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Vishay贊助的同濟(jì)大學(xué)電動方程式車隊勇奪冠軍,支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計師
Vishay為車隊今年參賽車型DRe20提供位置傳感器,該傳感器采用Vishay Sfernice Model 981 HE系列非接觸式霍爾效應(yīng)技術(shù)。
Vishay推出小型1500外形尺寸新型通孔電感器,飽和電流達(dá)420A
器件專門用來取代體積較大的解決方案,可在+155 °C高溫下連續(xù)工作,適用于再生能源、工業(yè)和通信應(yīng)用。
Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車級P溝道MOSFET
業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件,導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ。
Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET,導(dǎo)通電阻比其前代器件低29%
Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級功率轉(zhuǎn)換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
Vishay推出業(yè)界首款表面貼裝,經(jīng)過汽車應(yīng)用認(rèn)證的四象限硅PIN光電二極管
器件適用于小信號探測,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),不透明封裝信噪比優(yōu)異,幾乎無段間公差。
Vishay高精度位置傳感器榮獲《電子發(fā)燒友》2020年度中國IoT創(chuàng)新獎
60 mm版RAMK060采用先進(jìn)的非接觸式技術(shù),精度大于13位,分辨率達(dá)19位,重復(fù)精度大于16位,可以抵抗外部磁場、濕度、大氣污染、振動、機(jī)械沖擊和...
2020-12-17 標(biāo)簽:傳感器技術(shù)Vishay磁性編碼器 2301 0
Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET--- SQJ264EP
SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V時最大導(dǎo)通電阻為20 mW,典型柵極電荷為9.2 nC,而通道2 MOSFET在10 V時的導(dǎo)通電阻為8...
Vishay榮獲BISinfotech頒發(fā)的2020年度BETA獎
Vishay 公司被評為全球分立半導(dǎo)體與無源元件解決方案年度供應(yīng)商
2020-12-01 標(biāo)簽:Vishay電子半導(dǎo)體 2051 0
Vishay推出低阻抗、汽車級小型鋁電解電容器-190 RTL系列
Vishay BCcomponents 190 RTL系列電容器阻抗低于上一代解決方案,紋波電流提高10 %至15 %,設(shè)計人員可使用更少的元器件,從而...
Vishay新型寬帶Microwave Global Models? 最高可在70 GHz頻率下使用
Modelithics基于測量的模型具有元件值、襯底和焊盤擴(kuò)展能力。經(jīng)驗證頻率可達(dá)67 GHz,可根據(jù)模型參數(shù)設(shè)置準(zhǔn)確預(yù)測寄生效應(yīng),非常適合高頻應(yīng)用。
Vishay VEML3328和VEML3328SL RGBC-IR傳感器榮獲2020 AspenCore全球電子成就獎
VEML3328和VEML3328SL將光電二極管、放大器和模/數(shù)電路集成在單片CMOS中,可檢測紅光、綠光、藍(lán)光、白光和紅外光。
2020-11-17 標(biāo)簽:Vishay物聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)類電子 1308 0
Vishay推出新型汽車級接近傳感器 分辨率高達(dá)20 μm
2020年11月16日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出兩款分辨率高達(dá)20 m,適用于各種壓力...
Vishay推出新型汽車級接近傳感器,壓力感測分辨率高達(dá)20 μm
日前發(fā)布的器件經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證,適用于汽車、消費(fèi)電子、智能家居、工業(yè)、辦公和玩具產(chǎn)品,與前代傳感器相比,提高了分辨率并降低成本。
Vishay Asia榮獲北京西門子西伯樂斯電子有限公司2020年度供應(yīng)商最佳支持獎
在BSCE舉行的2020年度供應(yīng)商大會頒獎儀式上,三家杰出供應(yīng)商被授予最佳支持獎,該獎項的評審依據(jù)是物流及采購表現(xiàn)。
Vishay推出小型鋁電容器,可提高系統(tǒng)設(shè)計靈活性,并節(jié)省電路板空間
汽車級器件紋波電流高達(dá)3.8 A,可在+105 °C高溫下工作,105°C條件下使用壽命長達(dá)10,000小時。
Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級,RDS(ON)和FOM達(dá)到業(yè)界出色水平,提高功率密度和效率
節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝,最大RDS(ON)導(dǎo)通電阻降至8.05 m,Qg為6.5 nC
Vishay推出新款高飽和電流電感,提高系統(tǒng)飽和及溫度穩(wěn)定性
徑向固定IHVR-4024KE-51電感器采用4024外形尺寸超薄封裝,DCR比一般功率電感器低50 %,同時節(jié)省電路板空間
2020-10-26 標(biāo)簽:電感器VishayDC-DC轉(zhuǎn)換器 920 0
Vishay推出NTC熱敏電阻,采用加長PEEK絕緣鎳鐵引線實現(xiàn)快速、高精度測量
器件符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用,精度達(dá)到± 0.5 °C,空氣中響應(yīng)時間小于3秒
Vishay推出汽車級PIN光電二極管,高度低至0.7 mm,提高信噪比
日前發(fā)布的光電二極管經(jīng)過 AEC-Q101 認(rèn)證,適合各種應(yīng)用進(jìn)行光探測,包括陽光負(fù)載傳感器,車用雨量、日光和隧道傳感器,電梯、車庫門、工業(yè)設(shè)備光幕,...
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
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