昱科半導體創(chuàng)10納米級晶格數(shù)據(jù)存儲里程碑

　　HGST（原日立環(huán)球儲存科技公司，現(xiàn)為西部數(shù)據(jù)（NASDAQ:WDC）旗下子公司）正在引領硬盤行業(yè)進入納米光刻技術前沿，擴展至半導體制造商的視野。通過創(chuàng)建和復制細微的部件，HGST將把未來硬盤（HDD）存儲密度增加一倍。

　　HGST實驗室日前宣布，通過融合兩種創(chuàng)新納米技術—即自組裝分子技術和納米壓印技術，他們成功創(chuàng)造了大面積的高密度存儲介質，其中磁島的寬度只有一百億分之一米（10納米），只相當于大約50個分子并排的寬度，或者比人類頭發(fā)絲的十萬分之一還要細。

未來磁盤

　　“作為傳統(tǒng)硬盤的制造商，能利用當今納米技術的進步，繼承與發(fā)揚我們創(chuàng)新的傳統(tǒng)，我們感到很自豪，”HGST研究中心副總裁CurrieMunce表示，“HGST實驗室采用的自組裝分子和納米壓印等新興技術將對納米制造產(chǎn)生巨大影響，使得晶格介質將在本十年周期完結之前，成為提高磁盤密度的經(jīng)濟型手段?！?/p>

　　HGST在納米光刻技術中的研究成果克服了光刻技術中所面臨的挑戰(zhàn)。在半導體行業(yè)中，為了不斷實現(xiàn)更小的電子部件而使用越來越短的傳統(tǒng)光波長、改進的光學器件、掩碼、光敏材料及更加智能的技術時，光刻技術一直是首選技術，但是因為紫外光源已經(jīng)變得過于復雜和昂貴，光刻技術的發(fā)展步伐日漸緩慢。

　　HGST正成為納米光刻技術的領導廠商。今天所宣布的成果代表著HGST正以創(chuàng)造性的方式解決光刻技術問題，并已經(jīng)超越了存儲行業(yè)獨特的技術目標和嚴苛的成本目標。HGST納米光刻技術成果是在硬盤行業(yè)發(fā)展的關鍵時點出現(xiàn)，因為云計算、社交網(wǎng)絡和移動性正創(chuàng)造出數(shù)量日益龐大的內(nèi)容，所以必須高效地存儲、管理和訪問這些內(nèi)容。

　　納米光刻工藝進程

　　在美國加里福尼亞州圣何塞舉行的2013年國際光學工程學會高級光刻技術大會上，HGST研究員TomAlbrecht介紹了HGST的納米光刻技術成果。他介紹了其團隊與位于美國德克薩斯州奧斯汀的MolecularImprintsInc.公司合作開發(fā)的正在申請專利的研究成果，這一技術可以在硬盤必需的十萬圓形磁軌中制造密集型磁島。

　　自組裝分子采用混合聚合物，稱為嵌段共聚物，其中由多個相互排斥的段組成。這些段在準備好的表面上外覆一層薄膜，排列成完美的行。聚合物段的尺寸決定著行的間距。在聚合物晶格形成后，一種叫做倍線的芯片行業(yè)工藝使得微小的部件變得更小，創(chuàng)建出兩條單獨的、間隔排列的線路。然后，這些晶格被轉換成納米壓印模板，納米壓印是一種精密沖壓工藝，它把納米晶格轉移到芯片或磁盤基底上。實踐證明，準備原始表面是一個關鍵挑戰(zhàn)，以便嵌段共聚物在磁盤存儲轉動必需的放射狀路徑和圓形路徑中組成模式。HGST率先把自組裝分子、倍線技術與納米壓印技術結合起來，可以在圓形排列中實現(xiàn)最小10納米的矩形部件。

　　今天宣布的內(nèi)容為怎樣高效地創(chuàng)建密度遠遠高于當前能力的磁島提供了一個路線圖。HGST10納米晶格的位密度比當前硬盤增加了一倍，實驗室測試表明，其擁有杰出的初始讀/寫和數(shù)據(jù)保留功能。在整個磁盤上，預計納米壓印工藝將創(chuàng)建超過1萬億個離散的磁島。

　　“我們實現(xiàn)了超小部件，而毋需使用任何傳統(tǒng)光刻技術?！盇lbrecht說，“通過適當?shù)幕瘜W工藝和表面準備，我們認為，這一成果可以擴展到更小尺寸的部件中?！?/p>

　　由于自組裝分子創(chuàng)建重復的模式，研究人員預計它們將最適合制作硬盤的晶格磁性介質、電腦內(nèi)存中均勻間隔的區(qū)域、各種觸點及其它類型的半導體芯片的中的周期部件。盡管業(yè)界正在努力完善技術，以滿足更加苛刻的應用，但納米壓印和自組裝分子卻很容易的被引入到可以容錯應用中，如硬盤或內(nèi)存。