近日,群聯(lián)電子宣布推出全新的全系列UFS芯片(PS8325、PS8327、PS8329、PS8361),旨在為手機(jī)廠商提供從入門級(jí)到旗艦款的全方位解決方案,打造極致的行動(dòng)儲(chǔ)存效能。
2024-01-31 17:19:37483 0x6002387C 的內(nèi)存內(nèi)容是 " 0x00000002、0x00000000、..."
2) 在執(zhí)行 " ld.w 之后 d15,a [14
2024-01-26 07:35:19
今日,禾賽科技在智能駕駛領(lǐng)域再創(chuàng)輝煌,正式推出了業(yè)界翹首以盼的“性能王牌”——AT512激光雷達(dá)。作為禾賽AT系列的巔峰之作,AT512不僅代表了禾賽在激光雷達(dá)技術(shù)上的突破性進(jìn)展,更是智能駕駛領(lǐng)域的一大里程碑。
2024-01-09 14:32:37294 喜訊!
繼華秋榮獲2023中國產(chǎn)業(yè)數(shù)字化百強(qiáng)榜企業(yè)
2023深圳行業(yè)領(lǐng)袖企業(yè)100強(qiáng)后
華秋再次榮獲億邦動(dòng)力2023產(chǎn)業(yè)互****聯(lián)網(wǎng)“千峰獎(jiǎng)·數(shù)字供應(yīng)鏈
12月1日晚,在2023億邦產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)
2023-12-15 09:57:04
喜訊!
繼華秋榮獲2023中國產(chǎn)業(yè)數(shù)字化百強(qiáng)榜企業(yè)
2023深圳行業(yè)領(lǐng)袖企業(yè)100強(qiáng)后
華秋再次榮獲億邦動(dòng)力2023產(chǎn)業(yè)互****聯(lián)網(wǎng)“千峰獎(jiǎng)·數(shù)字供應(yīng)鏈
12月1日晚,在2023億邦產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)
2023-12-15 09:53:36
2024年高端手機(jī)相機(jī)規(guī)格升級(jí)。預(yù)計(jì)華為將在2024年上半年推出新款旗艦P70系列,包括P70、P70 Pro、P70 Art三款機(jī)型。索尼IMX989傳感器具有卓越的感光性能和成像質(zhì)量,是當(dāng)前手機(jī)相機(jī)傳感器中的佼佼者。郭明錤認(rèn)為,華為重返高端手機(jī)市場,將顯著推動(dòng)高端手機(jī)光學(xué)升級(jí)周期
2023-12-11 16:23:46542 科技、湖北工業(yè)大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué)、矽遞科技等相關(guān)領(lǐng)域?qū)<?,以及國?nèi)外近100位開源達(dá)人/工程師/高校師生聚集一堂,探討KiCad的學(xué)習(xí)經(jīng)驗(yàn)和分享心得。
華秋所搭建的信息化與自動(dòng)化融合的電子產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)字化制造
2023-11-17 14:11:51
11月8日,明微電子官微宣布推出多功能DMX512協(xié)議轉(zhuǎn)碼控制芯片--SM18500P。
2023-11-08 14:06:13467 一、主題背景介紹
工信部、財(cái)政部近日聯(lián)合印發(fā)《電子信息制造業(yè)2023—2024年穩(wěn)增長行動(dòng)方案》(簡稱《方案》),提出2023-2024年,計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)增加值平均增速5%左右
2023-10-27 11:15:03
一、主題背景介紹
工信部、財(cái)政部近日聯(lián)合印發(fā)《電子信息制造業(yè)2023—2024年穩(wěn)增長行動(dòng)方案》(簡稱《方案》),提出2023-2024年,計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)增加值平均增速5%左右
2023-10-27 11:12:41
、512Mbit Octo-SPI Nor閃存、CAN FD、帶DFSDM接口的20針麥克風(fēng)MEMS接口、帶電容觸摸屏的4.3英寸RGB TFT-LCD顯示器。
ARDUINO?UNO V3兼容連接器、PMOD
2023-09-08 07:33:50
Mbit八進(jìn)制SPI閃存、64 Mbit八進(jìn)位SPI PSRAM、256 Kbit I2C
EEPROM
?USB FS、接收器和源電源,2.5 W電源能力
?MXCHIP的802.11 b/g/n兼容
2023-09-08 06:49:45
公司簡介
