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標(biāo)簽 > 晶格
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源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介
與通過(guò)源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來(lái)提高NMOS 的速度類似,通過(guò)源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yī...
源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介
源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度,它是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng...
導(dǎo)體的電阻與長(zhǎng)度和橫截面積的關(guān)系是什么
電阻是導(dǎo)體對(duì)電流流動(dòng)的阻礙程度的量度,它與導(dǎo)體的長(zhǎng)度和橫截面積有著密切的關(guān)系。在一個(gè)理想的導(dǎo)體中,電流的流...
熱敏電阻(NTC)是一種能夠根據(jù)溫度變化而改變電阻值的元件。在溫度上升時(shí),熱敏電阻的電阻值會(huì)相應(yīng)地下降。其工作原理基于熱敏材料的特性,下面將詳...
2024-02-02 標(biāo)簽:熱敏電阻晶格冷卻系統(tǒng) 3751 0
石墨烯發(fā)熱原理及其功能 石墨烯是一種由碳原子組成的單層二維晶格結(jié)構(gòu)材料。它的發(fā)現(xiàn)不僅引起了科學(xué)界的廣泛關(guān)注,還在眾多領(...
NTC(Negative Temperature Coefficient)熱敏電阻是一種根據(jù)溫度變化而改變阻值的電子元件。它的電阻值隨著溫度的升高而減小...
氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(g...
孿晶誘導(dǎo)細(xì)晶強(qiáng)化,相互交錯(cuò)的孿晶界將母晶分割成若干細(xì)小的晶粒,誘發(fā)Hall-Petch效應(yīng)的同時(shí)也會(huì)阻礙位錯...
應(yīng)力對(duì)LaAlO3/BaTiO3超晶格結(jié)構(gòu)及性能的影響立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2009-05-10 標(biāo)簽:晶格 800 0
浙江大學(xué)范修林Joule:通過(guò)晶格耦合機(jī)制篩選高電壓LCO添加劑
研究背景 LiCoO2(LCO)自40多年前由John B. Goodenough提出以來(lái),一直是鋰離子電池(LIBs)中廣泛使用的正極材料,主要用于3...
壓阻式壓力傳感器與MEMS技術(shù)的關(guān)聯(lián)
引言 壓阻式壓力傳感器是一種基于半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來(lái)測(cè)量壓力的傳感器。這種傳感器具有高靈敏度、高穩(wěn)定性和良好的線性特性,廣泛應(yīng)用于汽...
2024-12-29 標(biāo)簽:壓力傳感器晶格MEMS技術(shù) 592 0
本專利主要涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域,涉及的是一種高效原子層刻痕解決方案。工藝具體為主體步驟分為兩個(gè)階段:首先采取等離子處理方式將氯元素引入晶片表面...
2024-05-20 標(biāo)簽:晶片晶格半導(dǎo)體設(shè)備 768 0
中國(guó)科研團(tuán)隊(duì)在鐵電材料中發(fā)現(xiàn)極化布洛赫點(diǎn)?
布洛赫點(diǎn)在渦旋翻轉(zhuǎn)、斯格明子形成與湮滅等過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,是連接經(jīng)典磁學(xué)和量子磁學(xué)的橋梁?...
西北工業(yè)大學(xué)研發(fā)出雙層扭轉(zhuǎn)金屬硫族化合物層間角度可調(diào)
雙層扭角過(guò)渡金屬硫族化合物(TB-TMDCs)由于具有與摩爾超晶格有關(guān)的穩(wěn)定平帶特征以及特殊電子特性而受到廣泛關(guān)注,有望成為研究凝聚態(tài)物...
如今,3D打印的影響和潛力比以往任何時(shí)候都更加清晰。AM的發(fā)展特別有趣的是,它遵循了幾種不同的途徑。該技術(shù)最早的用途之一“快速原型”。已經(jīng)在許...
第24屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(CIOE2023)于9月在深圳國(guó)際會(huì)展中心盛大開(kāi)幕。國(guó)內(nèi)銻化物制冷紅外探測(cè)器技術(s...
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