`恩智浦半導(dǎo)體在眾多半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)長(zhǎng)期位于領(lǐng)先的位置，恩智浦半導(dǎo)體具有非常豐富的通用MICR產(chǎn)品系列，從經(jīng)典的8位/16位，數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）,Arm7,Arm9到Arm Cortex-M
2018-06-20 17:26:44
"恩智浦未來科技峰會(huì)”是恩智浦規(guī)模最大的高端行業(yè)峰會(huì)，旨在通過精彩座談、技術(shù)研討、最新科技和解決方案的展示引領(lǐng)業(yè)界通過技術(shù)創(chuàng)新為世界帶來改變！
2018-09-10 13:37:35
LDMOS? L DMOS (橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體) 結(jié)構(gòu)見圖?！ ≡诟邏?b class="flag-6" style="color: red">功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路?！ ∨c晶體管相比，在關(guān)鍵
2020-05-24 01:19:16
GaN為5G sub-6GHz大規(guī)模MIMO基站應(yīng)用提供的優(yōu)勢(shì)LDMOS的優(yōu)勢(shì)是什么如何選擇正確的晶體管技術(shù)
2021-03-09 07:52:21
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對(duì)于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶體管在5~6dB,采用
LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對(duì)于相同的輸出
功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性?！ ?/div>
2019-06-26 07:33:30
ELX.O，Maxlinear以2.87億美元收購Entropic Communications，Lattice半導(dǎo)體則將以6億美元價(jià)格收購Silicon Image。3月初，恩智浦(NXP)以約
2015-12-07 14:50:33
恩智浦發(fā)布革命性簡(jiǎn)單易用的LPC800.pdf
2016-09-19 08:17:44
有興趣的朋友可以看看啊恩智浦KW41Z有獎(jiǎng)創(chuàng)意征集令高能來襲http://www.eeworld.com.cn/huodong/201611_NXPKW41ZActivity1/index.html
2017-01-15 21:02:05
單元提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。本文將重點(diǎn)討論恩智浦針對(duì)功率300W、電壓12-30V的無刷直流電機(jī)開發(fā)的演示板。轉(zhuǎn)子定向反饋利用霍爾傳感器確定，并通過個(gè)人電腦采用CAN或UART方式與外界相連。恩智浦
2010-11-29 15:04:02
新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(shù)(SPIFI，已申請(qǐng)專利)可以幫助32位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用
2019-10-31 06:32:38
本實(shí)驗(yàn)的目的是使用ARM KEIL MDK工具包向您介紹恩智浦Cortex?-M33處理器系列，該工具包采用μVision?集成開發(fā)環(huán)境。
在本教程結(jié)束時(shí)，您將自信地使用恩智浦處理器和Keil
2023-08-24 07:46:51
本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:54 編輯
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布，其PN544近距離無線通信 (NFC
2011-10-27 15:36:03
可通過多種方式，其中最有效的是將專門構(gòu)建的專用神經(jīng)處理單元（NPU），或稱為機(jī)器學(xué)習(xí)加速器（MLA）或深度學(xué)習(xí)加速器（DLA）集成到器件中，以補(bǔ)充CPU計(jì)算核心。恩智浦提供廣泛的產(chǎn)品組合，從傳統(tǒng)
2023-02-17 13:51:16
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">恩智浦半導(dǎo)體于2017年開始推出的i.MX RT系列重新定義了MCU，其第一款
2021-11-04 07:08:30
恩智浦、飛思卡爾基于i.MX&ARM MCU項(xiàng)目完整資料
2016-06-17 16:47:40
恩智浦小車電路圖當(dāng)年華南賽和隊(duì)友整的當(dāng)年華南賽和隊(duì)友整的驅(qū)動(dòng)電路主控電路，程序源碼需要者再聯(lián)系吧。恩成績(jī)肯定不好不壞，應(yīng)該具有一定參考意義。
2022-01-19 08:08:00
Open RAN（O-RAN）發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，在全球迅速普及，恩智浦通過打造增強(qiáng)型參考設(shè)計(jì)，助力5G O-RAN的快速部署。這包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解決方案（稱為