深圳華大北斗科技股份有限公司(簡稱“華大北斗”),脫胎于世界500強(qiáng)企業(yè)中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司(CEC)旗下導(dǎo)航芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),于2016年12月6日由中電光谷、上海汽車集團(tuán)、北京
2023-08-30 14:36:29
回路參考設(shè)計(jì),要求電流回路越短越好,走線盡可能粗。C1、C2放置在 電流回路輸入端。
CH246D+MOS雙線圈單充拓展方案
此外,沁恒微還有更多基于CH32的電機(jī)控制方案運(yùn)用
沁恒微電子推出
2023-08-18 10:42:32
”??v觀華秋十余載的發(fā)展,從最初的工程師社區(qū)到一站式電子供應(yīng)鏈服務(wù),華秋秉承初心,幫助工程師解決研發(fā)設(shè)計(jì)初期不被重視、價(jià)格高、交期慢等問題,也以實(shí)際行動(dòng)變革“信息不透明、品質(zhì)參差不齊、物料采購周期長、交期
2023-07-31 11:48:08
這些字段,不需要開發(fā)者自行去填充。本文使用hpm6200evk開發(fā)板,flash器件是華邦的W25Q64JV。使用hpm_sdk進(jìn)行開發(fā)。
SPI四線模式,統(tǒng)稱也就QSPI。
本文是作者在使用先楫
2023-06-28 20:01:33
: PGL22G-MBG324),掛載16bit數(shù)據(jù)位寬的DDR3(總?cè)萘扛哌_(dá)512Mbit),系統(tǒng)存儲(chǔ)帶寬高達(dá)800Mb/s,充分滿足高速數(shù)據(jù)緩存處理需求;外圍接口豐富,不僅適用于教學(xué),還可以用于項(xiàng)目開發(fā),一板多用,滿足多方位開發(fā)需求~~
2023-06-28 10:46:17
,所以,用什么工具調(diào)式下載啊,引腳怎么連?
2,注冊新唐官網(wǎng)會(huì)員,chrome登錄沒反應(yīng),edge跟IE都說需要新應(yīng)用,請問大神怎么登錄新唐官網(wǎng)?
3,要是有大神給一份W78E054D系列的中文手冊,感激不盡
2023-06-14 08:32:21
16bit數(shù)據(jù)位寬的DDR3(總?cè)萘扛哌_(dá)512Mbit),系統(tǒng)存儲(chǔ)帶寬高達(dá)800Mb/s,充分滿足高速數(shù)據(jù)緩存處理需求;外圍接口豐富。
2023-06-12 17:38:43
:電子發(fā)燒友網(wǎng)
↓
圣邦股份表示,“2022年電源管理芯片業(yè)務(wù)收入快速增長得益于公司持續(xù)推出有競爭力的新產(chǎn)品,不斷拓展客戶以及持續(xù)的市場需求等多方面因素驅(qū)動(dòng)?!?經(jīng)過多年的研發(fā)投入和技術(shù)積累,在高性能
2023-06-02 14:13:38
你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存?
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash:W25X40CLSNIG(華邦)
2023-06-01 09:03:36
HPM6750IVM1是否可以支持華邦的SDRAM W9825G2JB?
如果支持,是否需要修改軟件?
2023-05-26 06:00:44
自華秋DFM可制造性和組裝性分析軟件上線以來,已為眾多硬件工程師、PCB工程師、CAM工程師、電子愛好者、PCBA采購、SMT工廠等眾多行業(yè)用戶,解決了各種PCB設(shè)計(jì)隱患和規(guī)避各類生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)等問題,并
2023-05-22 14:26:28
,方向性 15 至 20 dB,平均功率 80 W,插入損耗 0.17 至 0.64 dB。標(biāo)簽:帶連接器的模塊。C17-0R512 的更多細(xì)節(jié)可以在下面看到。產(chǎn)品
2023-05-11 17:11:58
WT588E系列語音芯片是唯創(chuàng)知音推出的一款可在線升級(jí)語音和內(nèi)存共享的語音芯片,可重復(fù)擦寫的Flash特性為工程師設(shè)計(jì)時(shí)提供了一定的內(nèi)存拓展的能力,語音芯片內(nèi)部存儲(chǔ)可達(dá)2Mbit(WT588E02)和8Mbit(WT588E08),在語音空間外還有剩余的情況下可以完全開放給客戶進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2023-05-06 18:17:55286 的 MT53D512M32D2-053 生成的lpddr4_timing.c是否可以用于具有較高時(shí)鐘速率/數(shù)據(jù)速率的MT53D512M32D2-046而無需重新校準(zhǔn)和壓力測試
2023-04-28 07:42:53
如果將閃存芯片W25Q40(4Mbit)換成W25Q64(64Mbit),模塊是否能正常工作?而且,最有趣的是,是否支持在 NodeMcu 中處理文件?
PS
如何確定可用于錄制文件的閃存容量?
