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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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上海矽朋微電子怎么樣?MRAM榮獲“中國半導(dǎo)體市場年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”
? — 芯紐帶?新未來?—7月20日,由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會主辦,江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)...
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開...
EMI502NF08VM-10C國產(chǎn)SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND
偉凌創(chuàng)芯國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機(jī)存取SRAM芯片,使用(8)條公共輸入和輸出線,并具有一個(gè)...
M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF?
M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF? M7-0可以使用地址映射來訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF。具體來說...
2023-06-01 標(biāo)簽:sram 685 0
賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM,由256K字16位組成。通過斷言芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入LOW來執(zhí)行...
首款基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的超高性能MCU
GD32H7 系列 MCU 配備了 1024KB 到 3840KB 的片上 Flash 及 1024KB 的 SRAM,其中包含 512KB 可配置超大...
2023-05-15 標(biāo)簽:mcusram數(shù)字信號處理 1108 0
國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM,外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲...
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 標(biāo)簽:存儲器sram偉凌創(chuàng)芯 2022 0
復(fù)旦微電子榮獲第三十四屆上海市優(yōu)秀發(fā)明選拔賽優(yōu)秀發(fā)明銀獎(jiǎng)
為進(jìn)一步鼓勵(lì)全市廣大職工和青少年開展群眾性科技創(chuàng)新活動,充分激發(fā)廣大職工和青少年的聰明才智,加快上海建設(shè)具有世界影響力的社會主義現(xiàn)代化國際大都市,上海市...
現(xiàn)代商用FPGA架構(gòu)的不同關(guān)鍵組件的演變
自三十多年前問世以來,現(xiàn)場可編程門陣列(FPGAs)已被廣泛用于實(shí)現(xiàn)來自不同領(lǐng)域的無數(shù)應(yīng)用。由于其底層的硬件可重新配置性,與定制設(shè)計(jì)的芯片相比,F(xiàn)PGA...
2023-01-31 標(biāo)簽:fpgasram現(xiàn)場可編程門陣列 1107 0
在我們對 Intel Xeon 和 Xeon SP 服務(wù)器 CPU 系列的性能和價(jià)格/性能進(jìn)行了我們自己的分析后一天,這兩個(gè)圖表突然出現(xiàn),其中標(biāo)準(zhǔn)的主流...
當(dāng)程序在S038的SRAM里運(yùn)行,并且CPU主時(shí)鐘設(shè)置為200M時(shí),其CoreMark能夠達(dá)到380分,已經(jīng)達(dá)到或超過目前國際大廠Cortex-M4 M...
芯片設(shè)計(jì)挑戰(zhàn):SRAM縮放速度變慢
臺積電在今年早些時(shí)候正式推出其 N3 制造技術(shù)時(shí)表示,與其 N5(5 納米級)工藝相比,新節(jié)點(diǎn)的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒有透露的是...
有趣的是,對于新的 N3E 節(jié)點(diǎn),高密度 SRAM 位單元尺寸達(dá)到 0.021 μm2,這與他們的 N5 節(jié)點(diǎn)的位單元大小完全相同,并沒有縮小。N3B ...
?SDRAM與SRAM進(jìn)行比較時(shí)的常見問題
存儲器靜態(tài)隨機(jī)存?。⊿RAM)只要這種內(nèi)存保持通電,內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)就可以保持不變。當(dāng)電力供應(yīng)終止時(shí),SRAM存儲的數(shù)據(jù)仍將消退,這與切斷電源后可以存儲資...
MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
設(shè)計(jì)安全關(guān)鍵型嵌入式系統(tǒng):在運(yùn)行時(shí)檢測SRAM故障的挑戰(zhàn)
在設(shè)計(jì)安全關(guān)鍵系統(tǒng)時(shí),國際安全標(biāo)準(zhǔn)對我們選擇適當(dāng)?shù)墓に嚭瓦m當(dāng)?shù)募夹g(shù)來檢測和避免最終產(chǎn)品中的危險(xiǎn)故障至關(guān)重要。這些標(biāo)準(zhǔn)確保我們不會陷入與之前的安全工程師同...
面向任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用的FPGA
對非易失性配置的要求源于關(guān)鍵任務(wù)軍用航空應(yīng)用中電源中斷的高概率。在維護(hù)或維修期間更換帶電系統(tǒng)組件、從線路電源切換到電池電源時(shí)的失誤以及掉電都可能觸發(fā)系統(tǒng)...
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