手機(jī)射頻技術(shù)和手機(jī)射頻模塊構(gòu)成簡介

　　進(jìn)入移動互聯(lián)網(wǎng)時代，手機(jī)集成了越來越多的RF技術(shù)，比如支持LTE、TD-SCDMA、WCMDA、CDMA2000、HSDPA、EDGE、GPRS、GSM中多個標(biāo)準(zhǔn)的雙模/多模手機(jī)，可實現(xiàn)VoIP、導(dǎo)航、自動支付、電視接收的Wi-Fi、GPS、RFID、NFC手機(jī)。采用多種RF技術(shù)使手機(jī)的設(shè)計變得越來越復(fù)雜。

　　手機(jī)射頻技術(shù)和手機(jī)射頻模塊基本構(gòu)成

　　3G手機(jī)射頻部分由射頻接收和射頻發(fā)送兩部分組成，其主要電路包括天線、無線開關(guān)、接收濾波、頻率合成器、高頻放大、接收本振、混頻、中頻、發(fā)射本振、功放控制、功放等。

　　總體來說，基本的手機(jī)射頻部分中的關(guān)鍵元件主要包括RF收發(fā)器（Transceiver），功率放大器（PA），天線開關(guān)模塊（ASM），前端模塊（FEM），雙工器，RF SAW濾波器及合成器等，如圖所示。下面將著重從三個基本部分開始介紹：

　　圖 手機(jī)射頻模塊基本構(gòu)成圖

　　手機(jī)射頻模塊功率放大器（PA）

　　功率放大器（PA）用于將收發(fā)器輸出的射頻信號放大。功率放大器領(lǐng)域是一個有門檻的獨(dú)立的領(lǐng)域，也是手機(jī)里無法集成化的元件，同時這也是手機(jī)中最重要的元件，手機(jī)性能、占位面積、通話質(zhì)量、手機(jī)強(qiáng)度、電池續(xù)航能力都由功率放大器決定。

　　功率放大器領(lǐng)域主要廠家是RFMD、Skyworks、TriQuint、Renesas、NXP、Avago、ANADIGICS?，F(xiàn)在，原本是PA企業(yè)合作伙伴的高通，也直接加入到PA市場中，將在2013年下半年推出以CMOS制程生產(chǎn)的PA，支持LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA與GSM/EDGE七種模式，頻譜將涵蓋全球使用中的逾40個頻段，以多頻多模優(yōu)勢宣布進(jìn)軍PA產(chǎn)業(yè)。

　　PA市場經(jīng)歷了LDMS PA“擂主”時代之后，砷化鎵（GaAs）PA成為3G時代PA市場的“擂主”。當(dāng)年帶領(lǐng)砷化鎵攻打PA市場的TriQuint正在積極布局砷化鎵的藍(lán)圖，針對3G/4G智能手機(jī)擴(kuò)展連接推出高效率多頻多模功率放大器MMPA。

　　而高通以CMOS PA攻擂PA市場，未來PA可能會成為手機(jī)平臺的一部分，并會出現(xiàn)手機(jī)芯片平臺企業(yè)收購、兼并PA企業(yè)的現(xiàn)象。

　　如何集成這些不同頻段和制式的功率放大器是業(yè)界一直在研究的重要課題。目前有兩種方案：一種是融合架構(gòu)，將不同頻率的射頻功率放大器PA集成；另一種架構(gòu)則是沿信號鏈路的集成，即將PA與雙工器集成。兩種方案各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的手機(jī)。融合架構(gòu)，PA的集成度高，對于3個以上頻帶巨有明顯的尺寸優(yōu)勢，5-7個頻帶時還巨有明顯的成本優(yōu)勢。缺點(diǎn)是雖然PA集成了，但是雙工器仍是相當(dāng)復(fù)雜，并且PA集成時有開關(guān)損耗，性能會受影響。而對于后一種架構(gòu)，性能更好，功放與雙功器集成可以提升電流特性，大約可以節(jié)省幾十毫安電流，相當(dāng)于延長15%的通話時間。所以，業(yè)內(nèi)人士的建議是，大于6個頻段時（不算2G，指3G和4G）采用融合架構(gòu)，而小于四個頻段時采用PA與雙工器集成的方案PAD。目前TriQuint可提供兩種架構(gòu)的方案，RFMD主要偏向于融合PA的架構(gòu)，Skyworks偏向于多頻PAD方案。

　　手機(jī)射頻模塊RF收發(fā)器

　　收發(fā)器是手機(jī)射頻的核心處理單元，主要包括收信單元和發(fā)信單元，前者完成對接收信號的放大，濾波和下變頻最終輸出基帶信號。通常采用零中頻和數(shù)字低中頻的方式實現(xiàn)射頻到基帶的變換;后者完成對基帶信號的上變頻、濾波、放大。主要采用二次變頻的方式實現(xiàn)基帶信號到射頻信號的變換。當(dāng)射頻/中頻（RF/IF）IC接收信號時，收信單元接受自天線的信號（約800Hz～3GHz）經(jīng)放大、濾波與合成處理后，將射頻信號降頻為基帶，接著是基帶信號處理;而RF/IFIC發(fā)射信號時，則是將20KHz以下的基帶，進(jìn)行升頻處理，轉(zhuǎn)換為射頻頻帶內(nèi)的信號再發(fā)射出去。

　　前些年收發(fā)器領(lǐng)域廠家分為兩大類，一類是依托基頻平臺，將收發(fā)器作為平臺的一部分，如高通、NXP、飛思卡爾和聯(lián)發(fā)科。這是因為收發(fā)器與基頻的關(guān)系非常密切，兩者通常需要協(xié)同設(shè)計。另一類是專業(yè)的射頻廠家，不依靠基頻平臺來拓展收發(fā)器市場，如英飛凌、意法半導(dǎo)體、和Skyworks。

　　隨著收發(fā)器向集成化和多?；l(fā)展，單模的收發(fā)器已經(jīng)完全集成到基頻里。不同頻段和制式的射頻前端器件也一直在以不同的方式集生產(chǎn)。分立的RF收發(fā)器越來越少見。

　　手機(jī)射頻前端模塊（FEM）

　　前端模塊集成了開關(guān)和射頻濾波器，完成天線接收和發(fā)射的切換、頻段選擇、接收和發(fā)射射頻信號的濾波。在2GHz以下的頻段，許多射頻前端模塊以互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 （CMOS）、雙極結(jié)型晶體管 （BJT）、硅鍺 （SiGe）或Bipolar CMOS等硅集成電路制程設(shè)計，逐漸形成主流。由于硅集成電路具有成熟的制程，足以設(shè)計龐大復(fù)雜的電路，加上可以與中頻與基頻電路一起設(shè)計，因而有極大的發(fā)展?jié)摿?。其它異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶體管亦在特殊用途的電路嶄露頭角;然而在5GHz以上的頻段，它在低噪聲特性、高功率輸出、功率增加效率的表現(xiàn)均遠(yuǎn)較砷化鎵場效晶體管遜色，現(xiàn)階段砷化鎵場效晶體管制程仍在電性功能的表現(xiàn)上居優(yōu)勢。射頻前端模塊電路設(shè)計以往均著重功率放大器的設(shè)計，追求低電壓操作、高功率輸出、高功率增加效率，以符合使用低電壓電池，藉以縮小體積，同時達(dá)到省電的要求。功率增加效率與線性度往往無法兼顧，然而在大量使用數(shù)字調(diào)變技術(shù)下，如何保持良好的線性度，成為必然的研究重點(diǎn)。