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  STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個(gè)MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個(gè)納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的。

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