用于射頻系 統(tǒng)(如無線接收機)的本振電路需要有足夠大的調(diào)節(jié)范圍以及良的性能。CMOS VCO由于可用于實現(xiàn)全集成的無線接收機，一直備受關注。然而由于受到MOS管和電感寄生電容的影響，CMOS
2019-08-27 06:07:19
元器件選型應該是工程師在設計時的必須步驟。而選擇合適的的電感器可以幫助射頻接收機更加高效地處理信號，更好的扼制更多峰值噪聲，而選擇電感器時需要綜合考慮多個參數(shù)。那么如何正確的選擇適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">射頻電感器呢
2019-08-21 07:06:25
/SiGe射頻功放芯片產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗，具有量產(chǎn)經(jīng)驗者佳；3、熟悉射頻大信號有源和無源器件模型；4、熟悉ADS，Cadence等射頻芯片設計工具；5、熟悉矢網(wǎng)、頻譜儀、示波器等射頻功率放大器測試儀器及測試
2013-12-18 11:10:24
求解！1.2G射頻電路中一自制單匝電感，通電后用手接觸電感，則電路可以正常工作；手放開則不能正常工作，是什么原因？電感應如何改進？
2012-11-20 20:12:55
電源的電感工作影響了我的射頻信號質(zhì)量，請問應該怎么解決。。。射頻電路中，DC-DC的電感選擇有哪些需要注意的地方。
2019-03-11 09:43:41
The IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe) HighDynamic Range, Low-Noise Transistor is a
2009-05-12 11:35:41
Abracon 射頻多層陶瓷電感中的“多層”參考了電感生產(chǎn)過程中將陶瓷材料各層疊壓在一起的生產(chǎn)工藝。多層陶瓷電感可以通過改變疊層工藝、端子加工工藝和導電圖案來優(yōu)化自諧振頻率（SRF）、Q值和DCR
2023-08-22 09:29:59
請問大家知不知道怎么用cadence仿真有源電感?。康玫诫娐返牡刃?b class="flag-6" style="color: red">電感值，與頻率有關。
2019-03-27 20:11:08
應用評估板評估IBM43RF0100 SiGe HBT晶體管在 1.9GHz CDMA驅(qū)動器應用情況;
The IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe
2009-05-12 11:32:43
31 Qorvo 的 QPA2286A 是一款可級聯(lián)的 SiGe HBT MMIC 放大器，工作頻率范圍為 DC 至 5 GHz。它在 1950 MHz 時提供超過 13.7 dB 的信號增益，噪聲系數(shù)為
2022-10-13 11:43:37
介紹了幾種射頻電路中常見的電感形式,給出了其電感值和Q 值的計算公式,可用于工程中設計和分析電感,并闡述了幾種電感的實際應用。關鍵詞 射頻電路 電感元件
2009-12-11 09:20:1781 適用于衛(wèi)星通信的SiGe HBT集成功率放大器設計:本文介紹了采用IBM 5PAE 0.35μm-SiGe BiCMOS 工藝并適用于3.33-3.53GHz 衛(wèi)星通信的功率放大器的設計。該電路采用兩級放大器級聯(lián)結(jié)構并工作于A
2009-12-14 09:38:1015 QPA6489A DC - 3500 MHz 可級聯(lián) SiGe HBT 放大器 產(chǎn)品介紹Qorvo 的 QPA6489A 是一款高性能的 SiGe HBT MMIC 放大器。其達林頓配置
2023-06-28 11:06:39
針對目前國內(nèi)RFIC發(fā)展比較滯后的現(xiàn)狀，設計了3款應用于GNSS接收機的基于0.5μm SiGe HBT工藝的混頻器（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ），并采用針對混頻器的優(yōu)良指數(shù)FOM（figure-of-merit）對這3個混頻器進
2011-01-04 16:34:4531
有源電感電路圖
2009-04-03 08:42:28
2071 
采用SiGe：C BiCMOS工藝技術的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 提出了一種使用有源電感的電路實現(xiàn)方案, 可用于寬帶無線收發(fā)機射頻放大電路的設計中。分析了有源電感的阻抗與各元件取值的關系, 設計了中心頻點調(diào)節(jié)電路和具有魯棒性的偏置電路, 保證工藝偏差和電源電壓波動對有源電感的阻抗具有很弱的影響。在SM IC 0. 18-
2011-02-21 15:35:5239 SGA4286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:19:001 SGA3386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 RFMD的SGC-6289Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用具有有源偏置網(wǎng)絡的達林頓結(jié)構。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6289Z被設計成直接從5V電源
2018-09-13 11:19:007 SGA6389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 SGA6386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:004 SGA4286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 該SGA6586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA5589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA3286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物
2018-09-12 11:25:004 SGA2486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 SGA2486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:009 SGA3363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物
2018-09-11 11:25:001 SGA3263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4186Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 該SGA3463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:005 SGA789Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-10 11:25:007 RFDD的SGB-223是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGB-2233被設計成直接從3V到5V電源運行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC2363Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達林頓結(jié)構，具有專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC2363Z設計成直接從3V電源運行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC4363Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4363Z設計成直接從3V電源運行
2018-09-10 11:25:0010 RFMD的SGC4463Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4463Z被設計成直接從3V電源運行
2018-09-10 11:25:005 RFMD的SGC4263Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。與典型的達林頓放大器相比，SGC4263Z
2018-09-07 11:25:003 RFMD的SGC4563Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4563Z設計成直接從3V電源運行
2018-09-07 11:25:002 RFMD的SGC-6289Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用具有有源偏置網(wǎng)絡的達林頓結(jié)構。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6289Z被設計成直接從5V電源
2018-09-07 11:25:002 RFDD的SGC4486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。設計用于直接從3V電源，SGC448 6Z
