35K1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 3.1 至 3.8 GHz，耦合 2 dB，耦合變化 ±0.40 dB，平均功率 10 W，插入損耗 0.25
2023-08-16 15:21:17
TTM Technologies 的 X4C30K1-04S 是一款定向耦合器，頻率為 2.5 至 3.8 GHz，耦合 3.8 dB，耦合變化 ±0.30 dB，平均功率 10 W
2023-08-16 15:18:46
TTM Technologies 的 X4C25K1-04S 是一款定向耦合器，頻率為 2.2 至 2.8 GHz，耦合 3.9 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入損耗
2023-08-16 14:45:08
TTM Technologies 的 X4C20K1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 1.7 至 2.3 GHz，耦合 5 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入損耗 0.3
2023-08-16 14:09:22
TTM Technologies 的 X4C20K1-04S 是一款定向耦合器，頻率為 1.7 至 2.3 GHz，耦合 4.15 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W
2023-08-16 14:05:24
TTM Technologies 的 X4C20K1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 1.7 至 2.3 GHz，耦合為 1.9 dB，耦合變化 ±0.3 dB，平均功率 10 W，插入損耗
2023-08-16 14:01:53
，我們來一起了解一下。 性能表現(xiàn) 首先，我們來看看其性能表現(xiàn)。在處理器方面，A17芯片采用了全新的雙核心設(shè)計，最高主頻為2.5GHz；而A16芯片則是采用了三核心設(shè)計，其中兩個核心為1.49GHz，另一個核心為1.42GHz。就處理器核心數(shù)量和主頻而言，A17芯片明
2023-08-16 11:47:2721720 TTM Technologies 的 X4C60K1-20S 是一款定向耦合器，頻率為 4.4 至 6.5 GHz，耦合 20 dB，耦合變化 ±1 dB，頻率靈敏度 ±0.15 至
2023-08-16 10:28:02
TTM Technologies 的 X4C50F1-30S 是一款定向耦合器，頻率為 3.6 至 5 GHz，耦合 30 dB，耦合變化 ±1.5 dB，方向性 20 dB，平均功率 100 W
2023-08-16 10:15:16
TTM Technologies 的 X4C40K1-20S 是一款定向耦合器，頻率為 3.3 至 5.1 GHz，耦合為 20 dB，耦合變化 ±1 dB，頻率靈敏度為 ±0.3 至 ±0.085
2023-08-16 10:09:42
TTM Technologies 的 X4C30K1-30S 是一款定向耦合器，頻率為 2.2 至 3.3 GHz，耦合 30 dB，耦合變化 ±1.5 dB，方向性 20 dB，平均功率 25 W
2023-08-16 09:22:44
TTM Technologies 的 X4C20K1-30S 是一款定向耦合器，頻率為 1.7 至 2.5 GHz，耦合 30 dB，耦合變化 ±0.6 dB，方向性 20 dB
2023-08-15 17:40:57
TTM Technologies 的 X4C20K1-20S 是一款定向耦合器，頻率為 1.4 至 2.7 GHz，耦合 20 dB，耦合變化 ±1 dB，頻率靈敏度 ±0.2 至
2023-08-15 16:29:32
S2-LP 是高性能超低功耗 RF收發(fā)器，適用于 sub-1 GHz 頻段的 RF 無線應(yīng)用。它能夠在免許可證的 ISM 和SRD 頻帶下（433、512、868 和 920 MHz）運行，但也可以
2023-08-14 11:04:28
TTM Technologies 的 X4C09F1-30S 是一款定向耦合器，頻率為 460 MHz 至 1 GHz，耦合為 30 至 32 dB，耦合變化
2023-08-11 10:01:08
TTM Technologies 的 X4C35K1-03S 是一款 90 度混合耦合器，頻率為 3.1 至 4.2 GHz，平均功率 10 W，插入損耗 0.2 dB，隔離度 23
2023-08-10 16:49:33
TTM Technologies 的 X4C30K1-03S 是一款 90 度混合耦合器，頻率為 2.5 至 3.8 GHz，平均功率 10 W，插入損耗 0.25 dB，隔離度 20 dB，耦合
2023-08-10 16:39:33
12.7 - 18 GHz、1W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA1D1J001S 是一款 1W 封裝 MMIC HPA，采用 Wolfspeed 的高性能 0.15um
2023-08-08 10:59:30
12.7 - 18 GHz、1W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA1D1J001S 是一款 1W 封裝 MMIC HPA，采用 Wolfspeed 的高性能 0.15um
2023-08-08 10:57:36
詳情介紹：TektronixDPO7254數(shù)字熒光示波器2.5GHZ回收銷售租賃維修主要特點和優(yōu)點·2.5GHz帶寬·在4條通道上實現(xiàn)10GS/s的實時采樣率·高達400M樣點的記錄長度，支持
