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標(biāo)簽 > 失效模式
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MDD超快恢復(fù)二極管的典型失效模式分析:如何避免過熱與短路?
MDD超快恢復(fù)二極管因其反向恢復(fù)時(shí)間短、開關(guān)損耗低的特性,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源(SMPS)、功率因數(shù)校正(...
2025-04-11 標(biāo)簽:失效模式MDD超快恢復(fù)二極管 136 0
開關(guān)二極管是一種在電子電路中常見的元件,廣泛應(yīng)用于高頻和快速切換電路中。盡管它們通常被設(shè)計(jì)為可靠和耐用的元件,但在實(shí)際應(yīng...
2024-07-26 標(biāo)簽:開關(guān)二極管電子電路失效模式 553 0
設(shè)計(jì)失效模式與影響分析(DFMEA)流程可幫助工程師了解與設(shè)計(jì)相關(guān)的潛在風(fēng)險(xiǎn)影響。在設(shè)計(jì)階段引入FMEA...
多層片狀陶介電容器由陶瓷介質(zhì)、端電極、金屬電極三種材料構(gòu)成,失效形式為金屬電極和陶介之間層錯(cuò),電氣表現(xiàn)為受外力(如輕輕彎曲板子或用烙鐵頭碰一...
電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等),部分功能失效
詳細(xì)的失效模式、效應(yīng)、和診斷分析等安全分析報(bào)告詳細(xì)概述立即下載
類別:嵌入式開發(fā) 2018-04-17 標(biāo)簽:診斷分析失效模式效應(yīng)分析 1148 0
IGBT的失效模式與失效機(jī)理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件...
FMEA一般指失效模式與影響分析。失效模式與影響分析即“潛在失效模式及后果分析”,或簡稱為FMEA。FMEA是在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段和過程設(shè)計(jì)階...
失效模式與效應(yīng)分析能保證可靠產(chǎn)品嗎?
FMEA被認(rèn)為是有價(jià)值的產(chǎn)品可靠性改進(jìn)工具。在許多行業(yè),尤其是汽車,F(xiàn)MEA是產(chǎn)品開發(fā)過...
2012-04-25 標(biāo)簽:失效模式可靠效應(yīng)分析 1031 0
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