電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用雙隨機(jī)展頻技術(shù)的LM5157 2.2MHz 寬VIN 50V升壓/SEPIC/反激式轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 09:34:52
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有1.8V邏輯電平的汽車類50V、低RON、1:1 (SPST)、 4通道精密開關(guān)TMUX7612-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:05:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有1.8V邏輯電平的50V、低RON、1:1 (SPST)、4通道精密開關(guān)TMUX7612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:44:550 - MRFE6VP6300H 晶體管 230MHz 評(píng)估板
2024-03-14 23:16:12
- MRFE6VP6300H 晶體管 87.5MHz ~ 108MHz 評(píng)估板
2024-03-14 23:16:12
ART450FE功率LDMOS晶體管這款 450 W LDMOS RF 晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。無與倫比的晶體管的頻率范圍為 1 MHz 至
2024-02-29 21:01:06
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
ART1K6FHS ART1K6FHS 功率LDMOS晶體管這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播
2024-02-29 20:57:05
ART1K6FH 功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管
2024-02-29 20:54:35
ART150FE 功率LDMOS晶體管 這款 150 W LDMOS RF 晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。無與倫比的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:54:05
ART35FE 功率LDMOS晶體管 ART35FE 基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，設(shè)計(jì)了用于 ISM 應(yīng)用的 35 W LDMOS 晶體管。這款無與倫比的設(shè)備覆蓋 1 MHz
2024-02-29 20:53:31
ART2K0FE功率LDMOS晶體管這款 2000 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1 MHz 至
2024-02-29 20:53:01
ART1K6PH 功率LDMOS晶體管這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1 MHz 至
2024-02-29 20:51:49
ART1K6PHGART1K6PHG 功率LDMOS晶體管這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管的頻率
2024-02-29 20:51:15
BLA9H0912LS-1200PBLA9H0912LS LDMOS 航空電子功率晶體管1200 W LDMOS 功率晶體管，適用于頻率范圍為 960 MHz 至 1215 MHz 的航空電子
2024-02-29 19:12:23
BLA9H0912LS-700 功率LDMOS晶體管700 W LDMOS 功率晶體管，適用于頻率范圍為 960 MHz 至 1215 MHz 的航空電子
2024-02-29 17:57:41
BLA9H0912LS-250BLA9H0912LS-250 LDMOS 航空電子功率晶體管250 W LDMOS 功率晶體管，適用于頻率范圍為 960 MHz 至 1215 MHz
2024-02-29 17:55:52
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件號(hào)：
2024-02-29 16:13:32
BLP15H9S100GZAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，100 W，19 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《50V 輸入電壓、50mA 超高電壓線性穩(wěn)壓器TPS7A4101數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-29 16:04:220 BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶體管20 W 塑料 LDMOS 功率晶體管，適用于頻率為 100 MHz 至 2700 MHz 的基站應(yīng)用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
