應(yīng)用,實現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。(例如,5G通信電源整流器和服務(wù)器計算)GaN不斷突破新應(yīng)用的界限,并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1:硅設(shè)計與GaN設(shè)計的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
受到關(guān)注。因此,這些設(shè)備可能存在于航空航天和軍事應(yīng)用的更苛刻條件下。但是這些行業(yè)對任何功率器件(硅或GaN)都要求嚴格的質(zhì)量和可靠性標準,而這正是GaN HEMT所面臨的問題。氮化鎵HEMT與硅
2020-09-23 10:46:20
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,靜電防護技術(shù)不斷提高,無論是在LED器件設(shè)計上,還是在生產(chǎn)工藝上,抗ESD能力都有明顯的進步,但是,GaN基LED畢竟是ESD敏感器件,靜電防護必須滲透到生產(chǎn)全過程
2013-02-19 10:06:44
五、 LED靜電防護技術(shù) 1、一般靜電防護的基本思路: 1)從元器件設(shè)計方面,把靜電保護設(shè)計到LED器件內(nèi),例如大功率LED,設(shè)計者在承載GaN基LED芯片倒裝的硅片上,設(shè)計靜電保護二極管,這時
2013-02-20 09:25:41
寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅(Si)和第二代化合物半導體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而,近年來,這些已取得的進步開始逐漸弱化,為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵(GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09
(MOSFET)是在20世紀70年代末開發(fā)的,但直到20世紀90年代初,JEDEC才制定了標準。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認證對GaN晶體管而言意味著什么。 標準滯后于技術(shù)的采用,但標準無需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
半導體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量,體積和生命周期成本成為可能。 Si,SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
已聽到我們的行業(yè)代言人宣布,“GaN將迎來黃金發(fā)展時間?!边@一公告似乎在暗示,GaN已準備好出現(xiàn)在廣大聽眾、用戶或為數(shù)眾多的應(yīng)用面前。這也表明,GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟,不能認為它是一個有問題的技術(shù)
2018-08-30 15:05:41
的應(yīng)用做好準備。要使數(shù)字電源控制為GaN的應(yīng)用做好準備,它需要針對更高開關(guān)頻率、更窄占空比和精密死區(qū)時間控制的時基分辨率、采樣分辨率和計算能力。圖1和圖2顯示的是一個硅 (Si) MOSFET和一個GaN
2018-09-06 15:31:50
的最終目標前進。這意味著客戶最終可以與主流技術(shù)的發(fā)展同步,例如,MACOM公司已經(jīng)能夠提供300W塑料封裝的硅上 GaN器件,它有著大于70%的效率,售價約為 15 美元,這一價格/性能水平已處于當今射頻能量器件領(lǐng)域的領(lǐng)先位置。
2017-04-05 10:50:35
方向、提升了效率,以及具有更小的外形尺寸等優(yōu)點。除開在烹飪的應(yīng)用,讓我們一起看看GaN技術(shù)的其他應(yīng)用以及MACOM硅上GaN 技術(shù)的獨特優(yōu)勢吧!其他應(yīng)用除了烹飪行業(yè)之外,固態(tài)射頻能量器件也將在工業(yè)干燥
2017-05-01 15:47:21
為什么
GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS
硅技術(shù)而言,
GaN這一材料
技術(shù),大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值,表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值,
硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1,
GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優(yōu)值為1.44??隙ǖ卣f,
GaN是高頻器件材料
技術(shù)上的突破?! ?/div>
2019-06-26 06:14:34
負責人認為:深化企業(yè)改革,推進機制創(chuàng)新,通過產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整和加強技術(shù)投入,推進技術(shù)創(chuàng)新,才是復興高壓試驗設(shè)備行業(yè)的法寶。 優(yōu)勝劣汰是市場發(fā)展的大趨勢,為了適應(yīng)市場發(fā)展,除舊革新是必要的,具有實力、經(jīng)營
2013-08-13 15:02:14
都能方便地溝通、交易、旅行、獲取信息和參與娛樂活動。其技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量。與很多公司的氮化鎵采用碳化硅(SiC)做襯底
2017-08-29 11:21:41
硅基光電子集成芯片,摩爾定律:摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內(nèi)容為:當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個月
2021-07-27 08:18:42