2023-04-28 07:33:59
HC89F04X1A系列是芯圣電子推出的Flash通用型單片機(jī),內(nèi)置增強(qiáng)型8051內(nèi)核,擁有16K的Flash內(nèi)存以及1K的RAM。
2023-04-20 12:52:46539 請給我指出 RT1176 支持的 QSPI 閃存設(shè)備列表?比如是否支持華邦#W25Q32JV器件?
2023-04-20 08:03:06
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-04-06 17:27:30
IC FLASH 512MBIT 48WSOP
2023-04-06 17:27:30
IC FLASH 512MBIT 48TSOP
2023-04-06 17:27:30
IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA
2023-04-06 16:02:56
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 64LFBGA
2023-04-06 16:00:37
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 64LFBGA
2023-04-06 15:59:59
IC FLASH 512MBIT SPI 16SOIC
2023-04-06 15:55:44
IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
2023-04-06 15:55:30
IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
2023-04-06 15:55:30
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA
2023-04-06 15:52:22
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
2023-04-06 15:31:05
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
2023-04-06 15:31:05
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
2023-04-04 20:25:09
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-04-04 20:24:11
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
2023-04-04 20:24:11
平臺(tái),深圳華秋電子有限公司(簡稱華秋電子)近期積極參與了兩場活動(dòng)——電子發(fā)燒友網(wǎng)BLDC先進(jìn)技術(shù)研討會(huì)及龍崗區(qū)首屆電子產(chǎn)業(yè)鏈資源對接會(huì)。一、BLDC先進(jìn)技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)場隨著永磁新材料、微電子技術(shù)、自動(dòng)控制
2023-03-31 13:48:19
大家好, 我們計(jì)劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少? 根據(jù)手冊,它表示支持每個(gè)區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
平臺(tái),深圳華秋電子有限公司(簡稱華秋電子)近期積極參與了兩場活動(dòng)——電子發(fā)燒友網(wǎng)BLDC先進(jìn)技術(shù)研討會(huì)及龍崗區(qū)首屆電子產(chǎn)業(yè)鏈資源對接會(huì)。一、BLDC先進(jìn)技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)場隨著永磁新材料、微電子技術(shù)、自動(dòng)控制
2023-03-30 18:21:14
窄帶內(nèi)存FRAM 512K(64 K×8)位SPI
2023-03-29 20:47:00
2合1熱風(fēng)烙鐵焊臺(tái)SS-989H
2023-03-28 12:58:53
IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
2023-03-27 13:51:59
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
2023-03-27 13:45:16
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
2023-03-27 13:44:50
BLF989E/SOT539/TRAY
2023-03-27 13:42:04
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
2023-03-27 13:41:49
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA
2023-03-27 13:41:49
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
2023-03-27 13:39:00
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP
2023-03-27 13:38:39
IC FLASH 512MBIT SPI 16SOIC
2023-03-27 13:38:37
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
2023-03-27 13:38:25
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
2023-03-27 13:38:25
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
2023-03-27 13:38:16
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
2023-03-27 13:38:16
IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
2023-03-27 13:37:39
IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
2023-03-27 13:37:38
IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
2023-03-27 13:37:37
IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
2023-03-27 13:37:36
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
2023-03-27 13:19:57
IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
2023-03-27 13:19:04
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
2023-03-27 13:00:20
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
2023-03-27 12:47:15
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
2023-03-25 04:13:00
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
2023-03-25 04:13:00
IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
2023-03-25 03:54:57
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
2023-03-25 03:37:18
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
2023-03-23 13:08:50
IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
2023-03-23 13:08:43
IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
2023-03-23 13:08:43
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
2023-03-23 13:07:54
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
2023-03-23 13:06:51
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
2023-03-23 13:04:29
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-03-23 13:04:29
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-03-23 13:04:29
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-03-23 13:03:38
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
2023-03-23 13:03:38
IC FLASH 512MBIT 4KB 56TSOP
2023-03-23 07:47:11
IC FLASH 512MBIT 4KB 56TSOP
2023-03-23 07:47:11
IC FLASH 512MBIT 4KB 64LFBGA
2023-03-23 07:47:06
IC FLASH 512MBIT 4KB 64LFBGA
2023-03-23 07:47:06
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
2023-03-23 07:45:59
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
2023-03-23 07:45:59
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-03-23 07:45:24
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
2023-03-23 07:45:24
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
2023-03-23 07:45:20
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
2023-03-23 07:45:20
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
2023-03-23 07:44:58
IC FLASH 512MBIT VFBGA
2023-03-23 07:44:49
IC FLASH 512MBIT VFBGA
2023-03-23 07:44:48
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