2018-09-07 11:25:003 RFDD的SGC-6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。設計成直接從5V電源運行，與傳統(tǒng)的達林頓
2018-09-07 11:25:0012 RFMD的SGC6389Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達林頓結(jié)構，具有專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6389Z被設計成直接從5V電源
2018-09-07 11:25:009 SGA6286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 SGA6389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:001 SGA6486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:009 SGA6386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:000 SGA6589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 該SGA6586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:006 SGA6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:005 RFMD的SGC2363Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達林頓結(jié)構，具有專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC2363Z設計成直接從3V電源運行
2018-09-07 11:25:001 SGA6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-06 11:25:005 SGA6289Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-06 11:25:004 SGA0363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。只有兩個直流阻斷電容器，一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈所需的操作。
2018-07-25 11:25:511 SGA0163Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。只有兩個直流阻斷電容器，一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈所需的操作。
2018-09-05 11:25:001 SGA2263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2163Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA2463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:001 SGA2286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA2363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2186Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA4363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:007 SGA2386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:009 SGA4486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:000 該SGA4463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:0012 SGA4386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 該SGA4586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:0011 SGA5286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA5289Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA5389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA5386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-25 11:25:553 SGA586Z是一種高性能的SiGe (異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-04 11:25:007 SGA5586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-03 11:25:0012 SGA589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-03 11:25:0010 QPA4463A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-29 11:26:002 QPA4263A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:0011 QPA789A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:003 RFMD的SGB2400是一種高性能達林頓SiGe HBT MMIC放大器與片上有源偏置電路。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGB2400設計用于直接從3V電源供電。SGB2400產(chǎn)品是專為高線性3V增益塊應用，需要小尺寸和最小的外部組件。模具內(nèi)部匹配為50μm。
2018-08-17 11:27:004 RFMD的SGB-2233是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。設計成直接從3VTO 5V電源運行，SGB-223不需要典型的達林頓放大器的降壓電阻器。
2018-07-27 11:30:0012 RFDD的SGC2463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與專利有源偏置網(wǎng)絡。有源偏置網(wǎng)絡提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。設計成直接從3V電源運行，與典型的達林頓
2018-07-26 11:30:004 SGA789Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:0012 SGA6589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:008 使用占片面積大的螺旋電感，最終研制出的SiGe HBT LNA 芯片面積僅為0.282 mm2。測試結(jié)果表明，在工作頻帶0.2-1.2 GHz 內(nèi)，LNA 噪聲系數(shù)低至2.5 dB，增益高達26.7 dB，輸入輸出端口反射系數(shù)分別小于-7.4 dB 和-10 dB。
2019-06-08 09:11:001861 
HMC481MP86：SiGe HBT CHBT CHE BMIC Amplifer，DC-5 GHz數(shù)據(jù)Sheet
2021-04-17 12:06:2611 半導體合格測試報告：SiGe HBT-A(QTR：2013-00227)
2021-04-24 18:17:327 半導體合格測試報告：SiGe HBT-B(QTR：2013-00236)
2021-04-26 16:51:5214 HMC471：雙SiGE HBT boin broplifer SMT，DC-5 GHz過時的數(shù)據(jù)Sheet
2021-04-28 20:59:454 HMC481ST89：SiGe HBT CHBT Bin MIMC安培設備，DC-5 GHz數(shù)據(jù)Sheet
2021-05-19 19:35:483 所以從這個角度來說，哪個有源MOS管子可以實現(xiàn)這樣的阻抗變化，就可以稱為有源電感。
2023-09-21 11:02:321081 
最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片，在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標，針對應用會在文末給大家一些方向性參考。 雷達前端TRA?240_091是一個集成收發(fā)的電路，用于240
2023-11-16 09:19:29518 
射頻微波器件——GPS有源功分器
2023-12-06 09:05:15329 
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