電壓不對(duì)稱，相損，相序 160 ~ 690VAC
2024-03-14 23:00:07
G473使用TIM1非對(duì)稱模式做移相，用TIM8Combined PWM模式做對(duì)角的移相與門(mén)輸出，為啥占空比對(duì)了時(shí)序不對(duì)？
2024-03-14 07:49:55
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:02
93 此外，黃仁勛還強(qiáng)調(diào)指出，擴(kuò)大直接部屬規(guī)模有助于破除由信息不對(duì)稱導(dǎo)致的不公現(xiàn)象。與此觀點(diǎn)相對(duì)比，他認(rèn)為，CEO直接對(duì)接的人員越多，員工在公司的地位便越不受其掌握核心信息能力所限。
2024-03-11 11:06:08190 RDS(ON) 達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，提高功率密度、能效和熱性能
2024-03-08 09:12:15144 
各位大俠，半橋llc輕載時(shí)（10%載以下）諧振電流不對(duì)稱，下管驅(qū)動(dòng)與Vds如下。是發(fā)生倒灌了嗎？
2024-02-19 14:32:30
產(chǎn)品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管
2024-01-30 15:18:04
產(chǎn)品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-27 16:48:34
產(chǎn)品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-26 16:31:23
產(chǎn)品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-26 16:19:08
的不對(duì)稱流動(dòng)、電壓的不對(duì)稱分配以及過(guò)電壓的產(chǎn)生等。具體問(wèn)題包括： - 電流的不對(duì)稱流動(dòng)：由于電力系統(tǒng)中負(fù)載的不對(duì)稱，電流在變壓器的三相繞組中分布不均勻，中性點(diǎn)電流會(huì)導(dǎo)致變壓器絕緣損壞或過(guò)載。 - 電壓的不對(duì)稱分配：三相負(fù)載的不
2024-01-26 16:06:48531 , 0, 0) 例程時(shí)，我的零序列運(yùn)行 880nS，這太慢了。 正在尋找 400 納秒或更少。
另外，當(dāng)我運(yùn)行 ws2812_SendPixel（255、255、255）時(shí)，我的代碼似乎運(yùn)行正常，但發(fā)出的數(shù)據(jù)并不對(duì)稱，最后 3 位與前 4 位不同。
2024-01-23 08:34:51
！
發(fā)現(xiàn)之前測(cè)量的0.003和0.026是個(gè)別現(xiàn)象，今天又用萬(wàn)用表測(cè)量了3路，比較一致，但是還是不對(duì)稱。懷疑0.003那只互感器后端焊接或物料問(wèn)題，重新?lián)Q了物料并焊接后，4只互感器后端的輸出電壓已經(jīng)
2023-12-27 07:01:46
AD5290的datasheet中有寫(xiě)其供電電壓范圍：+20 V to +30 V single-supply operation 或者±10 V to ±15 V dual-supply operation，對(duì)于雙電源供電，我的應(yīng)用是正電源是12V，負(fù)電源是-3V。這樣的非對(duì)稱電源供電是否可以？
2023-12-15 08:19:27
MOSFET - 陣列 12V 20A（Tc），60A（Tc） 27W（Tc），48W（Tc） 表面貼裝型 PowerPAK? SO-8 雙通道不對(duì)稱
2023-12-14 00:41:06
AD5363的參考電壓VREF范圍具體是多少，芯片手冊(cè)上有個(gè)VREF range為2-5V，我想問(wèn)能否小于2V，此外VDD和VSS不對(duì)稱可以么？
2023-12-12 06:22:44
電流的幅度不對(duì)稱時(shí)，那么DSP采樣正、負(fù)半周電流值得到的數(shù)字量也是高、低相差很大的，這就導(dǎo)致DSP控制交流輸出電壓的正、負(fù)半周的幅度也不對(duì)稱，以致交流輸出電流的直流分量增大，再且，直流分量的增大，也會(huì)使
2023-11-23 07:24:40
共模干擾：一般指在兩根信號(hào)線上產(chǎn)生的幅度相等，相位相同的噪聲。
2023-11-21 10:54:09187 ADA4661不對(duì)稱雙電源供電，對(duì)運(yùn)放有什么影響？對(duì)輸出信號(hào)有什么影響？正電源 5V，負(fù)電源-3V。
2023-11-20 08:13:53
高低溫試驗(yàn)箱的結(jié)構(gòu)在很大程度上影響工作中間溫度均勻，由于結(jié)構(gòu)難于完全對(duì)稱，從而對(duì)溫度均勻性造成不利影響。大門(mén)在前，空調(diào)箱在后部，上送風(fēng)下回風(fēng)。顯然這種結(jié)構(gòu)左右對(duì)稱性好，可以較易達(dá)到左、右溫度均勻，但結(jié)構(gòu)上、下不對(duì)稱，前后也完全不同，對(duì)工作空間溫度產(chǎn)生了不均勻影響
2023-11-17 14:27:37164 
我采用AD8253做一款放大電路，輸入信號(hào)均為mv級(jí)，輸出在0-5V范圍內(nèi)，由于電源設(shè)計(jì)原因?qū)е抡?fù)雙電源不對(duì)稱，如正電源為﹢8v，負(fù)電源為-6.5v，想咨詢一下，這種不對(duì)稱供電是否對(duì)信號(hào)有影響。另外，不對(duì)稱的供電方式是否對(duì)輸入信號(hào)的或者輸出信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)直流偏量。
