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      標(biāo)簽　>　派恩杰

      派恩杰

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      派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)銷售企業(yè)（Fabless模式），持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)研發(fā)與產(chǎn)品銷售。

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      派恩杰簡介

      　　派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)銷售企業(yè)（Fabless模式），持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)研發(fā)與產(chǎn)品銷售。

      　　派恩杰產(chǎn)品有SiC SBD，SiC MOS以及GaN HEMT等，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)、逆變器等場景和領(lǐng)域。成立僅6個(gè)月即完成第一款可兼容驅(qū)動(dòng)650V GaN功率器件；同年發(fā)布Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS產(chǎn)品，技術(shù)指標(biāo)國內(nèi)領(lǐng)先；2020年公司推出650V、1700V SiC MOS產(chǎn)品，完成三大產(chǎn)品系列布局；2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全陣容產(chǎn)品，豐富了650V、1200V、1700V SiC MOS產(chǎn)品線，將發(fā)布100余款不同型號功率器件。

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      派恩杰技術(shù)

      基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究

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      2022年開工第一天，派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案

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      派恩杰資訊

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