2023-02-28 14:06:45
中國(guó)上?！?023年3月2日 ——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）宣布推出一款專為Matter設(shè)計(jì)的安全芯片——EdgeLock
2023-03-02 14:36:01
的視覺盲角問題。我們非常高興能與恩智浦合作，將其S32R41處理器用在我們的新型雷達(dá)產(chǎn)品中。”恩智浦ADAS產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)Huanyu Gu表示：“恩智浦S32R41處理器專為用低功率提供高性能而打造，可
2023-03-14 16:10:18
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日為時(shí)尚、零售和電子市場(chǎng)推出了其最新的UHF解決方案?；诮Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先
2019-08-01 08:28:10
第十五屆恩智浦智能汽車競(jìng)賽結(jié)束了，我們第一回做四輪組的小白，摸爬滾打了一個(gè)月，中間有劃水，也有熬夜，走了許多彎路，最終成績(jī)很慘，沒能完賽，（雖然我自己感覺離完賽就差一個(gè)坡道），期間還是學(xué)習(xí)了很多知識(shí)
2022-01-27 06:09:04
恩智浦智能賽車的驅(qū)動(dòng)模塊定時(shí)器應(yīng)該定時(shí)多久才能開始打腳，定時(shí)一般怎么編寫
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能賽車舵機(jī)打腳pwm占空比實(shí)際是輸出電壓高低，但在定時(shí)器中處理要怎樣進(jìn)行
2017-03-30 17:38:10
證明所需的水印和人工制品的設(shè)施，以及準(zhǔn)確的時(shí)間戳。該水印工具現(xiàn)已作為恩智浦 eIQ 開發(fā)環(huán)境的一部分提供。 i.MX 95 應(yīng)用處理器預(yù)計(jì)將于 2023 年下半年開始發(fā)布樣片。
2023-02-16 11:20:03
`從以下幾方面詳細(xì)介紹恩智浦目前針對(duì)USBPD提供的負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品：1. 恩智浦負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品的規(guī)格2. 恩智浦負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品的保護(hù)特性3. 恩智浦負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品和分立方案的比較`
2015-06-03 15:21:07
導(dǎo)讀：日前，恩智浦半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱“NXP”）對(duì)外發(fā)布一款用于X電容的自動(dòng)放電IC--TEA1708.此器件擁有的自動(dòng)放電功能加上抵抗電壓浪涌的高度耐用性，輕易的滿足了新的電源規(guī)范要求，成為電源
2018-09-28 16:25:19
用的keil5，是恩智浦的官方示例，但build都build不成功，錯(cuò)誤如下：.\keil_output\iflash_nxp_lpcxpresso_824\freertos_blinky.axf
2016-08-27 21:27:47
物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI-IoT）已經(jīng)到來，如何在這場(chǎng)即將到來的大規(guī)模市場(chǎng)中取勝？恩智浦的無線連接主要體現(xiàn)在哪幾個(gè)方面？
2021-06-16 08:30:12
寬帶 LDMOS 系列產(chǎn)品組合中選擇您的解決方案。手機(jī)寬帶 晶體管脈沖雷達(dá)晶體管功率放大器超高頻廣播XR 晶體管 50V、60V寬帶放大器12 V、32 V 和 50 V
2021-06-28 18:02:51
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
恩智浦推專為液晶背光應(yīng)用設(shè)計(jì)的高電壓全橋逆變器IC恩智浦發(fā)布了其高電壓全橋背光控制器IC UBA2074及其低壓版本UBA2072。由這兩款I(lǐng)C共同組成嶄新的全橋背光控制器IC系列
2008-09-25 14:02:25
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有優(yōu)良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56:36
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
如何使用恩智浦USB協(xié)議棧來設(shè)置音頻類設(shè)備
2022-12-08 06:45:33
符合。本文的研究表明:對(duì)分立式拉曼放大器通過反射機(jī)制實(shí)現(xiàn)泵浦光的雙程泵浦,可在泵浦功率不變和保持較好噪聲特性的同時(shí),大大提升放大器的增益和功率轉(zhuǎn)換效率。增益的提升上限取決于系統(tǒng)受激布里淵散射的閾值,在
2010-05-13 09:03:53
的阻抗匹配范圍、優(yōu)化性能以及架構(gòu)選擇，所以為PA設(shè)計(jì)提供了很大靈活性。但如何滿足WiMAX基站系統(tǒng)對(duì)PA的高輸出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文討論的基于硅LDMOS技術(shù)的RFIC具有足夠輸出功率，能