射頻半導體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導體市場領(lǐng)域起主導作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片,效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā),有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進工藝技術(shù),光效
2014-01-24 16:08:55
硅基熱敏電阻與MCU結(jié)合的優(yōu)勢NTC和PTC熱敏電阻的優(yōu)缺點
2021-03-09 06:56:43
,特別是近年來碳納米管的發(fā)展令人注目,在速度、集成度、特別是功耗方面都將有重大突破,但離開實際應(yīng)用可能比硅基量子器件要更遠一些。原文見王陽元院士在“納米CMOS器件”書中寫的序(2004年1月科學出版社出版)。 :
2018-08-24 16:30:27
光子集成電路(PIC)是一項新興技術(shù),它基于晶態(tài)半導體晶圓集成有源和無源光子電路與單個微芯片上的電子元件。硅光子是實現(xiàn)可擴展性、低成本優(yōu)勢和功能集成性的首選平臺。采用該技術(shù),輔以必要的專業(yè)知識,可
2017-11-02 10:25:07
近幾年,硅光芯片被廣為提及,從概念到產(chǎn)品,它的發(fā)展速度讓人驚嘆。硅光芯片作為硅光子技術(shù)中的一種,有著非常可觀的前景,尤其是在5G商用來臨之際,企業(yè)紛紛加大投入,搶占市場先機。硅光芯片的前景真的像人們
2020-11-04 07:49:15
使企業(yè)效益獲得提升。 所謂“金無足赤,人無完人”,沒有任何一個木桶是嚴絲合縫的,在企業(yè)中也是一樣,管理弊病難免存在。那么是否需要時刻關(guān)注并排除這些漏洞呢?老代認為,并不盡然。 在進水量等于或小于出水量
2016-03-15 14:30:38
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
,因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不廣泛。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28 V至50 V,擁有低損耗、高熱傳導基板(如碳化硅,SiC),開啟了一系列全新的可能應(yīng)用。如今,硅基GaN技術(shù)局限于6 GHz以下
2018-10-17 10:35:37
MACOM六十多年的技術(shù)傳承,運用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù),提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當。基于氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
左右,目前已經(jīng)是第四代產(chǎn)品。MACOM總裁兼CEO John Croteau在財報會中透露,2016年第四季度已經(jīng)完成了Gen4 GaN的資質(zhì)認證,接到兩個主流LTE頻段的基站 OEM廠商的訂單。硅基
2017-05-23 18:40:45
,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴充產(chǎn)品線與進入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
(GaN)那么,問題來了,怎么解決高昂的價格?首先,先了解下什么是硅基氮化鎵,與硅器件相比,由于氮化鎵的晶體具備更強的化學鍵,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場而不會崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
描述該參考設(shè)計為客戶提供有關(guān)電源設(shè)計中 GaN 與 SI 使用情況的對比研究。該特定的設(shè)計使用 TPS40400 控制器來驅(qū)動 CSD87381(對于硅電源)和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中,一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。 相較于以往使用的硅晶體管,氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
作者: Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中,一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管,氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
`書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號:JFSJ-21-034作者:炬豐科技 摘要:在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
,GaN-on-Si 將實現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力,這將是一個很大的優(yōu)勢。由于硅是一種導電基板,因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰(zhàn)。第一個具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
高新技術(shù)企業(yè)(多點電容觸控ic及解決方案企業(yè))招聘品牌經(jīng)理(marketing communication),地點深圳福田,本科以上學歷,三年以上品牌推廣經(jīng)驗,半導體/電子行業(yè)優(yōu)先,年薪面議,歡迎
2013-07-03 12:11:30
認為,畢竟,GaN比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗),更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出,這就是GaN,無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了!至少現(xiàn)在看是這樣,讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區(qū)別?
