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• 簡單易用的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)采集卡應(yīng)用開發(fā)之C#

  C#語言以太網(wǎng)數(shù)據(jù)采集卡的開發(fā)。...

  類別：電子說 790次閱讀 · 0評(píng)論 以太網(wǎng)數(shù)據(jù)采集卡運(yùn)動(dòng)控制卡正運(yùn)動(dòng)技術(shù)
  

• 存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展以及應(yīng)用-以基于Nor Flash的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)量化以及部署

  經(jīng)過對(duì)動(dòng)態(tài)閾值量化算法的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，包括實(shí)驗(yàn)平臺(tái)及相關(guān)設(shè)置、在CIFAR-10數(shù)據(jù)集上對(duì)參數(shù)和激活層進(jìn)行的驗(yàn)證以及對(duì)AlexNet、VGG16和ResNet-18這三種卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行4位量化的結(jié)果。 在CIFAR-10數(shù)據(jù)集上，對(duì)動(dòng)態(tài)閾值量化算法進(jìn)行了驗(yàn)證，分別針對(duì)模型參數(shù)和激活層。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，...

  類別：電子說 1670次閱讀 · 0評(píng)論 數(shù)據(jù)集卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)存算一體存內(nèi)計(jì)算NOR
  

• 一文通曉FPC軟板，從基礎(chǔ)到工藝的深度解讀

  柔性電路板（FlexiblePrintedCircuit簡稱FPC）又稱軟性電路板、撓性電路板，是以聚酰亞胺或聚酯薄膜為基材制成的一種具有高度可靠性，絕佳的可撓性印刷電路板。具有配線密度高、重量輕、厚度薄、彎折性好等特點(diǎn)。FPC選材要點(diǎn)側(cè)鍵/按鍵的選材側(cè)鍵選18/12.5的雙面電解銅（特殊的除外），...

  類別：電子說 2537次閱讀 · 0評(píng)論 電路板FPC軟板
  

• 【GD32F470紫藤派開發(fā)板使用手冊(cè)】第十一講 SPI-SPI NOR FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)

  通過本實(shí)驗(yàn)主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容： ?SPI簡介 ?GD32F470 SPI簡介 ?SPI NOR FLASH——GD25Q32ESIGR簡介 ?使用GD32F470 SPI接口實(shí)現(xiàn)對(duì)GD25Q32ESIGR的讀寫操作...

  類別：電子說 1839次閱讀 · 0評(píng)論 單片機(jī)FlaShSPI開發(fā)板GD32
  

• SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)高頻大功率變換——固態(tài)變壓器應(yīng)用案例剖析

  在傳統(tǒng)的配電網(wǎng)結(jié)構(gòu)中，工頻變壓器是實(shí)現(xiàn)電能分配和電壓等級(jí)變換的主要電氣設(shè)備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組，常采用油浸式或者干式，具有可靠性高，效率高，成本低廉等優(yōu)點(diǎn)。但是隨著新能源的發(fā)展，智能電網(wǎng)概念的大范圍推廣，傳統(tǒng)變壓器的缺點(diǎn)也逐漸顯現(xiàn)。除了變壓器本身笨重，絕緣油對(duì)環(huán)境造成污染之外，傳統(tǒng)...

  類別：電子說 2185次閱讀 · 0評(píng)論 變壓器MOSFETSiC功率變換固態(tài)變壓器
  

• 智能家居系統(tǒng)的開發(fā)-基于米爾瑞薩RZ/G2UL開發(fā)板

  本篇評(píng)測(cè)由電子工程世界的優(yōu)秀評(píng)測(cè)者“Bruceou”提供。1、項(xiàng)目背景智能家居控制系統(tǒng)，是以智能家居系統(tǒng)為平臺(tái)，家居電器及家電設(shè)備為主要控制對(duì)象，利用綜合布線技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)、自動(dòng)控制系統(tǒng)、音頻技術(shù)等將家居生活有關(guān)的設(shè)施進(jìn)行高效集成，提升家居智能、安全、便利、舒適，為我們的生活帶來很的方便性。隨著...

  類別：電子說 1046次閱讀 · 0評(píng)論 智能家居開發(fā)板家居系統(tǒng)米爾電子
  

• 高通賦能互聯(lián)未來：5G Advanced Release 18中的五大關(guān)鍵技術(shù)發(fā)明

  數(shù)十年來，高通公司一直處于引領(lǐng)關(guān)鍵無線創(chuàng)新的最前沿。5G Advanced不僅將進(jìn)一步釋放5G全部潛能，還將奠定6G技術(shù)基礎(chǔ)，加速推動(dòng)未來十年的創(chuàng)新。本文將詳細(xì)介紹高通面向Release 18的幾大關(guān)鍵技術(shù)，這些前沿?zé)o線技術(shù)研究正推動(dòng)5G Advanced演進(jìn)，并為6G奠定基礎(chǔ)。 當(dāng)前，5G Adv...

