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三大存儲器廠商建廠神速:只為國產(chǎn)內(nèi)存/SSD明年發(fā)布

楓雪路?來源:驅(qū)動之家? 2017年07月14日 09:11 ? 次閱讀

  SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)“全球晶圓廠預(yù)測”最新報告指出,2017年中國總計有14座晶圓廠正在興建,并將于2018年開始裝機。

  2018年中國晶圓設(shè)備支出總金額將逾100億美元,成長超過55%,全年支出金額位居全球第二??傆?017年中國將有48座晶圓廠有設(shè)備投資,支出金額達67億美元。

  展望2018年,SEMI預(yù)估中國將有49座晶圓廠有設(shè)備投資,支出金額約100億美元。

  

  目前國內(nèi)三大存儲器廠商正處于緊鑼密鼓的施工階段,預(yù)計2018上半年陸續(xù)進入設(shè)備安裝階段,新一輪的設(shè)備入廠調(diào)試安裝大戲即將上演。

  2016年7月26日,長江存儲科技有限責(zé)任公司正式成立,武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司,而紫光集團則是參與長江存儲的二期出資。注冊地位于武漢東湖開發(fā)區(qū)關(guān)東科技工業(yè)園的長江存儲,公司注冊資本189億元。

  2016年12月30日,由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目,在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設(shè)。該項目總投資240億美元,主要生產(chǎn)存儲器芯片,總占地面積1968畝。

  這一項目即將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個項目,總產(chǎn)能將達到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

  目前,長江存儲32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項指標測試,達到預(yù)期要求。預(yù)計2018年實現(xiàn)量產(chǎn),并于2019年實現(xiàn)產(chǎn)能滿載。

  今年6月,長江存儲的廠址區(qū)域正在加速打樁工作中。預(yù)計2018年4月將實現(xiàn)設(shè)備安裝,第一階段每月的產(chǎn)能大約在50000片,大規(guī)模生產(chǎn)的產(chǎn)品將是長江存儲64層的3D NAND產(chǎn)品。

  相信,2018年第一家具有中國自主知識產(chǎn)權(quán)的 3D NAND 即將誕生。如果說2017年是東芝的天下,2018年必將在中國存儲器行業(yè)劃下濃重的一筆。

  總投資額達72億美元的合肥長鑫12寸存儲晶圓廠,以生產(chǎn) 19nm DRAM 產(chǎn)品為主,預(yù)計2019年底將實現(xiàn)達12.5萬片的月產(chǎn)能。

  據(jù)悉,該廠的生產(chǎn)設(shè)備安裝時間預(yù)計在2018年第一季度,目前已開始與晶圓供應(yīng)商進行商談,以確保2018年內(nèi)獲得穩(wěn)定的晶圓供應(yīng)。在晶圓廠建設(shè)完成之后,月產(chǎn)能預(yù)計將高達12.5萬片,其規(guī)模將與韓國 SK Hynix 現(xiàn)在的產(chǎn)能差不多,比福建晉華的存儲器產(chǎn)能更高,僅次于紫光在武漢的 12 寸晶圓廠月產(chǎn)能20萬片的規(guī)模。

  據(jù)了解,長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設(shè)計公司相關(guān)人員,構(gòu)成陸日臺的存儲器研發(fā)團隊,預(yù)定2017年人才儲備達到千人規(guī)模、2018年上看2,000人。

  目前可見,合肥長鑫的施工速度要比長江存儲的速度快一些,廠房正在加速建設(shè)中,預(yù)計9月完成。從產(chǎn)品的原型設(shè)計,到試量產(chǎn)仍需要一年多的時間,加上產(chǎn)能的提升,預(yù)計2019年2月才能實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),2019年底有望實現(xiàn)12.5萬片的月產(chǎn)能。

  

  目前進度最快的是福建晉華存儲器生產(chǎn)線項目,在近6萬平方米的施工現(xiàn)場,鋼筋密度最大、施工難度最高、用工量最繁復(fù)的主廠房,正進行鋼結(jié)構(gòu)吊裝,目前也已完成一半的工程量,最快今(2017)年10月,主廠房將順利封頂。

  據(jù)悉,今年4月~6月晉華已計劃推出R&D迷你產(chǎn)線,以實現(xiàn)每月5000片的產(chǎn)能,無論從產(chǎn)品進度和施工作業(yè)來看,晉華存儲器項目的速度都是最快。

  福建省晉華集成電路有限公司(簡稱晉華公司)是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資的集成電路生產(chǎn)企業(yè),是中國國家基金積極布局的戰(zhàn)略項目。

