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標(biāo)簽 > std
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后端在floorplan階段,如何擺放macro是一個(gè)很重要的問(wèn)題。如果采用層次化設(shè)計(jì),對(duì)于每一個(gè)block來(lái)說(shuō)都需要在block內(nèi)部把所分配的macro擺好。
2023-12-06 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)STD機(jī)器學(xué)習(xí) 770 0
std::randomize隨機(jī)結(jié)果不符合預(yù)期?
在近期的一個(gè)testcase調(diào)試中,遇到一個(gè)std::randomize隨機(jī)結(jié)果不符合預(yù)期的現(xiàn)象。
請(qǐng)問(wèn)芯片功耗如何從28mw降低到21mw呢?
然后選中一個(gè)power shut down domain的STD作為對(duì)象,domain關(guān)電后,report_instance_power,發(fā)現(xiàn)其功耗確實(shí)...
2023-09-19 標(biāo)簽:SoC芯片STD低功耗設(shè)計(jì) 633 0
最近用12Track的工藝實(shí)現(xiàn)老代碼設(shè)計(jì),代碼例化的STD Cell都是直接例化的12T工藝器件名,不利于替換工藝。當(dāng)我需要切換工藝到9T時(shí),就需要把1...
2023-06-14 標(biāo)簽:Linux系統(tǒng)STD 572 0
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)
半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴(kuò)散能力的參數(shù),是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標(biāo)注到器件尤...
Flash存儲(chǔ)器,又叫做閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器。具有操作方便讀寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)。一般用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)和程序代碼,或者用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2023-06-02 標(biāo)簽:控制器STDFlash存儲(chǔ)器 7708 0
Physical design是將電路描述(circuit description)轉(zhuǎn)化成物理版圖(physical layout)的過(guò)程。
2023-05-23 標(biāo)簽:RTLSTDASIC技術(shù) 1270 0
SMMU數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)格式之Level 1 Stream Table Descriptor介紹
上圖就是SMMU Level 1 Stream Table Descriptor的數(shù)據(jù)格式,簡(jiǎn)稱(chēng)Level1 STD。
2023-05-06 標(biāo)簽:STD 1040 0
就是SMMU Level 1 Stream Table Descriptor的數(shù)據(jù)格式,簡(jiǎn)稱(chēng) **Level1 STD** 。
2023-04-28 標(biāo)簽:STD數(shù)據(jù)格式 951 0
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