最適于延長家用醫(yī)療保健器材等的使用壽命，新日本無線株式會社現(xiàn)已開發(fā)了具有超低功耗的單電路CMOS運放系列NJU77000/001*1及NJU77000A/001A＊2 共4款產(chǎn)品
2012-12-04 10:48:45
1123 新日本無線株式會社（總部：東京都中央?yún)^(qū) 代表取締役社長 小倉 良）開發(fā)了一種稱作「Opt-Pass」的光學式鏡頭位置檢測系統(tǒng)，該系統(tǒng)最適用于數(shù)碼相機及監(jiān)視器相機等光學攝影器材的自動對焦和縮放時的鏡頭位置檢測。
2013-03-14 14:56:191603 
新日本無線特別推出3款電源管理新產(chǎn)品“NJM2815、NJM2816、NJW4119”，專用于USB充電的電源，這3款電源IC都內(nèi)置有電壓自動校正功能。
2015-07-24 11:10:261536 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
新日本無線開發(fā)出了用數(shù)字模式控制開關(guān)電源的數(shù)字電源控制器(DSC) NJU20300系列，現(xiàn)在樣片已經(jīng)開始發(fā)貨。
2011-12-22 09:38:251191 為了能夠搭載到更多的音響設備上，為了能夠向更多的音樂粉絲們提供"真實的聲音"，成功開發(fā)出了MUSES系列之一的量產(chǎn)型產(chǎn)品MUSES8820。MUSES8820沿襲了MUSES
2014-08-06 09:25:02
。*參考：MUSES系列是新日本無線獨創(chuàng)的高音質(zhì)音頻器件品牌，注重「提高音質(zhì)」?「增強空間擴展性」等對音質(zhì)專注追求，集結(jié)了精心選材/集成電路設計/芯片版圖設計等新日本無線的卓越音頻IC技術(shù)。【主要特點
2015-05-18 17:57:40
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區(qū)別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復
2019-03-27 06:20:11
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。我們就SCS3系列的特點、應用范圍展望等，采訪了負責開發(fā)的ROHM株式會社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產(chǎn)品。后面我會問到第三代SiC-SBD的特點
2018-12-03 15:12:02
新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種
2013-11-14 11:10:36
為了讓IoT里不可缺少的傳感器器件更加省電，新日本無線特別推出了軌到軌輸入輸出運算放大器NJU77552。此運算放大器有1.7MHz帶寬、1回路50μA的超低消耗電流、高EMI抑制性能等特點，并且已經(jīng)進入量產(chǎn)階段。
2020-08-03 07:49:16
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
新日本無線推出的高音質(zhì)音頻運放MUSES02擁有極高的原聲重放音效，這又是新日本無線全力推薦的一款精品。該精品
2011-03-02 09:00:50
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
本帖最后由 zhang7711 于 2011-6-24 15:19 編輯
新日本無線現(xiàn)已開始接受Analog Master Slice的訂貨服務。Analog Master Slice IC
2011-06-24 10:49:22
音量控制器系列，相信今后還會不斷擴大其陣容，期待更多的MUSES產(chǎn)品新裝面市。新日本無線是運算放大器的老字號企業(yè)，全力推出的MUSES系列產(chǎn)品可以說是音頻產(chǎn)品史上的頂峰之作，會為您打造一個奇幻的原聲世界
2011-03-03 10:38:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 編輯
新日本無線推出的高音質(zhì)音頻運放MUSES01擁有極高的原聲重放音效，是新日本無線全力推薦的精品。在此詳細規(guī)格書供音頻愛好者們參考，PDF文件可在此下載，歡迎支持此款新日本無線的產(chǎn)品。
2011-03-02 10:56:27