  目前一期總投資370億元,已納入國家十三五集成電路重大項目清單,并得到第一筆 30 億元國家專項資金支持,將通過引進***和全球技術(shù)、人才、資源,打造中國第一個自主技術(shù)的內(nèi)存制造項目及 12 吋晶圓廠,爭取 3-5 年內(nèi)在國內(nèi)主板上市。

  2016年5月聯(lián)電宣布與晉華集成電路公司簽約合作,由聯(lián)電負責(zé)開發(fā)DRAM制程相關(guān)技術(shù)。福建省晉華12寸新廠初期將導(dǎo)入32納米制程,預(yù)期在2018年9月開始試產(chǎn),投入DRAM及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)與銷售,預(yù)計2019年到2020年期間將月產(chǎn)能擴大至3萬片。

  2016年10月,中芯國際投資近百億美元在上海開啟新的12寸集成電路生產(chǎn)線,可覆蓋14nm至10/7nm工藝節(jié)點,滿產(chǎn)后規(guī)??蛇_每月7萬片,供應(yīng)給新一代移動通訊和智能終端機領(lǐng)域。其天津8寸廠開啟了擴建項目,目前月產(chǎn)能在4.5萬片,預(yù)計全部達產(chǎn)后中芯天津月產(chǎn)能將達15萬片8英寸晶圓。

  在深圳中芯國際也將啟動一條12寸產(chǎn)線,定位主流成熟技術(shù),預(yù)計2017年底投產(chǎn),預(yù)期產(chǎn)能將達每月4萬片晶圓。

  2016年11月,華力微二期12寸新生產(chǎn)線建設(shè)項目正式啟動,將在浦東新區(qū)康橋工業(yè)區(qū)南區(qū)建設(shè)一條月產(chǎn)能4萬片,工藝為28-20-14納米的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線,主要從事邏輯芯片生產(chǎn),重點服務(wù)國內(nèi)設(shè)計企業(yè)先進芯片的制造需求。該項目預(yù)計2018年底完成工藝串線、試生產(chǎn),形成 1 萬片生產(chǎn)能力,2022年前實現(xiàn)達產(chǎn)。

  2017年6月,淮安德科碼開啟12英吋半導(dǎo)體芯片晶圓廠項目,總投資150億元,一期為年產(chǎn)24萬片,預(yù)計9月開始生產(chǎn)設(shè)備的安裝。

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麒麟A1芯片和驍龍4100的性能對比,根據(jù)一些說法,麒麟a1芯片在某些方面上更具有優(yōu)勢。 麒麟A1芯....
發(fā)表于 2023-10-16 14:23? 214次閱讀
麒麟a1芯片和驍龍4100性能對比哪個好

如何制作簡易版的Redis客戶端

Redis 是我們在開發(fā)過程中經(jīng)常會用到的內(nèi)存數(shù)據(jù)庫,尤其是在Python的第三方模塊Redis-p....
發(fā)表于 2023-10-16 11:52? 89次閱讀
如何制作簡易版的Redis客戶端

有媒體報道稱,內(nèi)存和閃存價格將分別上漲30%、2...

日前有媒體報道稱,受三星等存儲原廠減產(chǎn)以及國內(nèi)閃存龍頭存儲顆粒產(chǎn)能不足的影響,內(nèi)存和閃存元器件采購成....
發(fā)表于 2023-10-16 11:13? 287次閱讀
有媒體報道稱,內(nèi)存和閃存價格將分別上漲30%、2...

國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可用于便攜式血壓...

國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
發(fā)表于 2023-10-16 10:13? 261次閱讀
國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可用于便攜式血壓...

ARM Cortex-M異常-HardFault...

對于其他的stm32芯片或者其他ARM Cortex-M芯片,其實解決方法都相通。建議先完整閱讀了本....
發(fā)表于 2023-10-16 09:40? 238次閱讀
ARM Cortex-M異常-HardFault...

什么是變量?PLC變量哪些部分組成?

變量在 TIA Portal 中集中管理。 在程序編輯器中創(chuàng)建 PLC 變量與在 PLC 變量....
發(fā)表于 2023-10-15 11:31? 80次閱讀
什么是變量?PLC變量哪些部分組成?

一文詳解CPU、內(nèi)存、GPU知識

CPU通常被稱為計算機的大腦,是一臺計算機的運算核心(Core)和控制核心( Control Uni....
發(fā)表于 2023-10-15 10:49? 133次閱讀
一文詳解CPU、內(nèi)存、GPU知識

英飛凌推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲...

汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)(EDR)市場的不斷發(fā)展正在推動專用數(shù)據(jù)記錄存儲設(shè)備的需求,這些設(shè)備能夠即時捕獲....
發(fā)表于 2023-10-13 16:34? 274次閱讀
英飛凌推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲...

觸控小家電國產(chǎn)MCU新選擇—LKT6850

LKT6850是凌科芯安科技(北京)有限公司推出的以32位ARMCortexTM -M0處理器內(nèi)核為....
發(fā)表于 2023-10-13 15:59? 357次閱讀
觸控小家電國產(chǎn)MCU新選擇—LKT6850

新型內(nèi)存架構(gòu)增強安全性

Blueshift Memory專有的高速內(nèi)存架構(gòu)正在與加密功能相結(jié)合,以幫助應(yīng)對來自量子計算的威脅....
發(fā)表于 2023-10-13 15:41? 266次閱讀
新型內(nèi)存架構(gòu)增強安全性

踩坑記錄—RT-Thread Studio燒錄c...

用RT-Thread Studio向ch32v307vct6燒錄程序,有個前置條件要完成。
發(fā)表于 2023-10-13 15:28? 147次閱讀
踩坑記錄—RT-Thread Studio燒錄c...

LPCXpresso55S16如何從閃存中動態(tài)分配內(nèi)存?

我正在使用 LPCXpresso55S16,我想從閃存中動態(tài)分配內(nèi)存,向其中寫入數(shù)據(jù),從中讀取數(shù)據(jù),并在需要時釋放它。是...
發(fā)表于 2023-06-09 06:57? 113次閱讀
LPCXpresso55S16如何從閃存中動態(tài)分配內(nèi)存?

如何在S32K314控制器中使用DTCM-1存儲器?

我們在我們的一款產(chǎn)品中使用了 S32K314 部件。根據(jù)數(shù)據(jù)表,該設(shè)備帶有 128KB 的 DTCM 內(nèi)存,分為 DTCM-0 ...
發(fā)表于 2023-06-07 08:21? 153次閱讀
如何在S32K314控制器中使用DTCM-1存儲器?

ESP-12 F在隨機時間后掛起/凍結(jié)是什么原因?qū)е碌模?/a>

ESP-12 F在隨機時間后掛起/凍結(jié)是什么原因?qū)е碌模? /></a></div><div   id=

如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲器中通過SW?

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發(fā)表于 2023-06-05 09:47? 122次閱讀
如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲器中通過SW?

MC56F847X EEPROM最大擦除次數(shù)是多少?

當Flexnvm被分區(qū)為 EEPROM備份數(shù)據(jù)存儲器時,eeprom是否可以寫160萬個周期左右?如何設(shè)置FMC和FTFL來達...
發(fā)表于 2023-06-01 08:18? 160次閱讀
MC56F847X EEPROM最大擦除次數(shù)是多少?

ESP8266將大量數(shù)據(jù)寫入pyhton腳本時,導(dǎo)致內(nèi)存分配錯誤無法正常工作怎么解決?

ESP8266我在嘗試將大量數(shù)據(jù)寫入我的 pyhton 腳本時遇到問題。我的目標是寫入 480x640 uDisplay 中每個像素的值以對...
發(fā)表于 2023-06-01 06:29? 34次閱讀
ESP8266將大量數(shù)據(jù)寫入pyhton腳本時,導(dǎo)致內(nèi)存分配錯誤無法正常工作怎么解決?

RTC慢內(nèi)存存儲是否消耗額外能量?

我不確定 100% 理解 RTC 慢速內(nèi)存如何與深度睡眠一起工作。 簡而言之,我需要在當前(電池供電)項目中非常節(jié)能。 ...
發(fā)表于 2023-05-31 08:52? 54次閱讀
RTC慢內(nèi)存存儲是否消耗額外能量?

DPAA Qman和Bman私有內(nèi)存如何設(shè)置?

T1040RM 表示需要為 DPAA Bman 和 Qman 分配一些私有內(nèi)存。我在 Core0 啟動時這樣做;正如手冊所說,這只需...
發(fā)表于 2023-05-30 12:34? 551次閱讀
DPAA Qman和Bman私有內(nèi)存如何設(shè)置?

非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎?

我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個每秒累加的方法。問題:非易...
發(fā)表于 2023-05-30 08:48? 74次閱讀
非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎?

S32G2是否支持雙內(nèi)存進行OTA更新?

大家好, 請幫助我了解 S32G2 是否支持雙內(nèi)存進行 OTA 更新。基本上在這里我們期待雙分區(qū)。 ...
發(fā)表于 2023-05-29 08:51? 164次閱讀
S32G2是否支持雙內(nèi)存進行OTA更新?