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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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? ? 進入最近幾年,每當我們引入一個新的先進工藝節(jié)點,大家都把絕大多數(shù)注意力集中在光刻更新上。引用的常用指標是每平方毫米的晶體管或(高密度)SRAM位...
SoC有基于應用程序的內(nèi)存,內(nèi)存類型包括哪些
SoC有基于應用程序的內(nèi)存。這些存儲器是用于計算的半導體存儲器塊。半導體存儲器通常是指在單個硅片上制造的金屬氧化物半導體存儲器單元。內(nèi)存類型包括: 易失...
EEPROM和FLASH在大多數(shù)應用場合中均無法替代SRAM
隨著半導體技術的飛速發(fā)展,各種存儲器相繼推出,性能不斷提高。 眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的數(shù)據(jù)隨即消失,再次加電后,存儲器中的數(shù)據(jù)為隨機數(shù)...
MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā),全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A,它采用44腳的TSOP封裝,...
如若某一天,某種通用存儲器或殺手級存儲器將能夠同時替代SRAM,DRAM和閃存。在可預見的未來,雖然下一代存儲技術仍然不能完全取代傳統(tǒng)存儲器,但它們可以...
NV-SRAM將成為寫日記應用程序的理想非易失性存儲解決方案
RAID存儲系統(tǒng)概述 RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson,Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期...
NV-SRAM與BBSRAM的對比,誰的優(yōu)勢更加明顯
隨著無鉛技術在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)技術相比較。 BBS...
詳細介紹NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點
隨著無鉛技術在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點。 ...
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元(訪問時間高達20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲元件相結合,可提供...
ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質。r...
STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強型系列,工作頻率為72MHz,內(nèi)置高速存儲器(高達512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM) ,...
以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴充存儲容量的方法
SRAM即靜態(tài)隨機存取存儲器,所謂靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電,里面存儲的數(shù)據(jù)就可以一直保持,但是掉電之后就會丟失。與DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)相...
隨著諸如醫(yī)療電子和無線傳感節(jié)點等應用的興起,低功耗芯片受到了越來越廣泛的關注。這類芯片對性能和功耗要求苛刻。靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)作為芯片的重要組成...
舊版存儲不再是使用壽命短的低端設備,因為主要供應商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設備和融合了AI的邊緣計算以及呈指數(shù)增長的物聯(lián)網(wǎng)...
Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns
Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個晶體管﹐采用6個晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SR...
讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結構,幾個混合結構的管理策略
MRAM因具有許多優(yōu)點,有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。然而MRAM寫入操作的長延時和較高的功耗成...
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