新日本無線推出的高音質(zhì)音頻運放MUSES01擁有極高的原聲重放音效，是新日本無線全力推薦的精品。在此詳細規(guī)格書供音頻愛好者們參考，PDF文件可在此下載，歡迎支持此款新日本無線的產(chǎn)品。
2011-03-01 09:30:37
新日本無線推出的高音質(zhì)音頻運放MUSES02擁有極高的原聲重放音效，這又是新日本無線全力推薦的一款精品。在此詳細規(guī)格書供音頻愛好者們參考，PDF文件可在此下載，歡迎音響發(fā)燒友們支持此款新日本無線的產(chǎn)品。
2011-03-01 15:44:50
本帖最后由 zhang7711 于 2011-2-24 15:54 編輯
近期，各大音響發(fā)燒友和音響工程師們盼望已久的新日本無線原創(chuàng)自主品牌 『MUSES』獨家官方網(wǎng)站將隆重登場。 敬請期待
2011-02-23 11:59:16
本帖最后由 zhang7711 于 2011-3-2 14:24 編輯
近期，各大音響發(fā)燒友和音響工程師們盼望已久的新日本無線高音質(zhì)音頻運放 『MUSES』獨家官方網(wǎng)站將隆重登場。 敬請期待
2011-02-23 11:56:49
音量控制器系列，相信今后還會不斷擴大其陣容，期待更多的MUSES產(chǎn)品新裝面市。新日本無線是運算放大器的老字號企業(yè)，全力推出的MUSES系列產(chǎn)品可以說是音頻產(chǎn)品史上的頂峰之作，會為您打造一個奇幻的原聲世界
2011-03-03 10:58:35
世界各國對無線產(chǎn)品都有自己的法規(guī)和標準，縱觀全球諸多無線認證，例如在中國有SRRC認證，美國有FCC ID，韓國有KCC認證等等，而在日本無線產(chǎn)品的認證是TELEC認證，又有人稱之為MIC認證。那么
2020-08-12 15:27:13
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。當前正在
2018-12-04 10:15:20
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
全新推出車載音響DSP—NJU26203（新日本無線） 新日本無線(New JAPAN Radio, NJR)已完成開發(fā)支持杜比定向邏輯II
2008-10-14 20:50:30
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
的優(yōu)勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。第一代是從2010年4月開始量產(chǎn)的SCS1系列。這在當時是日本國內(nèi)首家實現(xiàn)SiC-SBD量產(chǎn)。第二代是2012年6月推出的SCS2系列，現(xiàn)在很多
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
NJU6573點陣式LCD驅(qū)動器IC（新日本無線）
新日本無線新推出了一款適用于車載等LCD液晶板、可以顯示出1600Segment點陣式LCD驅(qū)動器IC NJU6573
2009-11-02 08:52:12652 鍵控掃描IC（新日本無線）
新日本無線新推出了一款適于帶有多鍵開關(guān)車載音響和信息板的鍵控掃描IC NJU6010，并開始樣品供貨。
2009-11-02 08:54:04448 新日本無線低壓差穩(wěn)壓器NJM2841
新日本無線現(xiàn)已供貨NJM2841樣品。該產(chǎn)品是最適合于CPU、DSP、ASIC*1電源使用的Io=500mA低輸出電壓的低壓差穩(wěn)壓器。
【開發(fā)背景】
2009-11-28 09:08:24974 新日本無線低壓降穩(wěn)壓器NJM2837
新日本無線開發(fā)了最適合于DSC(Digital still camera)等CCD(Charge Coupled Device)電源、TV、DVD等AV設備用電源、馬達驅(qū)動電源等的20V耐壓/Io=1.0A的低壓
2009-11-28 14:47:20598 
新日本無線推出一款低壓差穩(wěn)壓器NJM2841
新日本無線現(xiàn)已供貨NJM2841樣品。該產(chǎn)品是最適合于CPU、DSP、ASIC*1電源使用的Io=500mA低輸出電壓的低壓差穩(wěn)壓器。
2009-12-05 10:40:13964 新日本無線低壓差穩(wěn)壓器NJM2837，現(xiàn)已開始供貨
新日本無線開發(fā)了最適合于DSC(Digital still camera)等CCD(Charge Coupled Device)電源、TV、DVD等AV設備用電源、馬達驅(qū)動電源等的20V
2010-01-19 09:21:34880 
