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光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 378 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 358 0

有源區(qū)工藝的制造過(guò)程

有源區(qū)工藝是指通過(guò)刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 275 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來(lái)。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長(zhǎng)的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 293 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來(lái)。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 269 0

Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度

來(lái)源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...

2024-08-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體光刻 2366 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書晶圓制造工藝流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標(biāo)簽：光刻蝕刻晶圓制造 1546 0

激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案

光刻是半導(dǎo)體制造工藝中的核心之一，極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐...

2024-06-27 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體激光 423 0

電子束技術(shù)的原理與應(yīng)用概覽

電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡(jiǎn)單的圖文介紹。

2024-04-30 標(biāo)簽：光刻電子束半導(dǎo)體制造 1567 0

玻璃通孔技術(shù)研究進(jìn)展

聚焦放電主要包括兩個(gè)步驟：1) 將玻璃放在兩個(gè)電極之間，通過(guò)控制放電對(duì)玻璃局部區(qū)域進(jìn)行放電熔融；2)通過(guò)焦耳熱使玻璃內(nèi)部產(chǎn)生高應(yīng)力，引起內(nèi)部高壓和介電擊穿。

2024-04-26 標(biāo)簽：等離子光刻顯微鏡 1106 0

光刻帖子

光刻掩膜設(shè)計(jì)與加工制造服務(wù)，請(qǐng)問(wèn)可以加工二元光學(xué)器件嗎？

標(biāo)簽：光刻光學(xué)器件 231 1

國(guó)科大《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程分享之二：浸沒(méi)式光刻工藝缺陷種類、特征及自識(shí)別方法

標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體工藝 7353 1

光刻工藝步驟

標(biāo)簽：光刻 3933 2

光刻部分的主要機(jī)臺(tái)包括兩部分：軌道機(jī)（Tracker），用于涂膠顯影；掃描曝光機(jī)（Scanning )

標(biāo)簽：光刻 1839 0

請(qǐng)問(wèn)為什么在我光刻鍍膜完之后用***剝離金屬老掉呢？

標(biāo)簽：光刻 5561 1

光刻資料下載

EUV光刻技術(shù)如何為功率半導(dǎo)體提供動(dòng)力立即下載

類別：電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽：光刻功率半導(dǎo)體 EUV 438 0

采用DLP 3D結(jié)構(gòu)光軟件開發(fā)套件的3D打印機(jī)立即下載

類別：電子資料 2022-09-07 標(biāo)簽：光刻 dlp 3D打印機(jī) 688 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2022-06-29 標(biāo)簽：光刻蝕刻 GaAs 507 0

中芯國(guó)際RD及半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)立即下載

類別：電子資料 2021-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體中芯國(guó)際光刻 1446 0

五個(gè)方面剖析SIP封裝工藝，看懂SIP封裝真正用途資料下載立即下載

類別：行業(yè)軟件 2021-04-29 標(biāo)簽：封裝工藝 smt 2621 0

一文詳談波峰焊接工藝資料下載立即下載

類別：行業(yè)軟件 2021-04-29 標(biāo)簽：封裝工藝 smt 993 0

MEMS封裝的特點(diǎn)資料下載立即下載

類別：行業(yè)軟件 2021-04-29 標(biāo)簽：封裝工藝 smt 1072 0

多圖，MLCC制作工藝流程資料下載立即下載

類別：行業(yè)軟件 2021-04-29 標(biāo)簽：封裝工藝 smt 1782 0

機(jī)械制造工藝--軸類零件加工資料下載立即下載

類別：行業(yè)軟件 2021-04-29 標(biāo)簽：封裝工藝 smt 835 0

利用MEMS慣性感測(cè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)變革資料下載立即下載

類別：行業(yè)軟件 2021-04-28 標(biāo)簽：封裝工藝 smt 645 0

光刻資訊

ALE光刻曝光光源與常見(jiàn)矩陣式LED光源性能對(duì)比

匯集多種優(yōu)勢(shì)特征于一體的平行紫外光源是半導(dǎo)體芯片制造中實(shí)現(xiàn)高精度、超準(zhǔn)確曝光效果的關(guān)鍵。對(duì)比矩陣式LED光源，友思特ALE光源的光刻曝光效果展示出了優(yōu)異的性能。

2024-12-23 標(biāo)簽：晶圓光刻曝光 56 0

正性光刻對(duì)掩膜版的要求

在正性光刻過(guò)程中，掩膜版（Photomask）作為圖形轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工具，其性能直接影響到最終圖形的精確度和質(zhì)量。以下是正性光刻對(duì)掩膜版的主要要求：圖案準(zhǔn)...

2024-12-20 標(biāo)簽：光刻微流控掩膜 144 0

IC載板制造商需要了解的光刻技術(shù)信息

? 圖像轉(zhuǎn)移，也稱為光刻技術(shù)（或簡(jiǎn)稱光刻），在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。它能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜和精確的連接，以支持在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多連接。隨著對(duì)更高密度...

2024-12-05 標(biāo)簽：pcb 封裝光刻 138 0

光刻掩膜和光刻模具的關(guān)系

光刻掩膜（也稱為光罩）和模具在微納加工技術(shù)中都起著重要的作用，但它們的功能和應(yīng)用有所不同。光刻掩膜版光刻掩膜版是微納加工技術(shù)中常用的光刻工藝所使用的...

2024-10-14 標(biāo)簽：光刻掩膜 259 0

光掩膜基版在光刻中的作用

想必大家都有所了解，光刻機(jī)對(duì)芯片制造的重要性，而光掩膜版又稱光罩，光掩膜等；光掩膜版是由制造商通過(guò)光刻制版工藝將電路圖刻制于基板上制作而成，主要作用體...