電磁爐功率管是電磁爐的核心部件，其性能好壞直接影響著電磁爐的加熱效果和使用壽命。在測(cè)量電磁爐功率管的好壞之前，我們首先要了解什么是功率管以及它的工作原理。 電磁爐功率管是一種半導(dǎo)體器件，常用的功率管
2024-02-03 10:54:15
489 24V 36V 48V 60V 72V 80V轉(zhuǎn)3V 9V 12V 24V 36V等不同的電壓輸出。
mos管選型建議
01需要抗電流沖擊的，普通邏輯開關(guān)或者工作頻率很低比如50kHZ以內(nèi)的，電流非常大
2024-01-20 15:30:35
LTC3777 設(shè)計(jì)24V輸入，輸出80V，10A，實(shí)際測(cè)試只能輸出50V電壓，平均電流環(huán)已取消，輸出電壓提不上去，找不到原因。更換過電感、提高頻率、提高電流濾波電容等參數(shù)，幾乎起不到提高電壓的效果。
2024-01-05 07:57:12
采用LTC7801制作降壓電路，輸入電源電壓范圍為40-140V; 在40-50V時(shí)工作正常，輸出為設(shè)計(jì)的37V；當(dāng)輸入電壓高于50V時(shí)，無輸出，經(jīng)檢查，發(fā)現(xiàn)PIN19 連接VIN的2.2ohm電阻已燒斷。
2024-01-05 06:07:58
設(shè)計(jì)一個(gè)電源輸入50-100V輸出24V，空載情況下，在電源從50V慢慢增加到80V時(shí)，出現(xiàn)輸出電壓向上增加的情況電源輸出異常，但再次降低電壓，重啟空載輸出正常，一旦電壓超過80V就出問題，不知道什么原因??？
2024-01-04 06:34:51
用官方開發(fā)板的電路，改成了下圖的電路，空載輸出30多V是可以的，50V就直接燒毀LT8641芯片了。請(qǐng)問是怎么回事？
2024-01-03 08:49:00
式封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)最好電氣和熱穩(wěn)定性。特征輸入不適配180W(CW)最低功率250W典型功率24dB典型小信號(hào)增益值28V和50V使用應(yīng)用領(lǐng)域雷達(dá)探測(cè)醫(yī)療保健寬帶放大器信息安全VHF-UHF國防軍
2024-01-02 12:05:47
想問一下關(guān)于ad9681開發(fā)板的輸出值與輸入值之間的關(guān)系公式。
使用ad9681的開發(fā)板對(duì)峰峰值Vp-p=1.4V的正弦信號(hào)采樣，得到的采樣值為Vp-p=0.48V。不知道是怎么回事。
2023-12-18 06:25:59
SGCA030M1H型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的 GaN HEMT SGCA030M1H提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性5GHz高功率應(yīng)用，50V操作。 型號(hào)規(guī)格
2023-12-17 20:18:23
SGN2729-600H-R型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R為s波段雷達(dá)應(yīng)用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆蓋2.7至2.9 GHz，工作電壓為50V
2023-12-17 10:56:07
LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域，可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。
2023-12-06 13:54:18930 
SGCA100M1H 型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGCA100M1H提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性4GHz高功率應(yīng)用，50V操作。型號(hào)規(guī)格
2023-12-05 19:42:39
F658-H130M1H型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的應(yīng)用程序。型號(hào)規(guī)格
2023-12-05 19:09:33
功率管的開關(guān)波形對(duì)尖峰干擾的影響與抑制 在工業(yè)和電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的功率管，在各個(gè)系統(tǒng)中起到了至關(guān)重要的作用。然而，功率管在開關(guān)過程中往往會(huì)引起尖峰干擾，對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和工作效果產(chǎn)生一定的負(fù)面影響
2023-11-29 10:55:56331 智能功率管理技術(shù)在電源適配器中的應(yīng)用有哪些？ 智能功率管理技術(shù)是指通過智能化的電源適配器來管理電力的傳輸和使用，以提高電能的效率和可靠性，減少能源的浪費(fèi)。它涉及到多種技術(shù)和方法，包括智能調(diào)控電壓
2023-11-23 15:33:51332 需要使用AD5522設(shè)計(jì)50V/3A輸出的擴(kuò)壓擴(kuò)流，下面這種原理圖方式是否合理？尤其是EXTMEASILx 這個(gè)是否可以接地？ 感謝