2023-11-17 07:30:33
單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)微調(diào)電容不對(duì)稱會(huì)怎樣？相差多少會(huì)使頻率怎樣變化？我在檢測(cè)無(wú)線鼠標(biāo)的接受模塊時(shí)，發(fā)現(xiàn)其頻率總是慢慢變化（就是一直不松探頭的手,發(fā)現(xiàn)頻率慢慢變小）晶振是新的！
2023-11-15 15:54:47399 MOSFET - 陣列 100V 7.1A（Ta），19.5A（Tc），6.9A（Ta），19.1A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面貼裝型 8-PowerPair?（3.3x3.3）
2023-11-01 14:35:12
前面兩期分別講了單相繞組和多相繞組產(chǎn)生的磁勢(shì)，在前面兩期的分析中，都是在繞組中通以對(duì)稱正弦交流電流的前提下進(jìn)行分析的。實(shí)際在電機(jī)運(yùn)行時(shí)，經(jīng)常會(huì)遇到三相電流不平衡、電流的波形不是完美的正弦波的情況。本期專(zhuān)門(mén)講一下在三相電流不對(duì)稱和電流波形不是正弦波時(shí)，繞組產(chǎn)生的磁勢(shì)。
2023-10-26 15:13:26908 
一、在三相電路中，由于負(fù)載的不平衡，往往會(huì)使電路中的電壓、電流不對(duì)稱。要對(duì)這種不對(duì)稱電壓或電流進(jìn)行分析，可以把它們分解成三組分量：正序分量、負(fù)序分量、零序分量。設(shè)電源的相序?yàn)锳BC
2023-09-24 16:14:464477 產(chǎn)品概述：DK8715AD是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK8715AD利用漏感能量，可以實(shí)現(xiàn)原邊功率管ZVS，副邊整流管ZCS，回收漏感能量，從而
2023-09-21 09:58:211222 
，反映負(fù)載的電流；電壓線圈與負(fù)載并聯(lián)，反映負(fù)載的電壓。 一、功率表的使用 1、 只要三相電路是對(duì)稱的，不論是三線制還是四線制，都可以用一塊功率表來(lái)測(cè)量三相有功功率。 2、 當(dāng)三相負(fù)載不對(duì)稱時(shí)，在三相三線制電路中，通
2023-09-19 09:39:501639 張興柱-不對(duì)稱半橋變換器中的高頻變壓器設(shè)計(jì)公式
2023-09-19 07:57:12
以應(yīng)用于數(shù)?；旌闲盘?hào)芯片中的運(yùn)算放大器為對(duì)象，完成芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證的全流程，包括運(yùn)算放大器的電路和版圖設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)階段的前仿和后仿驗(yàn)證、以及對(duì)PDK的驗(yàn)證全流程實(shí)驗(yàn)。
2023-09-18 14:26:28526 
切割器、醫(yī)療超聲波設(shè)備等方面。 1、壓電陶瓷的基本概念 壓電陶瓷是指在特定方向上施加力或電場(chǎng)時(shí)，具有產(chǎn)生電荷或產(chǎn)生形變的特性的陶瓷材料。壓電陶瓷的特性是由于其晶體結(jié)構(gòu)的不對(duì)稱性所引起的。 2、壓電陶瓷的特性 （
2023-09-15 11:36:27398 
在扇出型晶圓級(jí)封裝（fowlp） 華海誠(chéng)科的FOWLP封裝是21世紀(jì)前十年，他不對(duì)稱的封裝形式提出環(huán)氧塑封料的翹曲控制等的新要求環(huán)氧塑封料更加殘酷的可靠性要求，經(jīng)過(guò)審查后也吐不出星星，芯片電性能維持良好。
2023-09-13 11:49:37753 ，即故意失配的不對(duì)稱結(jié)構(gòu)。與常規(guī)的對(duì)稱結(jié)構(gòu)相比，節(jié)省了大約20%的版圖面積以及10%的靜態(tài)功耗。
5.作品介紹
5.1 不對(duì)稱結(jié)構(gòu)
如上圖，為運(yùn)算放大器的主體部分結(jié)構(gòu)。 輸出側(cè)采用較大尺寸MOS，非
2023-09-01 13:42:42
SM712的內(nèi)部結(jié)構(gòu)為雙向的不對(duì)稱結(jié)構(gòu)，特別為RS485研發(fā)的收發(fā)電平為7V和12V的保護(hù)器件，可以滿足IC 在15KV的空氣放電不損壞。
2023-08-31 15:10:53542 
微型電路的TCML-1-19X+是頻率為800兆赫至1.9千兆赫的不對(duì)稱,插入損耗0.13至1.22分貝,電流30毫安,功率0.25瓦,返回?fù)p耗5.94至20.13分貝。
2023-08-22 11:38:31
驍龍820和天璣700哪個(gè)好 驍龍820和天璣700是兩種相對(duì)較新的芯片，它們都被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備中。然而，它們的性能、功能、成本和應(yīng)用范圍有很大的不同。在本文中，我們將比較這兩種
2023-08-17 11:45:401953 2023-08-15 15:45:27
1 多層板在設(shè)計(jì)的時(shí)候，各層應(yīng)保持對(duì)稱，而且是偶數(shù)銅層，若不對(duì)稱，容易造成扭曲。多層板布線是按電路功能進(jìn)行，在外層布線時(shí)，要求在焊接面多布線，元器件面少布線，有利于印制板的維修和排故。
