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vdmos技術(shù)

在過(guò)去的二十年，MOSFET主要用作開(kāi)關(guān)器件，得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，由于它是多子器件，有相對(duì)較小的開(kāi)關(guān)損耗，但其通態(tài)功耗較高，要降低通態(tài)功耗，導(dǎo)通電阻受擊穿...

2024-10-15 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 VDMOS 379 0

VDMOS技術(shù)概述和特點(diǎn)

在過(guò)去的二十年間，MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件發(fā)展迅速。然而，由于MOSFET的通態(tài)功耗較高，導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個(gè)極限，被稱為“硅極限”。為了突...

2024-10-15 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 VDMOS 575 0

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開(kāi)啟，電流在溝道內(nèi)...

2024-10-08 標(biāo)簽：二極管 VDMOS 柵極 837 0

vdmos是什么型器件

VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，...

2024-09-29 標(biāo)簽：電流 VDMOS 半導(dǎo)體器件 892 0

vdmos和mos有什么區(qū)別

Vdmos（垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）和MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...

2024-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 VDMOS 晶體管 1057 0

金屬封裝功率器件管殼鍍金層腐蝕機(jī)理研究

金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ VDMOS ），在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后，管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌，通過(guò)顯微鏡觀察、掃描電鏡、 EDS 能...

2024-06-20 標(biāo)簽：VDMOS 封裝功率器件 1715 1

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFET VDMOS IGBT 2965 0

如何提高開(kāi)關(guān)電源芯片MOSFET雪崩可靠性？

當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后，半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過(guò)碰撞電離開(kāi)始倍增，這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。

2023-11-23 標(biāo)簽：MOSFET 示波器 VDMOS 1221 0

Cool-MOS的定義、優(yōu)勢(shì)及實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題分析

對(duì)于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EP...

2017-11-29 標(biāo)簽：vdmos coolmos 9404 0

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　　選頻放大器（frequency selective amplifier）對(duì)某一段頻率或單一頻率的信號(hào)具有突出的放大作用，而對(duì)其他頻率的信號(hào)具有較強(qiáng)抑制作用的放大單元。
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