2023-11-14 08:03:52
基于紫光同創(chuàng)PGL50H-6IFBG484的光端機(jī)方案展示#小眼睛FPGA#紫光同創(chuàng)#國產(chǎn)FPGA方案@小眼睛科技~~
2023-11-02 17:44:26
一 主要特點(diǎn)LD-15A-50V 是一個(gè)輸入電壓范圍 7V~50V，輸出恒流 0~15A50V，自適應(yīng)電壓范圍 0V~50V 的大功率 LD 鋁基板恒流源驅(qū)動(dòng)模塊，該模塊經(jīng)過 2 代產(chǎn)品
2023-10-27 10:34:56
功率管怎么看型號(hào)大??？功率管上的數(shù)字代表什么意思？ 功率管是電子元件領(lǐng)域中非常常見的組件，其主要功能是轉(zhuǎn)換電流和電壓。不同型號(hào)的功率管適用于不同的電子設(shè)備和電路。一個(gè)功率管的大小和數(shù)字代表不同的特性
2023-09-02 11:25:573560 功率管的三個(gè)極的作用 功率管，也稱功率晶體管，是一種高功率、大電流、高頻率的放大器，用于將小信號(hào)放大成大信號(hào)。它是半導(dǎo)體器件的一種，由三個(gè)極（即基極、集電極和發(fā)射極）組成，這三個(gè)極在功率管的運(yùn)行中都
2023-09-02 11:25:551529 功率管的工作原理 功率管怎么判斷好壞？功率管怎么測(cè)量？ 一、功率管的工作原理 功率管是一種能夠控制高功率信號(hào)的放大器，在通信、電視、雷達(dá)等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。其主要工作原理是通過對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大
2023-09-02 11:14:102954 HI-6300是軍用和商用的MIL-STD-1553/MIL-STD-1760 IP核心。該核心基于Holt為MIL-STD-1553獨(dú)立驗(yàn)證的單片協(xié)議IC，即Holt的HI-6130
2023-08-17 17:45:41
這是一款直流電源，可為您提供 50V/3A 輸出，經(jīng)過調(diào)節(jié)和穩(wěn)定。
2023-08-11 16:37:42658 
高功率 RF LDMOS FET 1000 W；50V；1030 / 1090 兆赫PTVA101K02EV LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 1030 MHz / 1090 MHz 頻段的功率
2023-08-09 11:53:07
高功率 RF LDMOS FET 700 W；50V；470 – 806 兆赫PTVA047002EV LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 470 MHz 至 806 MHz 頻段的功率放大器應(yīng)用。其特點(diǎn)
2023-08-09 11:45:32
高功率 RF LDMOS FET 700 W；50V；1200 – 1400 兆赫PTVA127002EV LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 1200 至 1400 MHz 頻段的功率放大器應(yīng)用。其特點(diǎn)
2023-08-09 11:40:24
高功率 RF LDMOS FET 500 W；50V；390 – 450 兆赫PTVA035002EV LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 390 MHz 至 450 MHz 頻段的功率放大器應(yīng)用。其特點(diǎn)
2023-08-09 10:00:12
高功率 RF LDMOS FET 450 W；50V；960 – 1215 兆赫PTVA104501EH LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 960 至 1215 MHz 頻段的功率放大器應(yīng)用。其特點(diǎn)包括
2023-08-09 09:50:08
高功率 RF LDMOS FET 350 W；50V；1200 – 1400 兆赫 PTVA123501EC 和 PTVA123501FC LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 1200 MHz
2023-08-09 09:47:50
高功率 RF LDMOS FET 350 W；50V；1200 – 1400 兆赫 PTVA123501EC 和 PTVA123501FC LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 1200 MHz
2023-08-09 09:45:33
高功率 RF LDMOS FET 200 W；50V；960 – 1600 兆赫PTVA102001EA 是一款 200 瓦 LDMOS FET，適用于 960 至 1600 MHz 頻段
2023-08-09 09:39:16
高功率 RF LDMOS FET 50 W；50V；1200 – 1400 兆赫PTVA120501EA LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 1200 至 1400 MHz 頻段的功率放大器應(yīng)用。其特點(diǎn)
