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標(biāo)簽 > 晶粒
晶粒是組成多晶體的外形不規(guī)則的小晶體,在物質(zhì)結(jié)晶過程中,通過晶核(結(jié)晶中心)生成和晶體成長而發(fā)展起來的小晶體。
晶粒是組成多晶體的外形不規(guī)則的小晶體,在物質(zhì)結(jié)晶過程中,通過晶核(結(jié)晶中心)生成和晶體成長而發(fā)展起來的小晶體。
每個(gè)晶粒的組成也有若干個(gè)位向稍有差異的亞晶粒。晶粒直徑通常在0.015~0.25mm,而亞晶粒的直徑通常為0.001mm。
晶體尺寸通??梢訶光衍射圖案衡量,一般會(huì)用到穿透式電子顯微鏡等才能較精確量測。
本文主要介紹??????晶圓 (wafer)/晶粒 (die)/芯片 (chip)之間的區(qū)別和聯(lián)系。 ? 晶圓(Wafer)——原材料和生產(chǎn)平臺(tái)?? 晶...
反極圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析方法
利用樣品的軋面(ND面)、與軋向垂直的剖面(RD面)、與橫向垂直的剖面(TD面)等3個(gè)觀察面的普通粉末衍射數(shù)據(jù),進(jìn)行2種分析處理。第1種方法是利用Ex...
孿晶誘導(dǎo)細(xì)晶強(qiáng)化,相互交錯(cuò)的孿晶界將母晶分割成若干細(xì)小的晶粒,誘發(fā)Hall-Petch效應(yīng)的同時(shí)也會(huì)阻...
濺射沉積鎳薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和應(yīng)力演化
眾所周知,材料的宏觀性質(zhì),例如硬度、熱和電傳輸以及光學(xué)描述符與其微觀結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)。通過改變加工參數(shù...
高加速壽命試驗(yàn)對(duì)焊點(diǎn)的可靠性評(píng)估
高加速壽命試驗(yàn)是加速電子產(chǎn)品在實(shí)際使用中會(huì)出現(xiàn)的損壞因素,以比實(shí)際使用更短的時(shí)間引發(fā)失效,藉此鑒定產(chǎn)...
對(duì)于在常溫下使用的零件,通常是這樣,因?yàn)榫ЯT郊?xì)小則晶界面積越大,對(duì)性能的影響也越大,材料強(qiáng)度越高,而細(xì)晶強(qiáng)化是不會(h...
一種晶粒、晶圓及晶圓上晶粒位置的標(biāo)識(shí)方法
在對(duì)不良品(或失效芯片)進(jìn)行失效分析過程中,數(shù)據(jù)排查往往是最先要完成的一環(huán),如分析芯片制造各環(huán)節(jié)(wafer測試、芯...
比較法:比較法不需計(jì)算晶粒、截矩。與標(biāo)準(zhǔn)系列評(píng)級(jí)圖進(jìn)行比較,用比較法評(píng)估晶粒度時(shí)一般存在一定的偏...
芯片是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱,也被稱作為集成線路、微電路、微芯片,芯片是由硅片制造出來的。而芯片的封裝是芯片制造的一個(gè)重要過程,今天為大家科...
一、 一般常見的焊接缺陷可分為四類:(1)焊縫尺寸不符合要求:如焊縫超高、超寬、過窄、高低差過大、焊縫過渡到母材不圓滑等。(2)焊接表面缺陷:如咬邊、焊...
金屬增材制造(additive manufacturing, AM)在制造幾何形狀復(fù)雜的零件以及定制零件的微結(jié)構(gòu)和性能方面具有巨大優(yōu)勢,使其在各行各業(yè)中...
2021-06-15 標(biāo)簽:晶粒 2281 0
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