新日本無線開發(fā)出按鍵式電子音量控制器
新日本無線(NJR)新推出內(nèi)置eala Stereo Expander功能的按鍵式接口電子音量控制器NJU7392，該產(chǎn)品最適合用于揚聲器間距狹窄的可攜
2010-01-20 08:43:15855 新日本無線開發(fā)完成高隔離度SPDT開關(guān)GaAs MMIC NJG1666MD7
近年來，隨著裝載有FM和1seg等多數(shù)調(diào)諧器的設備的增加，市場需求用于分離接收信號的具有高隔離度的SPDT開關(guān)。
2010-01-22 16:38:181435 
新日本無線推出寬帶低噪聲放大器NJG1129MD7
新日本無線(總部:東京都中央?yún)^(qū) 社長 平田一雄) 現(xiàn)開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產(chǎn)品
2010-01-22 16:47:22919 新日本無線推出內(nèi)置看門狗定時器的系統(tǒng)復位NJU7291
新日本無線現(xiàn)已開發(fā)完成了內(nèi)置有看門狗定時器(Watchdog Timer)的系統(tǒng)復位IC NJU7291，并已開始供貨了。該產(chǎn)品最適于嵌
2010-03-19 11:27:181031 新日本無線推出三相DC無刷電動機控制NJW4303
新日本無線現(xiàn)已開發(fā)完成了最適于裝載有三相DC無刷電動機的風扇、鼓風機、氣泵、其他家電/OA設備的三相DC無刷電動機控制
2010-03-19 11:28:421161 新日本無線推出用于音響設備的DSP-NJU26060V
新日本無線(總部:東京都中央?yún)^(qū) 社長 平田一雄) 現(xiàn)已開發(fā)完成了用于音響設備的DSP NJU26060V，并已開
2010-04-27 10:44:581086 新日本無線推出適用于AV功放等音響設備的立體聲A/D轉(zhuǎn)換器
新日本無線(總部:東京都中央?yún)^(qū) 社長 平田一雄)現(xiàn)已開發(fā)完成了最適用于AV功放、揚
2010-04-27 10:48:591724 PurePath無線音頻產(chǎn)品系列CC8520
德州儀器 (TI) 宣布面向無線耳機與無線揚聲器等消費類、便攜式以及高端音頻應用推出 PurePath™ 無線音頻產(chǎn)品系列
2010-05-27 10:41:391069 各大音響發(fā)燒友和音響設計工程師們期待已久的新日本無線原創(chuàng)自主品牌『MUSES』高音質(zhì)音頻產(chǎn)品正式進入中國市場，在中國也已經(jīng)更便捷的購買得到MUSES的原裝正品了，與此同時MUSES官方獨家網(wǎng)站也公開上線，會使更多的人更容易了解MUSES產(chǎn)品，獲得MUSES產(chǎn)品的訂購信息。
2011-03-04 10:23:512391 新日本無線公布了世界首次*1用以往技術(shù)無法實現(xiàn)可靠性產(chǎn)品的粗銅線和半導體芯片鋁電極實施絲焊的量產(chǎn)技術(shù)。
2012-11-15 10:51:16735 新日本無線株式會社和總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市的SILVACO, Inc.合作共同開發(fā)了Analog Master Slice的專用設計開發(fā)環(huán)境，目的是為了提高新日本無線現(xiàn)提供的Analog Master Slice產(chǎn)品的
2012-11-15 11:12:281257 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 （5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz） 和低功耗 （1.8V，500uA） 兩種
2013-10-31 16:15:212868 
新日本無線最近開發(fā)的車載用運放NJU77903可使用36V工作電壓（40V耐壓）并且對應車載電子規(guī)格，最適合用于檢測電機主軸等旋轉(zhuǎn)軸角度變化的旋轉(zhuǎn)變壓器，該旋轉(zhuǎn)變壓器多用于混合動力汽車和電動汽車。
2014-11-20 15:17:293911 新日本無線最近開發(fā)的雙路H橋驅(qū)動IC NJW4814已經(jīng)開始上市。該產(chǎn)品最適合驅(qū)動壓電元件，如用于數(shù)碼相機的變焦功能和手抖動校正功能等的壓電元件是最佳匹配。
2015-03-25 11:00:342793 新日本無線為改善音響設備音質(zhì)再次提供新的解決方案，推出了3款新品音頻IC，電子音量控制器NJU72343、模擬開關(guān)NJU72750A和NJU72751A，可讓音響設備實現(xiàn)高音質(zhì)、低失真和低噪音。