2023-08-09 09:36:05
高功率 RF LDMOS FET 12 W；50V；390 – 450 兆赫PTVA030121EA 是一款 LDMOS FET，適用于 390 MHz 至 450 MHz 頻段的功率
2023-08-09 09:26:07
高功率 RF LDMOS FET 350 W；50V；470 – 860 兆赫PTVA043502EC 和 PTVA043502FC 是 LDMOS FET，設(shè)計(jì)用于 470 至 860 MHz
2023-08-07 14:43:55
高功率 RF LDMOS FET 350 W；50V；470 – 860 兆赫PTVA043502EC 和 PTVA043502FC 是 LDMOS FET，設(shè)計(jì)用于 470 至 860 MHz
2023-08-07 14:41:58
高功率 RF LDMOS FET 250 W；50V；470 – 806 兆赫PTVA042502EC 和 PTVA042502FC LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 470 MHz 至 806 MHz
2023-08-07 14:21:44
高功率 RF LDMOS FET 250 W；50V；470 – 806 兆赫PTVA042502EC 和 PTVA042502FC LDMOS FET 設(shè)計(jì)用于 470 MHz 至 806 MHz
2023-08-07 14:18:38
3A輸出峰值電流
10V至100V寬工作電壓范圍
內(nèi)置功率MOSFET
110KHZ固定開關(guān)頻率
軟啟動(dòng)
輸出短路保護(hù)
＞90%的效率
輸出電壓1.25至50V可調(diào)
采用ESOP8封裝
過熱保護(hù)
逐
2023-08-02 17:06:37
，外置功率管，輸出電流外部可調(diào)。
SL8311A采用高端電流檢測(cè)方式，通過外部電阻可以設(shè)定LED輸出的平均電流，并可以通過DIM引腳接收模擬調(diào)光和很寬范圍的PWM調(diào)光信號(hào)。當(dāng)DIM的電壓低于0.33V
2023-07-28 10:55:41
HS耐共模瞬變：50V/ns
峰值驅(qū)動(dòng)電流：3A/-4A
兼容CMOS/TTL電平輸入
輸入互鎖功能
高低側(cè)輸出獨(dú)立UVLO保護(hù)
集成高壓自舉二極管
輸入輸出延時(shí)小于16ns
高低邊傳輸延時(shí)匹配小于
2023-06-27 15:14:07
性 LED 恒流芯片，外圍簡(jiǎn)單、內(nèi)置功率管，適用于6- 60V 輸入的高精度降壓 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片。最大電流1.0A。AP5101B 可實(shí)現(xiàn)內(nèi)置MOS 做 1.
2023-06-21 17:20:47
，我設(shè)計(jì)了一個(gè)可調(diào)節(jié)的50V/5A電源，具有0V至50V的可變輸出和0A至5A的可調(diào)電流限制。大多數(shù)簡(jiǎn)單的電源無法使輸出精確到0V或0A。但在本電路中，差分放大器在（-3V）時(shí)具有負(fù)電源軌，可將輸出拉低至零。
2023-06-18 15:31:58924 
，結(jié)合了高電流操作、極低的 V CE(SAT)和高 H FE，從而導(dǎo)致極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗。這種雙晶體管非常適合用于各種高效驅(qū)動(dòng)功能，包括電機(jī)、燈、繼電器和螺線管，
2023-06-06 19:29:30
我在網(wǎng)上讀到 LDMOS 晶體管需要具有高電阻才能有效，他們提到 MegaOhms，我在 gs 上的讀數(shù)是 1.9 KOhms，在 ds 上是 137KOhms，mosfet 在板上。假設(shè)您了解什么是 MRFE6VS25N 的電阻。
2023-06-05 09:02:14
50W，4.4~6GHz，氮化鎵高電子遷移率晶體管 UG4460-50F 是一款 50W 應(yīng)用頻率高達(dá) 4.4~6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管具有 高效率、高增益的特性。這款放大管提供
2023-05-31 18:12:07
一個(gè)6腳的電源芯片絲印12J441，看電路1腳地，2腳驅(qū)動(dòng)外部功率管，3腳cs，4腳FB，5腳空，6腳芯片供電，為原邊反饋，請(qǐng)問有知道型號(hào)的，或者代用型號(hào)的沒？
2023-05-27 07:45:39
＞90%的效率
輸出電壓1.25至50V可調(diào)
采用ESOP8封裝
過熱保護(hù)
逐周期過流保護(hù)
應(yīng)用
高電壓功率轉(zhuǎn)換
汽車系統(tǒng)
電池供電系統(tǒng)
電動(dòng)車車載設(shè)備
平衡車
工業(yè)電力系統(tǒng)
2023-05-24 16:39:12
請(qǐng)教一下大神大功率管IGBT(H20T120)怎么檢測(cè)呢？
2023-05-16 17:15:04
自動(dòng)調(diào)低輸出電
流。
特點(diǎn)
寬輸入電壓范圍：5V～50V