2023-08-09 09:22:25404 
頻段的多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。特征包括輸入和輸出匹配；高增益和耐熱增強(qiáng)型塑料包覆成型封裝，帶無(wú)耳法蘭。 特征寬帶內(nèi)部輸入輸出匹配不對(duì)稱多
2023-08-02 17:46:59
遷移率晶體管 (HEMT)，設(shè)計(jì)用于 n78 頻段蜂窩放大器應(yīng)用。 特征碳化硅基氮化鎵 HEMT 技術(shù)不對(duì)稱多爾蒂設(shè)計(jì)P輸出（平均）：47.5
2023-08-02 17:33:15
高功率 RF LDMOS FET 430 W；28V；2110 – 2170 兆赫PXAD214218FV 是一款 430 瓦 (P3dB) LDMOS FET，采用不對(duì)稱設(shè)計(jì)，適用于 2110 至
2023-08-02 17:31:16
高功率 RF LDMOS FET 420 W；28V；1805 – 1880 兆赫PXAD184218FV 是一款 420 瓦 (P3dB) LDMOS FET，采用不對(duì)稱
2023-08-02 17:27:02
高功率 RF LDMOS FET 50 W；28V；2300 – 2400 兆赫PTAC240502FC 是一款 47 瓦 LDMOS FET，采用不對(duì)稱設(shè)計(jì)，適用于 2300 至 2400 MHz
2023-08-02 13:59:46
高功率 RF LDMOS FET 55 W；28V；1805 – 2170 兆赫 PXAC210552FC 是一款采用不對(duì)稱設(shè)計(jì)的 55 瓦 LDMOS FET，適用于 1805 至
2023-08-02 13:44:08
這是一種常用的音頻功率放大器，由于該電路采用不對(duì)稱電源工作，因此可用作汽車(chē)低音炮放大器。 24V 鉛酸電池（汽車(chē)蓄電池）非常適合這款低音炮放大器。
2023-08-01 17:10:34558 
前言：下圖是不對(duì)稱諧振半橋變換器的電路圖和工作波形，由于輸出側(cè)僅在開(kāi)關(guān)管關(guān)閉后才由諧振電感和電容諧振放電釋放能量到輸出，因此輸出功率被變壓器繞組的損耗、變壓器體積，輸出整流二極管的電流應(yīng)力所限
2023-06-23 09:57:00492 
容易使用。通過(guò)簡(jiǎn)單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡(jiǎn)單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《迷你700mW功率放大器.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-08 10:59:250 ，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風(fēng)筒專(zhuān)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片其浮動(dòng)通道可
用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達(dá) 700V。高速風(fēng)筒專(zhuān)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作
2023-05-10 10:05:20
推薦一款雙功率橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，帶有精確的電流監(jiān)控，電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率橋芯片電流控制復(fù)雜的問(wèn)題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
小功率反激變換器目前主要是ACF應(yīng)用的多，但是最近又有一種新穎的拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">不對(duì)稱半橋諧振反激開(kāi)始展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。
2023-05-02 15:19:002956 
不對(duì)稱諧振半橋反激變換器（AHB）應(yīng)用在隔離型的直流轉(zhuǎn)直流領(lǐng)域，通過(guò)占空比調(diào)整半橋開(kāi)關(guān)的高端開(kāi)關(guān)的占空比實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的控制，通過(guò)使用占空比調(diào)節(jié)方法，所以比較適合在寬輸入輸出范圍工作
2023-05-02 11:41:00841 
繞組解決方案可以顯著提高了高輸入電壓下的性能，但具有額外的設(shè)備、繞組和控制電路。不對(duì)稱繞組解決方案提供更簡(jiǎn)單的解決方案，但只能應(yīng)用于不對(duì)稱半橋拓?fù)洹６宜肓似渌麊?wèn)題，如輸出電流不連續(xù)和不平衡強(qiáng)調(diào)為了趕上并領(lǐng)先于
2023-04-27 09:19:332 本文研究tn系統(tǒng)常見(jiàn)故障及防范措施，主要分析：（1）當(dāng)三相設(shè)備發(fā)生單相碰殼故障時(shí)，pen線因某種原因斷開(kāi)或設(shè)備外殼接零線斷裂、虛接、未接時(shí)主要故障及采取的防范措施（2）三相負(fù)荷不對(duì)稱，pen線
2023-04-26 16:54:16