2019-06-25 06:55:46
，結(jié)果表明，在保證LDMOS器件參數(shù)不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor
2019-07-31 07:30:42
發(fā)射功率和頻偏都是性能優(yōu)化過程中比較重要的參數(shù)，不支持驅(qū)動(dòng)直接修改。都是在firmware文件中設(shè)置的，都是經(jīng)過大量測(cè)試才定的。所以一般不建議客戶自己修改，以避免引起性能問題?？蛻粼谧鐾掏滦阅軆?yōu)化過程中問到:如何查看和修改xr829的發(fā)射功率和頻偏？
2021-12-29 06:24:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
LDMOS RF功率放大器因其極高的性價(jià)比在GSM和CDMA基站市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。使用LDMOS放大器時(shí)，保證高性能的一個(gè)關(guān)鍵因素是補(bǔ)償柵極偏置電壓，以在溫度變化時(shí)保持恒定的靜態(tài)電流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。
2019-08-23 06:38:37
快充的原理是什么？有哪些提升快充功率的方法？
2021-09-26 08:29:47
本人菜鳥，想用恩智浦SSL21083芯片制作電源，請(qǐng)教電路中的疑問。1. 電路圖中的D2穩(wěn)壓管起什么作用？可否去掉？2.其中NTC熱敏電阻我不想用，該用阻值多少的電阻代替？
2013-08-22 11:31:53
各位大神，有沒有用過BLF242和BLF246B PHILIPS 的，給小弟推薦幾個(gè)這兩款NMOS的替代型號(hào)呀。先謝謝了。
2015-09-12 21:25:00
請(qǐng)哪位大神幫助介紹恩智浦SPC564L60x電源引腳號(hào)和電源電壓。謝謝。***
2018-12-04 11:05:54
■ 恩智浦半導(dǎo)體 K. Werner，S. Theeuwen，J. de Boet，V. Bloem，W. Sneijers高壓LDMOS是高達(dá)3.8GHz的國(guó)防和航空電子設(shè)備RF功率應(yīng)用的最佳技術(shù)
2019-07-05 07:01:04
用于工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (ISM) 應(yīng)用的 140 W LDMOS 功率晶體管，頻率范圍為 2400 MHz 至 2500 MHz。BLF2425M9LS140 BLF
2022-05-06 19:14:08
S912ZVC12F0MLF，汽車NXP處理器MCU,NXP(恩智浦)S912ZVC12F0MLF，汽車NXP處理器MCU,NXP(恩智浦) 制造商
2023-02-27 15:07:45
BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號(hào)： BLF
2024-02-29 16:14:13
BLF647PS BLF647PS BLF647PS 寬帶功率LDMOS晶體管適用于廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)應(yīng)用的 200 W LDMOS RF 功率晶體管。該
2024-02-29 19:30:36
BLF647PBLF647P 寬帶功率LDMOS晶體管適用于廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)應(yīng)用的 200 W LDMOS RF 功率晶體管。該晶體管適用于 HF 至 1500 MHz 的頻率范圍。該
2024-02-29 19:31:22
BLF974PBLF974P HF/VHF功率LDMOS晶體管500 W LDMOS 功率晶體管，適用于 HF 至 700 MHz 頻段的廣播應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用。BLF974P
2024-02-29 19:36:35
BLF978PBLF978P HF/VHF功率LDMOS晶體管1200 W LDMOS 功率晶體管，適用于 HF 至 700 MHz 頻段的廣播應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用。BLF978P 特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)
2024-02-29 19:37:15
BLF944PBLF944P 功率LDMOS晶體管適用于非蜂窩通信和工業(yè)應(yīng)用的 135 W LDMOS 晶體管。該器件出色的耐用性使其非常適合 HF 至 1300 MHz 頻率范圍內(nèi)的移動(dòng) NCC
2024-02-29 20:36:21
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場(chǎng)
2010-09-17 18:29:31
20 基于BLF888設(shè)計(jì)的500W RF廣播發(fā)射方案
NXP 公司的BLF888是500W LDMOS RF功率晶體管，用于廣播發(fā)射和工業(yè)應(yīng)用。在UHF頻帶470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W，
2010-05-23 08:58:21
2556 