  類別：移動(dòng)通信 605次閱讀 · 0評(píng)論 高通5G6G5G-A
  

• 鴻蒙OS開發(fā)：【一次開發(fā)，多端部署】應(yīng)用（響應(yīng)式布局）

  自適應(yīng)布局可以保證窗口尺寸在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，頁面的顯示是正常的。但是將窗口尺寸變化較大時(shí)（如窗口寬度從400vp變化為1000vp），僅僅依靠自適應(yīng)布局可能出現(xiàn)圖片異常放大或頁面內(nèi)容稀疏、留白過多等問題，此時(shí)就需要借助響應(yīng)式布局能力調(diào)整頁面結(jié)構(gòu)。...

  類別：電子說 471次閱讀 · 0評(píng)論 組件鴻蒙鴻蒙OS
  

• 鴻蒙OS開發(fā)：【一次開發(fā)，多端部署】應(yīng)用（自適應(yīng)布局）

  針對(duì)常見的開發(fā)場景，方舟開發(fā)框架提煉了七種自適應(yīng)布局能力，這些布局可以獨(dú)立使用，也可多種布局疊加使用。...

  類別：電子說 1048次閱讀 · 0評(píng)論 鴻蒙鴻蒙OS
  

• 從MRAM的演進(jìn)看存內(nèi)計(jì)算的發(fā)展

  我國的存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)業(yè)也開始迅猛發(fā)展，知存科技、九天睿芯、智芯科、后摩智能、蘋芯科技等國內(nèi)專注存內(nèi)計(jì)算賽道的新興公司紛紛獲得融資，加速在該領(lǐng)域的早期市場布局及商業(yè)落地。 以知存科技推出的量產(chǎn)SoC芯片WTM2101,WTM2101基于40 nm工藝進(jìn)行流片，單個(gè)NOR Flash 器件能夠存...

  類別：電子說 1290次閱讀 · 0評(píng)論 存儲(chǔ)器芯片架構(gòu)MRAM存內(nèi)計(jì)算
  

• RRAM機(jī)制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的應(yīng)用

  近年來，RRAM 因其結(jié)構(gòu)簡單、保持時(shí)間長、運(yùn)行速度快、超低功耗運(yùn)行能力、能夠在不影響器件性能的情況下擴(kuò)展到更低的尺寸以及可進(jìn)行三維集成的可能性而日益受到重視。過去幾年的研究表明，RRAM 是后 CMOS 時(shí)代設(shè)計(jì)高效、智能和安全計(jì)算系統(tǒng)的最合適候選者之一。...

  類別：電子說 1460次閱讀 · 0評(píng)論 芯片存儲(chǔ)器RRAM
  

• e2studio開發(fā)磁力計(jì)LIS2MDL(1)----輪詢獲取磁力計(jì)數(shù)據(jù)

  本文將介紹如何使用 LIS2MDL 傳感器來讀取數(shù)據(jù)。主要步驟包括初始化傳感器接口、驗(yàn)證設(shè)備ID、配置傳感器的數(shù)據(jù)輸出率和濾波器，以及通過輪詢方式持續(xù)讀取磁力數(shù)據(jù)和溫度數(shù)據(jù)。讀取到的數(shù)據(jù)會(huì)被轉(zhuǎn)換為適當(dāng)?shù)膯挝徊⑼ㄟ^串行通信輸出。 這個(gè)傳感器常用于多種電子設(shè)備中，以提供精確的磁場強(qiáng)度數(shù)據(jù)，從而用于指南...

  類別：電子說 1247次閱讀 · 0評(píng)論 傳感器磁力計(jì)
  

• 論基于電壓域的SRAM存內(nèi)計(jì)算技術(shù)的嶄新前景

  這篇文章總結(jié)了馮·諾伊曼架構(gòu)及其在處理數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中所面臨的性能和能耗問題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，文章介紹了存內(nèi)計(jì)算技術(shù)，其中重點(diǎn)討論了基于電壓域的SRAM存內(nèi)計(jì)算技術(shù)。 在馮·諾伊曼架構(gòu)中，存儲(chǔ)器和處理器之間頻繁傳輸大量數(shù)據(jù)，導(dǎo)致性能瓶頸。為解決這個(gè)問題，存內(nèi)計(jì)算技術(shù)被提出，其核心思想是將計(jì)算...

