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外延片

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外延片技術(shù)

去除碳化硅外延片揭膜后臟污的清洗方法

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引言 碳化硅(SiC)作為新一代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yī...

2025-02-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅外延片 247 0

集成電路外延片詳解:構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析

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集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石,而外延片作為集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料,其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討...

2025-01-24 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體封裝外延片 714 0

用于半導(dǎo)體外延片生長(zhǎng)的CVD石墨托盤(pán)結(jié)構(gòu)

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一、引言 在半導(dǎo)體制造業(yè)中,外延生長(zhǎng)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?;瘜W(xué)氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長(zhǎng)方法,被...

2025-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體外延片CVD 348 0

ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)的應(yīng)用

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實(shí)驗(yàn)名稱:基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:基于單注入模式,使用新型檢測(cè)系統(tǒng)獲取LED外延...

2024-10-25 標(biāo)簽:led高壓放大器外延片 517 0

外延片和擴(kuò)散片的區(qū)別是什么

外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過(guò)程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過(guò)程: 外延片是通過(g...

2024-07-12 標(biāo)簽:集成電路晶體管半導(dǎo)體制程 1440 0

外延片和拋光片區(qū)別在哪

外延片和拋光片是兩種不同的半導(dǎo)體材料加工工藝,它們?cè)谥圃爝^(guò)程中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn)。本文將介紹外延片和拋光片的區(qū)別。 一、外延片的定義...

2024-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料金屬外延片 2320 0

SiC外延片測(cè)試需要哪些分析

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對(duì)于摻雜的SiC外延片,紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率,因此試樣...

2023-08-05 標(biāo)簽:測(cè)試儀SiC紅外光譜 2523 0

氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區(qū)別

氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝,主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。

2023-02-20 標(biāo)簽:集成電路晶體管氮化鎵 1.4萬(wàn) 0

硅基氮化鎵外延片是什么 硅基氮化鎵外延片工藝

氮化鎵外延片指采用外延方法,使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái),在國(guó)家政策支持下,我國(guó)氮化鎵外延片行業(...

2023-02-06 標(biāo)簽:氮化鎵外延片硅基氮化鎵 4350 0

氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用

氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜,多采用兩步生長(zhǎng)法,需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流...

2023-02-05 標(biāo)簽:氮化鎵外延片 6232 0

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外延片資訊

上揚(yáng)軟件助力SiC外延頭部企業(yè)部署CIM系統(tǒng)解決方案

近日,上揚(yáng)軟件正式啟動(dòng)國(guó)內(nèi)SiC外延頭部企業(yè)的 CIM系統(tǒng)部署。此次部署的系統(tǒng)基于客戶在生產(chǎn)、工藝、質...

2025-03-26 標(biāo)簽:SiC外延片CIM 383 0

天域半導(dǎo)體IPO:國(guó)內(nèi)碳化硅外延片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)2024年12月,天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請(qǐng)獲受理。2023年6月,天域半導(dǎo)體向深交所提交上...

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華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲2024年“中國(guó)SiC外延影響力企業(yè)”稱號(hào)

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近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2024行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎ...

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普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延片產(chǎn)線

預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣,將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)片年產(chǎn)...

2024-02-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅外延片 784 0

半導(dǎo)體硅外延片制造商上海合晶上市

上海合晶硅材料股份有限公司(簡(jiǎn)稱“上海合晶”,股票代碼:688584)近期在科創(chuàng)板成功上市,成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注...

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上海合晶登陸科創(chuàng)板

近日,上海合晶硅材料股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“上海合晶”,股票代碼:688584)在上海證券交易所科創(chuàng)板成功上市,標(biāo)志著這家專注于半導(...

2024-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅材料外延片 749 0

上海合晶登陸科創(chuàng)板,成為我國(guó)少數(shù)具備全流程半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的企業(yè)

上海合晶此次募資總額高達(dá)13.9億元人民幣,這筆款項(xiàng)主要用于投資低阻單晶成長(zhǎng)及優(yōu)質(zhì)外延研發(fā)項(xiàng)目,增設(shè)優(yō...

2024-02-18 標(biāo)簽:單晶功率器件外延片 961 0

瀚天天成科創(chuàng)板IPO受理!碳化硅外延片收入三年漲近13倍,募資超35億擴(kuò)產(chǎn)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,瀚天天成電子科技(廈門(mén))股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:瀚天天成)科創(chuàng)板IPO成功獲上交所受理,保薦...

2024-01-11 標(biāo)簽:ipo碳化硅外延片 4666 0

中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn),一期投資19.3億元

紫金山觀察消息顯示,該項(xiàng)目一期投資19.3億元,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)估新增年收入25億元,將形成8-12英寸硅外延片456萬(wàn)片/...

2023-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料外延片中電科 965 0

不合格的碳化硅外延片如何再生重利用?

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此外,研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高,多片加工時(shí)對(duì)外延片的厚度的組合比較苛刻,并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行...

2023-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅外延片 1191 0

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