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 本文設(shè)計(jì)了一種工作在1.8GHz 的 F類功率放大器 ，使用LDMOS 晶體管作為有源器件以便產(chǎn)生高功率和高效率。F 類放大器通過對(duì)不同的諧波進(jìn)行調(diào)諧來峰化漏極電壓和電流的波形，漏極電壓
2011-08-18 17:36:4265 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競(jìng)爭(zhēng)器件中最強(qiáng)的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 提出了具有n 埋層PSOI(部分SOI) 結(jié)構(gòu)的射頻功率LDMOS 器件. 射頻功率LDMOS 的寄生電容直接影響器件的輸出特性. 具有n 埋層結(jié)構(gòu)的PSOI 射頻LDMOS ,其Ⅰ層下的耗盡層寬度增大,輸出電容減小,漏
2011-12-01 14:13:4336 眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMO
2012-05-28 11:18:541774 本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測(cè)試過程來判斷它們的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301 基于ADS軟件，選取合適的靜態(tài)直流工作點(diǎn)，采用負(fù)載牽引法得到LDMOS晶體管BLF7G22L130的輸出和輸入阻抗特性，并通過設(shè)計(jì)和優(yōu)化得到最佳的共軛匹配網(wǎng)絡(luò)，設(shè)計(jì)出高效率功率放大器。AD
2012-11-09 16:32:5359 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261534 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:091923 本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測(cè)試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 使用。最新的版本介紹了NXP公司的BLF884P和BLF884PS晶體管，用于從470到806 MHz，70 W的DVB-T UWB LDMOS超寬帶多爾蒂功率放大器參考設(shè)計(jì)，采用了NXP公司的專利體系
2017-12-06 12:49:01313 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08354 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-03-18 15:53:16947 
安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為
2018-05-02 14:44:003828 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001388 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004432 180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:0012 10 W WiMAX LDMOS功率晶體管在3400 MHz至3600 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:007 130 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:005 140 W LDMOS功率晶體管在2500 MHz至2700 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:005 170 W LDMOS功率晶體管，具有改善的視頻帶寬，用于從1800 MHz到1990 MHz的頻率的基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:007 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無線電應(yīng)用。
2018-09-30 16:41:002731 本次會(huì)議將介紹恩智浦用成熟的、業(yè)界最好的LDMOS技術(shù)，推出的面向蜂窩通訊頻段的高功率應(yīng)用，包括介紹全通訊頻段射頻高功率產(chǎn)品組合。
2019-01-23 07:24:002647 
本次會(huì)議將介紹恩智浦用成熟的、業(yè)界最好的LDMOS技術(shù)，推出的面向蜂窩通訊頻段的高功率應(yīng)用，包括介紹全通訊頻段射頻高功率產(chǎn)品組合。?
2019-01-23 07:12:002686 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是BLF6G38-50和BLF6G38LS-50 LDOS晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。50w ldmos功率晶體管，用于3400mhz至3800mhz頻率的基站應(yīng)用。
2019-10-12 08:00:005 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS
2020-08-12 18:52:000 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD188規(guī)格書
2021-12-13 16:10:245 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論