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標(biāo)簽 > 雷射
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由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn),要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長波長面射型雷射難度較高,因此在1990年中期開始許多光通訊大廠及研究機(jī)構...
為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點(diǎn),在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士學(xué)位的D.L. Huffaker 首次發(...
制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻,以便暴露出側(cè)向蝕刻表面(etched sidewall)提供增益波導(dǎo)或折射率波導...
目前市場上普遍采用的面射型雷射元件主流技術(shù)為選擇性氧化法,絕大多數(shù)面射型雷射操作特性紀(jì)錄均是由選擇性氧化局限技術(shù)所達(dá)成,例如低操作電壓[14]、低臨界...
從前面的例子中,可以知道線寬增強(qiáng)因子會讓半導(dǎo)體雷射在動態(tài)操作時(shí)譜線變寬,接下來我們要討論的是半導(dǎo)體雷射在穩(wěn)態(tài)操作下的發(fā...
早期面射型雷射由于半導(dǎo)體磊晶技術(shù)簡在發(fā)展初期階段,因此還無法直接成長反射率符合雷射操作需求的全磊晶導(dǎo)體分布布拉格反射器,以Iga?教授團(tuán)隊...
早期所謂的面射型雷射(surface emitting laser, EBL)本質(zhì)上仍然是邊射型雷射的延伸,基本上其元件結(jié)構(gòu)的共振腔方向仍然與磊晶面互相...
2024-12-09 標(biāo)簽:雷射 292 0
LASER是“l(fā)ight amplification by stimulated emission of radiation”的縮寫,臺灣音譯為雷射,中...
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