東芝日前發(fā)布了全球首個(gè)基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片,64層堆疊封裝,單顆容量可以做到768Gb(32GB),可以帶來容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。
不過隨著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展,壽命和耐用性一直是個(gè)讓人憂慮的問題。
NAND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài):SLC單比特單元,性能最好,壽命最長,但成本也最高;MLC雙比特單元,性能、壽命、成本比較均衡,目前主要用于高端和企業(yè)級(jí)產(chǎn)品;TLC三比特單元,成本低,容量大,但壽命越來越短;QLC四比特單元,自然延續(xù)了這一趨勢(shì)。
事實(shí)上,經(jīng)過廠商不斷的改進(jìn),TLC技術(shù)已經(jīng)十分成熟,無論性能還是壽命都可以滿足日常消費(fèi)甚至企業(yè)級(jí)應(yīng)用,目前幾乎絕大多數(shù)消費(fèi)級(jí)SSD都在用它。
QLC閃存由于采用了四比特設(shè)計(jì),每個(gè)單元內(nèi)都有多達(dá)16種不同的電壓狀態(tài),相比TLC又翻了一番,而且又不能把單元面積做的太大,因此控制難度急劇增大。
另外為了避免讀寫錯(cuò)誤,主控搭配QLC閃存時(shí)也必須支持更高級(jí)的ECC,東芝就發(fā)展了自己的QSBC糾錯(cuò)技術(shù),號(hào)稱比TLC設(shè)備上常用的LDPC更加先進(jìn)。
最關(guān)鍵的來了:東芝宣稱,他們的QLC NAND擁有多達(dá)1000次左右的P/E編程擦寫循環(huán),大大高于業(yè)界此前幾年預(yù)計(jì)的100-150次,幾乎已經(jīng)和TLC閃存相當(dāng)了!
這就意味著,QLC閃存的壽命根本不是事兒,完全可以和TLC一樣耐用!
東芝具體是怎么做到的暫未披露,應(yīng)當(dāng)是有某種全新的秘密技術(shù),而且很可能已經(jīng)申請(qǐng)了專利。
動(dòng)輒幾個(gè)TB還耐用、便宜的QLC SSD,想想都挺美的……
四種閃存類型各自不同的電壓狀態(tài)
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