  類別：電子說 1001次閱讀 · 0評(píng)論 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸sramAI存內(nèi)計(jì)算
  

• 鴻蒙開發(fā)接口Ability框架：【AbilityDelegator】

  AbilityDelegator提供添加用于監(jiān)視指定能力的生命周期狀態(tài)更改的AbilityMonitor對(duì)象的能力，包括對(duì)AbilityMonitor實(shí)例的添加、刪除、等待ability到達(dá)OnCreate生命周期、設(shè)置等待時(shí)間等、獲取指定ability的生命周期狀態(tài)、獲取當(dāng)前應(yīng)用頂部ability...

  類別：電子說 941次閱讀 · 1評(píng)論 接口框架鴻蒙
  

• 鴻蒙ArkUI-X跨平臺(tái)技術(shù)：【概述】

  ArkUI是一套構(gòu)建分布式應(yīng)用的聲明式UI開發(fā)框架。它具備簡潔自然的UI信息語法、豐富的UI組件、多維的狀態(tài)管理，以及實(shí)時(shí)界面預(yù)覽等相關(guān)能力，幫助您提升應(yīng)用開發(fā)效率，并能在多種設(shè)備上實(shí)現(xiàn)生動(dòng)而流暢的用戶體驗(yàn)。...

  類別：電子說 2194次閱讀 · 0評(píng)論 鴻蒙OpenHarmony
  

• 探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究

  本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先，介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù)，包括其原理、優(yōu)勢(shì)以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的應(yīng)用。其次，詳細(xì)討論了基于MRAM的存算一體技術(shù)，包括其工作原理、優(yōu)勢(shì)以及在軍工和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用。最后，對(duì)比了SRAM的存內(nèi)計(jì)算和基于MRA...

  類別：電子說 2872次閱讀 · 0評(píng)論 存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sramMRAM存內(nèi)計(jì)算
  

• 鴻蒙OS開發(fā)：【一次開發(fā)，多端部署】（工程管理）

  DevEco Studio的基本使用，請(qǐng)參考[DevEco Studio使用指南]。本章主要介紹如何使用DevEco Studio進(jìn)行多設(shè)備應(yīng)用開發(fā)。...

  類別：電子說 1260次閱讀 · 0評(píng)論 Common鴻蒙鴻蒙OS
  

• 存內(nèi)計(jì)算芯片的基石-存儲(chǔ)介質(zhì)匯總

  作為新的計(jì)算架構(gòu)，存內(nèi)計(jì)算（Computing In Memory，CIM）被認(rèn)為是具有潛力的革命性技術(shù)。重點(diǎn)是將存儲(chǔ)與計(jì)算融合，有效克服馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸，并結(jié)合后摩爾時(shí)代先進(jìn)封裝、新型存儲(chǔ)器件等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能效的數(shù)量級(jí)提升。從數(shù)據(jù)保存上分，存儲(chǔ)介質(zhì)主要分為兩大類：易失性存儲(chǔ)器（Volatile...

  類別：電子說 1947次閱讀 · 0評(píng)論 芯片DRAM存儲(chǔ)器sram存內(nèi)計(jì)算
  

• 存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展及應(yīng)用

  在NOR Flash存內(nèi)計(jì)算芯片當(dāng)中，向量-矩陣乘法運(yùn)算基于電流/電壓的跨導(dǎo)與基爾霍夫定律進(jìn)行物理實(shí)現(xiàn)，如圖7(a)所示。因此，其核心是設(shè)計(jì)NOR Flash單元陣列以滿足大規(guī)模高能效向量-矩陣乘法運(yùn)算。同時(shí)，在核心電路的基礎(chǔ)上，根據(jù)算法特征設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)，以充分利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)流式的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)芯片的...

  類別：電子說 1303次閱讀 · 0評(píng)論 sram頻譜存算一體存內(nèi)計(jì)算NOR
  

• 知存科技助力AI應(yīng)用落地：WTMDK2101-ZT1評(píng)估板實(shí)地評(píng)測(cè)與性能揭秘

  隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計(jì)算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計(jì)算（IMC）和近存計(jì)算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著提升計(jì)算能力和能源效率。本文將探討存算一體芯片的發(fā)展歷程、當(dāng)前研究狀態(tài)，以及基于多種存儲(chǔ)介質(zhì)（例如傳統(tǒng)的DRAM、SRAM和Flash，以及新型的非...

  類別：電子說 1733次閱讀 · 0評(píng)論 DRAMAI憶阻器存內(nèi)計(jì)算
  
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