2023-06-30 16:28:38
snapdragon 4是第一個以4納米工藝開發(fā)的處理器。高通產(chǎn)品管理負責人matthew lopatka表示，snapdragon 4芯片使用kryo cpu，延長了電池壽命，提高了整體效率，最多
2023-06-29 09:34:29901 景：基站。此放大器在3.3V到5V的單一電源，68mA偏置設(shè)置中，2.5GHz通常提供22 dB增益，+37dBm OIP3和0.5dB噪聲系數(shù)。CBG9092采用RoHS綠色環(huán)保標準的2x2mm封裝
2023-06-25 11:11:44
觸摸按鍵上人手的觸摸動作。
該芯片具有較 高的集成度，僅需極少的外部組件便可實現(xiàn)觸摸按鍵的檢測。
提供了4路直接輸出功能。芯片內(nèi)部采用特殊的集成電路，具有高電源電壓抑制比，可 減少按鍵檢測錯誤的發(fā)生
2023-06-21 10:58:02
AD8361是一款均方根（rms）響應(yīng)真功率檢波器模擬IC，適用于高頻接收器和發(fā)射器信號鏈。計算包含高達2.5 GHz頻率的簡單和復(fù)雜波形的均方根值，它對于測量高波峰因數(shù)（峰均方根比）信號的均方根
2023-06-17 15:08:53424 
我有一個非常簡單的問題，已經(jīng)讓我困惑了很久，
誰能回復(fù)我？
MIFARE Class EV1 1K 也叫S50 嗎？
MIFARE Class EV1 4K 也叫 S70 嗎？
如果不是
2023-06-05 11:55:18
= 1;
speed3_flag = 1;
speed4_flag = 1;
speed0_flag = 1;
}
if (digitalRead(s1) == LOW &
2023-06-05 08:13:53
我正在為我的項目使用 S32 Design Studio for ARM Version 2018.R1。我選擇 s32k146 作為我的目標。
我的發(fā)布配置如下
我的測試代碼如下
2023-05-31 08:15:53
S32DS (Design Studio) 中的 S32K1xx 開發(fā)包是什么。
什么是 S32K1 實時驅(qū)動程序。
區(qū)別和應(yīng)該安裝哪個還是都安裝？
2023-05-24 10:39:16
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
Anritsu S331L Sitemaster，電纜和天線分析儀，2 MHz 至 4 GHz
2 MHz 至 4 GHz 手持式電纜與天線分析儀，可抗撞擊、防塵和防水
使用電池可連續(xù)工作超過 8
2023-05-11 15:52:37
有人可以解釋一下 s32k1 sdk 和 s32k1 rtd 之間的區(qū)別/聯(lián)系嗎？
2023-04-23 11:10:43
大家好
關(guān)于S32K1偏壓環(huán)境溫度說明，是不是芯片外殼溫度
2023-04-23 06:21:52
MAGE-102425-300S00GaN 放大器 50 V，300 W，2.4 - 2.5GHzMAGE-102425-300S00 是一款 GaN HEMT D 型放大器，專為射頻能量應(yīng)用而設(shè)
2023-04-14 18:05:54
我正在使用 S32KDS 來配置 S32K144 的時鐘。 當 SOSC 范圍選擇為中等時，我嘗試將 SOSC 頻率設(shè)置為4 MHz。但是存在錯誤（如圖所示）。它說“輸出頻率必須在范圍內(nèi)：8 MHz
2023-04-14 06:41:45
板。我附上了一些最近數(shù)據(jù)的圖片。傳感器埋在地下，S0 的深度約為 1 m，S4 幾乎沒有被土壤覆蓋。S1 到 S3 位于兩者之間的深度。為了進行測量，傳感器通過晶體管供電，晶體管隨后斷電。我發(fā)現(xiàn)
2023-04-12 08:39:48
我正在嘗試將我的第一個固件刷寫到我的 ESP32 S2 FH4 芯片上，但我無法連接到該芯片。我已經(jīng)嘗試通過 USB、CP2102 和 usb 轉(zhuǎn) ttl，但它們都無法連接到芯片。我在 Wemos
2023-04-12 06:36:13
S32K1 或 S32K3 是否支持 IEC60730？
2023-04-03 08:38:08
CJ2301 S1
2023-03-28 18:08:31
親愛的，實際上，我的項目需要 S32KNHT1MPBST，但現(xiàn)在我手頭只有 S32KEHT1MPBST，所以在這里我想知道它們之間是否存在硬件級別差異？或者區(qū)別僅在于它們中的 IP，我可以用 S32KEHT1MPBST 完全替換 S32KNHT1MPBST？
2023-03-28 06:02:41
啟動板，我的PuTTY打印了如下信息：注意：重置狀態(tài)：開機重置注意：BL2：v2.5（發(fā)布）：bsp33.0_rc9-2.5-dirty注意：BL2：內(nèi)置：2022 年 6 月 15 日 14:01:09錯誤：未找到內(nèi)存節(jié)點錯誤： BL2：后圖像加載處理失敗 (-11)
2023-03-27 07:16:08
我正在嘗試在 NXP S32 上運行管理程序。（基于 L4Re 微內(nèi)核的管理程序）我已經(jīng)構(gòu)建了 Arm Trusted 固件并使用了 uboot。電路板正確啟動： 注意：S32G TF-A
2023-03-23 09:11:59
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
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