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標(biāo)簽 > ssd
固態(tài)硬盤(Solid State Drives),簡稱固盤,固態(tài)硬盤(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤,由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。
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本工作發(fā)表于FAST 2022。首次基于一家主要存儲供應(yīng)商的近200萬個SSD的大量企業(yè)存儲系統(tǒng),對生產(chǎn)使用中SSD的關(guān)鍵操作特性進(jìn)行了大規(guī)模的現(xiàn)場研究。
三星SSD存儲產(chǎn)品報價上漲25%,市場面臨新一輪價格調(diào)整
AI浪潮中數(shù)據(jù)中心建設(shè)如火如荼,相關(guān)存儲設(shè)備需求急速增長——近半個多月以來,基于NAND閃存的企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)產(chǎn)品開始供不應(yīng)求。
專用數(shù)據(jù)壓縮引擎,提高數(shù)據(jù)中心效率
壓縮并不是一個新概念,但隨著存儲需求的增長,它正成為數(shù)據(jù)中心中更重要的工具。目標(biāo)當(dāng)然是使用比原始數(shù)據(jù)更少的位對信息進(jìn)行編碼,從而減小數(shù)據(jù)的大小。計算效率...
2023-05-06 標(biāo)簽:控制器SSD數(shù)據(jù)中心 818 0
存儲系統(tǒng)基礎(chǔ)知識全解:存儲協(xié)議及關(guān)鍵技術(shù)
SSD主要由控制單元和存儲單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
SD4400兼容ACT88325四路5V/3A Buck,兩路300mA LDO,SSD專用供電PMU
SD4400兼容ACT88325四路5V/3A Buck,兩路300mA LDO,SSD專用供電PMU
PolarDB是阿里云設(shè)計的云原生OLTP數(shù)據(jù)庫,每個數(shù)據(jù)庫實例由多個數(shù)據(jù)庫節(jié)點和存儲節(jié)點組成,節(jié)點間通過高速RDMA網(wǎng)絡(luò)連接在一起。為了保證原子性,每...
2023-05-25 標(biāo)簽:存儲SSD數(shù)據(jù)庫 808 0
通過將SSD盤組成高速緩存池并劃分多個緩存分區(qū),用于緩存隨機小I/O讀熱數(shù)據(jù)。
2024-04-19 標(biāo)簽:SSD數(shù)據(jù)緩存遠(yuǎn)程傳輸 806 0
內(nèi)存交換技術(shù)是當(dāng)內(nèi)存緊缺的時候,將內(nèi)存中的頁面交換到交換設(shè)備中(如zRAM,SSD等)。隨著SSD的性能越來越好,越來越多的交換設(shè)備采用SSD。
長江存儲致態(tài)TiPlus7100 4TB固態(tài)硬盤在測試中的表現(xiàn)非常優(yōu)秀,其順序讀取速度大幅超越標(biāo)稱的7000MB/s,在CrystalDiskMark中...
作為長江存儲進(jìn)軍商用消費級PC市場的首款QLC固態(tài)硬盤力作,PC41Q搭載了先進(jìn)的第四代三維閃存芯片,并配備了PCIeGen4×4高速接口,官方數(shù)據(jù)顯示...
現(xiàn)有的計算機體系架構(gòu)中通常采用層級緩存來彌補外存和內(nèi)存之間的性能差距。但是,層緩存都有極限帶寬和有限的命中率,在層級緩存下數(shù)據(jù)需要頻繁的在各個層級緩存之...
SSD 銷售額同比下降 14%,從 2021 年的 340 億美元降至 2022 年的 290 億美元;就單位而言,這相當(dāng)于約 3.52 億臺,低于 2...
平衡調(diào)溫控制系統(tǒng)(BTC),以 PID 方式控制 SSR;溫度控制,畫面顯示,計時功能,超溫保護(hù),接地保護(hù),風(fēng)機過載保護(hù)
2023-05-31 標(biāo)簽:SSD數(shù)字控制電源 750 0
許多應(yīng)用程序依靠隊列在處理階段之間交換數(shù)據(jù)。我們的性能測試表明,當(dāng)以這種方式使用隊列時,其延遲成本與磁盤(基于RAID或SSD的磁盤系統(tǒng))的IO操作成本...
閃存存儲是我們周圍幾乎所有電子設(shè)備中無所不在的組件。購買時可能會被視為商品。然而,實際情況遠(yuǎn)非工業(yè)設(shè)備需要使用時的情況。在不了解用例的全貌的情況下,很容...
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