2016-04-13 11:40:561695 2016年10月24日新日本無線發(fā)布了一款帶音量調(diào)節(jié)功能的揚聲器放大器IC NJU72065，宣布已經(jīng)進入量產(chǎn)，正式上市。該產(chǎn)品既可以優(yōu)化系統(tǒng)設計，也可以簡化揚聲器驅(qū)動電路、降低成本。
2016-10-24 15:19:362266 
新日本無線presen_NJR_Wearable
2016-12-26 15:57:03
23 新日本無線經(jīng)過長期的研發(fā)，終于又成功推出了一款高音質(zhì)電子元器件MUSES系列旗艦版的新產(chǎn)品『MUSES03』 ，它是面向高端音響器材的單路J-FET輸入形式的高音質(zhì)運放。由于采用了重視音質(zhì)的優(yōu)化電路、精選材質(zhì)、全新組裝技術(shù)，從而實現(xiàn)了高音質(zhì)。
2017-03-29 10:29:0624396 新日本無線最近推出一款內(nèi)置PGA最高可達512倍的模擬前端（AFE） “NJU9103”，該器件最適合壓力計和流量計的應用，并已經(jīng)開始進入量產(chǎn)。
2017-06-14 16:07:011577 為了讓IoT里不可缺少的傳感器器件更加省電，新日本無線特別推出了軌到軌輸入輸出運算放大器NJU77552。此運算放大器有1.7MHz帶寬、1回路50μA的超低消耗電流、高EMI抑制性能等特點，并且已經(jīng)進入量產(chǎn)階段。
2018-05-29 11:09:002631 2015 TI 音頻創(chuàng)新日 (4) 中功率音頻放大器解決方案
2018-08-21 00:08:002989 2015 TI 音頻創(chuàng)新日 (2) 行業(yè)領(lǐng)導者
2018-08-24 00:47:003034 2015 TI 音頻創(chuàng)新日 (10) 觸覺技術(shù)介紹
2018-08-24 00:31:003191 新日本無線(NJR)新開發(fā)的系統(tǒng)復位IC NJU2103A/NJU2103B和有看門狗定時器功能的系統(tǒng)復位IC NJU2102A終于進入量產(chǎn)階段。
2019-12-23 14:25:411788 新日本無線株式會社推出的NJM2754 - 帶有噪聲接地的隔離放大器的4進/1出立體聲音頻選擇器。噪聲接地的隔離放大器適于抑制共模噪聲。共模噪聲存在于車載音頻設備和外部連接設備（如便攜式音頻器件）之間。
2021-02-20 10:59:001689 
新日本無線新開發(fā)的超寬帶SPDT射頻開關(guān)NJG1801BKGC-A符合AEC－Q100 Grade1、VDA等車載規(guī)格。
2021-01-29 14:07:421619 1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27501 二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18364 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－進入主題之前請您介紹了很多基礎內(nèi)容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎內(nèi)容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59141 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產(chǎn)品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應復雜多變的車載應用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。
2023-03-22 10:56:52537 日清紡微電子基于多年積累的高音質(zhì)音頻技術(shù)，推出了以MUSES系列為代表的各種音頻運算放大器。NL8802作為MUSES系列的入門級產(chǎn)品，是一款在音質(zhì)、性能和性價比之間取得了平衡的高音質(zhì)音頻運算放大器。該產(chǎn)品具有±22v的高工作電壓，非常適合需要高動態(tài)范圍的HiFi音響設備和專業(yè)音響設備。
2023-12-06 13:49:09637
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