可外擴(kuò)MOS提高輸入電壓
可設(shè)定電流范圍：10mA～
1000mA
可外擴(kuò)MOS
PWM 調(diào)光
過溫保護(hù)
CS 參考電壓：300mV
ESOP8 封裝
應(yīng)用領(lǐng)域
電動(dòng)車，摩托車燈照明
汽車燈照明
手電筒
原理圖
2023-05-05 14:24:13
。
SL6015B 內(nèi)部集成功率管，采用高端電流檢測(cè)方式。并可以通過DIM引腳接收模擬調(diào)光和
PWM信號(hào)。當(dāng)DIM腳電壓低于0.3V時(shí)，芯片內(nèi)部功率管關(guān)斷，SL6015B 進(jìn)入低功耗待機(jī)模式。
SL6015B 內(nèi)部
2023-04-25 15:48:34
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時(shí)遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個(gè)晶體管？
2023-04-23 09:07:17
我想知道我是否可以使用 MRF1K50H 而不是 MRF6VP11KH，因?yàn)樗淹．a(chǎn)且很難找到？有沒有人已經(jīng)嘗試過這個(gè)？#MRF1K50H
2023-04-11 06:10:38
fe0d3587d905a8fa32a9830d177f97c90352fdc5chromium-ozone-wayland：在 Linux [YOCIMX-6545] 上添加 V4L2VDA 支持 - 支持 i.MX 8 系列平臺(tái)。 - 8MM
2023-04-10 13:46:32
RF35111920 - 1980 MHz，3 V WCDMA 頻段 1 功率放大器模塊RF3511產(chǎn)品簡(jiǎn)介 Qorvo 的 RF3511 單頻帶線性功率放大器支持 3.4V、50 歐姆
2023-04-06 14:46:06
開關(guān)電源功率是由開關(guān)管的最大電流決定嗎？例如5v1a的電源，開關(guān)管選多大的電流，這個(gè)電流是如何算出來的？謝謝
2023-04-04 16:56:04
許±50V電阻隔離特性，以及從非隔離側(cè)電路到隔離側(cè)電路的容性功率傳輸。該器件采用+3.3或+5V單系統(tǒng)電源供電，僅需外部表面貼裝電容即可工作。與其他需要光耦合器和/或變壓器的隔離技術(shù)相比，總體保持低調(diào)。
2023-03-30 11:07:30943 
TRANS RF LDMOS 1250W 50V
2023-03-29 14:15:44
TRANS RF LDMOS 600W 50V
2023-03-29 14:14:48
RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230
2023-03-29 14:12:30
RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230
2023-03-29 14:11:05
TRANS RF LDMOS 1250W 50V
2023-03-29 14:11:03
TRANS RF LDMOS 600W 50V
2023-03-29 14:11:01
RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 27dB 300W TO-270 WB-4
2023-03-29 14:10:39
RF Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.4dB 25W TO-270-2
2023-03-29 14:08:29
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
2023-03-29 14:07:49
更高頻率、更大功率開關(guān)電源的設(shè)計(jì)要求。高頻開關(guān)整流器用功率管是什么自20世紀(jì)80年代以來大功率、高反壓的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)功率管問世之后，伴隨著開關(guān)電源專用集成控制電路的
2023-03-28 11:28:03533 
一。 確定方案和目的 在電子電路和工業(yè)應(yīng)用中，IGBT功率管被普遍應(yīng)用，電磁爐中的開關(guān)管，變頻器中三相電機(jī)控制，程控電源，逆變器等。通過IGBT來控制大電流的快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)不同的功能。本節(jié)來學(xué)習(xí)
2023-03-27 14:57:37
1 特點(diǎn)? 適用于 SSR 反饋方式反激變換器? CCM 和 DCM 模式兼容? 集成 90V/0.4Ω LDMOS? 集成無損電流采樣? 1.7A 峰值電流限制? 可編程功率管驅(qū)動(dòng)速度
2023-03-26 17:46:02
采樣? 可編程峰值電流? 可編程功率管驅(qū)動(dòng)速度? 可編程抖頻功能? 可編程輸入欠壓和過壓保護(hù)? 過流保護(hù)、短路保護(hù)和過溫保護(hù)? 輕負(fù)載逐級(jí)模擬降頻優(yōu)化效率曲線? 內(nèi)
2023-03-26 17:25:31
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