2019-07-31 07:54:41
方形,通過兩個晶格常數(shù)(圖中標記為a 和c)來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導體領(lǐng)域,GaN 通常是高溫下(約為1,100°C)在異質(zhì)基板(射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC],電源電子應(yīng)用中為硅[Si])上通過
2019-08-01 07:24:28
TI始終引領(lǐng)著提倡開發(fā)和實施全面性方法,確保在嚴苛操作環(huán)境下,GaN設(shè)備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此,我們用傳統(tǒng)的硅方法制作GaN的硅基,從而利用硅的內(nèi)在特性。
2019-07-31 06:19:34
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為何要用GaN技術(shù)來實現(xiàn)5G通信?
2020-12-29 07:30:12
)。因此,硅注入毫無疑問對ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利?! 」ぷ骶w管 為了測試這種方法,我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術(shù)應(yīng)用到了真正的氮化鎵晶體管上,其設(shè)計如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
基礎(chǔ)設(shè)施和移動電話則需要更小巧、更低成本的超模壓塑料封裝,才可與采用塑料封裝的現(xiàn)有硅基LDMOS 或GaAs 器件競爭。同樣,移動電話注重低成本模塊,包括與其他技術(shù)組合的GaN,其與目前的產(chǎn)品并無二致,但也
2017-07-28 19:38:38
核心技術(shù)主要體現(xiàn)在三個方面:1、電壓水平硅海公司電壓設(shè)計制造水平為400-6500V,在行業(yè)內(nèi)排前5位,研發(fā)能力很強。具備進一步研發(fā)8500V的能力。2、電流水平硅海公司電流設(shè)計制造水平為
2014-02-28 09:29:39
可控硅及組件-廠家介紹 (企業(yè)簡介)一、企業(yè)簡介襄陽硅海電力電子有限責任公司位于國家級高新區(qū)—襄陽高新區(qū)。襄陽歷史悠久,人杰地靈,是電力半導體發(fā)展勝地。公司注冊資金2000萬,擁有50畝地現(xiàn)代化廠區(qū)
2013-09-22 09:51:41
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級,設(shè)計師可以在單級中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加,同時提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
目前傳統(tǒng)硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限, 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓撲,效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50
在過去的十多年里,行業(yè)專家和分析人士一直在預測,基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
氮化鎵(GaN)- 寬帶隙(WBG)材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管,代表著電力電子技術(shù)的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比,功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
,但經(jīng)過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試,GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于硅材料的工作溫度和電壓下,對GaN裝置進行了2000萬小時的加速可靠性測試。在此測試時間內(nèi),遠程
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強固,因此需謹慎應(yīng)用,集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題,給出一個驅(qū)動器方案,解決設(shè)計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益,可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
如何去提高鋰離子電池硅基負極循環(huán)性能?