2024-10-09 標(biāo)簽：光刻 330 0

光刻掩膜版制作流程

光刻掩膜版的制作是一個(gè)復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及到多個(gè)步驟和技術(shù)。以下是小編整理的光刻掩膜版制作流程： 1. 設(shè)計(jì)與準(zhǔn)備在開始制作光刻掩膜版之前，首先需要...

2024-09-14 標(biāo)簽：光刻掩膜 626 0

芯片光刻掩膜的保存方法

光刻掩模是光的一種掩蔽模片，其作用有類似于照相的通過(guò)它，可以使它“底下“的光劑部分成光，難溶于有機(jī)藥品，一部分不感光，易溶于有機(jī)藥品，以而制得選擇擴(kuò)散所...

2024-09-04 標(biāo)簽：芯片光刻掩膜 260 0

什么是光刻掩膜版保護(hù)膜？

大家都知道掩膜版主要由基板、遮光層和保護(hù)膜組成，其中基板（主要采用玻璃基材，包括石英和蘇打兩種材質(zhì)）占直接原材料成本比重達(dá)90%。那么什么是掩膜版保...

2024-08-16 標(biāo)簽：芯片光刻保護(hù)膜 454 0

微流控光刻掩膜版的介紹及作用

微流控光刻掩膜在微流控芯片制造中扮演著至關(guān)重要的角色。它的主要作用是通過(guò)曝光和顯影等工序，將掩膜上已設(shè)計(jì)好的圖案轉(zhuǎn)移到襯底的光刻膠上，進(jìn)行圖像復(fù)制，從而...

2024-08-15 標(biāo)簽：光刻微流控掩膜 611 0

微流控光刻掩膜制作

微流控光刻掩膜的制作過(guò)程涉及多個(gè)步驟，?包括設(shè)計(jì)、?制版、?曝光、?顯影、?刻蝕等，?最終形成具有特定圖形結(jié)構(gòu)的掩膜版。? 首先，?設(shè)計(jì)階段是制作掩膜版...

2024-08-08 標(biāo)簽：光刻微流控掩膜 289 0

光刻數(shù)據(jù)手冊(cè)

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AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版，設(shè)計(jì)用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時(shí)，AMS1117器件的最小壓差保證不超過(guò)1.3V，并隨負(fù)載電流的減小而逐漸降低。
電機(jī)控制芯片

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德州儀器（TI）MSP430系列超低功耗微控制器包含多種器件，它們特有面向多種應(yīng)用的不同外設(shè)集。這種架構(gòu)與5種低功耗模式相組合，專為在便攜式測(cè)量應(yīng)用中延長(zhǎng)電池使用壽命而優(yōu)化。該器件具有一個(gè)強(qiáng)大的16位 RISCCPU，16位寄存器和有助于獲得最大編碼效率的常數(shù)發(fā)生器。
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反向電壓是什么意思？反向電壓怎么產(chǎn)生的？我們這邊為大家分享一下正向電壓和反向電壓的區(qū)別；光電效應(yīng)反向電壓；解讀最大反向電壓怎么求？二極管最高反向工作電壓？最高反向工作電壓的計(jì)算公式等知識(shí)點(diǎn)。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問(wèn)題，減少了大量的封裝空間。
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總線收發(fā)器，典型的CMOS型三態(tài)緩沖門電路，八路信號(hào)收發(fā)器，。由于單片機(jī)或CPU的數(shù)據(jù)/地址/控制總線端口都有一定的負(fù)載能力，如果負(fù)載超過(guò)其負(fù)載能力，一般應(yīng)加驅(qū)動(dòng)器。
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　　基準(zhǔn)電壓是指?jìng)鞲衅髦糜?℃的溫場(chǎng)（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實(shí)際上就是0點(diǎn)電壓。其表示符號(hào)為V（0），該值出廠時(shí)標(biāo)定，由于傳感器的溫度系數(shù)S相同，則只要知道基準(zhǔn)電壓值V（0），即可求知任何溫度點(diǎn)上的傳感器電壓值，而不必對(duì)傳感器進(jìn)行分度。
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MAX3232 器件由兩個(gè)線路驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)線路接收器和一個(gè)雙路電荷泵電路組成，具有端子間（串行端口連接端子，包括 GND）±15kV ESD 保護(hù)。
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DA轉(zhuǎn)換器一般指數(shù)模轉(zhuǎn)換器。它是把數(shù)字量轉(zhuǎn)變成模擬的器件。D/A轉(zhuǎn)換器基本上由4個(gè)部分組成，即權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)、運(yùn)算放大器、基準(zhǔn)電源和模擬開關(guān)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器中一般都要用到數(shù)模轉(zhuǎn)換器，模數(shù)轉(zhuǎn)換器即A/D轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)稱ADC，它是把連續(xù)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡x散的數(shù)字信號(hào)的器件。
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TTP223是觸摸鍵檢測(cè)IC，提供1個(gè)觸摸鍵。觸摸檢測(cè)IC是為了用可變面積的鍵取代傳統(tǒng)的按鈕鍵而設(shè)計(jì)的。低功耗和寬工作電壓是觸摸鍵的DC和AC特點(diǎn)。111
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MAX485是一個(gè)八引腳的RS485電平收發(fā)器（只能單工或半雙工）。內(nèi)部含有一個(gè)輸入信號(hào)接收器R、一個(gè)輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)器D。
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