運(yùn)放的失調(diào)電壓是指，在理想條件下運(yùn)放兩個(gè)輸入端的電壓應(yīng)該相等，但實(shí)際上會(huì)存在一定的差異。這個(gè)差異產(chǎn)生的原因是運(yùn)放內(nèi)部元器件的不對(duì)稱性、制造工藝等因素。
2023-04-26 16:31:058304 
NNCD18DT 至 NNCD36DT 數(shù)據(jù)表
2023-04-21 19:53:180 %。 非對(duì)稱故障 該故障產(chǎn)生不對(duì)稱電流，即電力系統(tǒng)三相中大小和相位不同的電流稱為不對(duì)稱故障。它也被定義為涉及一個(gè)或兩個(gè)相位的故障，例如L-G，L-L，L-L-G故障。不對(duì)稱使系統(tǒng)不平衡。它主要分為
2023-04-19 17:46:20
那里，因?yàn)樵撁荑€可用于生成虛假消息并使整個(gè)系統(tǒng)無(wú)用。理想情況下，加密是不對(duì)稱的，公鑰在區(qū)塊鏈上。有誰(shuí)知道這個(gè)問(wèn)題的解決方案？
2023-04-14 06:21:54
共模電感的兩邊感量不對(duì)稱，有一邊匝數(shù)少一匝也可引起傳導(dǎo)150kHz-3MHz超標(biāo)。 11、一般傳導(dǎo)的產(chǎn)生有兩個(gè)主要的點(diǎn)：200kHz和20MHz左右，這幾個(gè)點(diǎn)也體現(xiàn)了電路的性能;200kHz左右主要是漏感產(chǎn)生的尖刺。
2023-04-04 09:31:542727 SIZ240DT-T1-GE3
2023-03-29 22:41:26
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:09:14
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
2023-03-29 15:09:12
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
2023-03-29 15:09:07
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:08:19
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:08:09
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:56
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:15
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:14
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:10
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:07:09
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
2023-03-29 15:07:09
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
2023-03-29 15:07:04
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
2023-03-29 15:06:11
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
2023-03-29 14:30:13
雙不對(duì)稱N溝道AlphaMOS VDS=30V ID1=16A ID2=18A DFN8A_3X3MM_EP
2023-03-28 18:20:07
SIZ254DT-T1-GE3
2023-03-28 13:12:50
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:53:45
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
2023-03-27 13:53:39
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:53:31
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
2023-03-27 13:53:28
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:51:29
MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
2023-03-27 13:51:06
MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
2023-03-27 13:51:01
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
2023-03-27 13:51:01
X-Ray檢測(cè)儀是一種利用X射線技術(shù)，可以快速準(zhǔn)確檢測(cè)出電子元件、線路板上的毛刺、不對(duì)稱、漏定義等問(wèn)題的設(shè)備，它的應(yīng)用在IC芯片檢測(cè)中就表現(xiàn)出色，可以準(zhǔn)確檢測(cè)出IC芯片上的毛刺、斷路、不對(duì)稱、短路
2023-03-23 10:51:38789 三相不對(duì)稱負(fù)載星型連接有無(wú)中心線對(duì)電路工作是否有影響？若有影響是什么影響？
2023-03-23 09:55:20
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