2021-05-13 06:02:45
作為一項相對較新的技術(shù),氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計新人來說,在知曉了非線性GaN模型的基本概念(非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù),由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢,這項技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中,我們將比
2019-07-12 12:56:17
GaN技術(shù)實現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng),因為頻率越高,氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15
`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導雷達等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件,這使得市場對于射頻氮化鎵(GaN)器件的需求不斷升溫。舉個例子,現(xiàn)在的無線基站里面,已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件,在
2016-08-30 16:39:28
來看,基站功率放大器主要采用基于硅的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)。然而,越來越苛刻的要求逐漸暴露出LDMOS的局限性,并導致眾多供應(yīng)商在高功率基站功率放大器技術(shù)方面轉(zhuǎn)向了氮化鎵(GaN
2018-12-05 15:18:26
自主知識產(chǎn)權(quán)的功率型硅基LED芯片產(chǎn)業(yè)化光效超過140流明/瓦,GaN同質(zhì)襯底白光LED技術(shù)進展顯著,采用GaN/Al2O3復合襯底同質(zhì)外延技術(shù)制備的高亮度LED光效超過130 lm/W;深紫外LED發(fā)光
2016-03-03 16:44:05
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
天基嵌入式MPP圖像處理技術(shù)有哪些功能?天基嵌入式MPP圖像處理技術(shù)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-02 06:14:12
正如每種醫(yī)療過程的背后都有著一門真正的科學,在確定用于輔助疾病的診斷和治療的復雜醫(yī)療設(shè)備中的氣流和硅基壓力傳感器的背后也存在著一門科學。三種使用氣流和硅基壓力傳感器的醫(yī)療應(yīng)用是:麻醉機、睡眠呼吸機和醫(yī)院診斷設(shè)備。
2019-11-06 08:00:23
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗:傳導損耗和開關(guān)損耗。 功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN 晶體管(取代舊的硅技術(shù))的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18
和高頻場效應(yīng)晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學特性,如 GaN 和碳化硅(SiC) ,克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是,WBG 半導體可用于可擴展的汽車電氣系統(tǒng)和電動汽車(電動汽車
2022-06-15 11:43:25
%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W~100W之間,最大功率達到1500W(工作頻率在1.0-1.1GHz,由Qorvo生產(chǎn)),采用的技術(shù)主要是GaN/SiC GaN路線。此外,部分企業(yè)提供GaN射頻模組產(chǎn)品,目前
2019-04-13 22:28:48
,這對于很多高壓應(yīng)用都是一項顯著的優(yōu)勢。當然,一項已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會一夜之間被取代,但經(jīng)過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試,GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于硅材料
2020-10-27 10:11:29
[size=0.19]維安WAYON從原理到實例:GaN為何值得期待?(WAYON維安一級代理分銷KOYUELEC光與電子提供原廠技術(shù)支持)功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要指能夠
2021-12-01 13:33:21
不盡然,即便是電子行業(yè)中的后起之秀不斷涌現(xiàn),只要順應(yīng)時代發(fā)展進行自身內(nèi)部的改變,老品牌還是可以屹立不倒。芯片解密助企業(yè)加快內(nèi)部的技術(shù)改變。 芯片解密是一種反向研究技術(shù),相對芯片加密而言,芯片開發(fā)者
2017-06-17 14:09:31
請問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎?
2021-04-19 09:22:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散(除非晶體管的效率為100%)。· 因此,GaN 晶體管變得非常熱,熱管理成為重要的設(shè)計考慮因素。幸運的是,碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
NPA1006AGaN 放大器 28 V,12.5 W 20 - 1000 MHzNPA1006A 是一款針對 20 - 1000 MHz 運行優(yōu)化的硅基 GaN 放大器。該放大器專為飽和和線性運行
2022-12-08 12:10:47
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管,工作頻率為 DC 至 3.5 GHz,功率為 50 W,增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝,面向軍事和大批量商業(yè)市場。 
2023-04-14 15:39:35
MAPC-A1508GaN 放大器 50 V,700 W 900 - 930 MHzMAPC-A1508 是一款碳化??硅基 GaN HEMT D 型放大器,適用于 900
2023-04-23 13:18:27
MAPC-A2021GaN 放大器 32 V,8 W 1.8 - 2.7 GHz - MACOM PURE CARBIDEMAPC-A2021 是一款碳化??硅基 GaN
2023-04-23 14:59:32
國鐵復興聯(lián)合Rokid發(fā)布復興號AI音箱,該款智能音箱搭載了 YodaOS,提供全棧語音技術(shù),可語音查詢高鐵信息。
2019-08-29 12:34:001771 GaN 技術(shù)的過去和現(xiàn)在
2023-12-06 18:21:00432
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