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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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Arm Helium技術(shù)誕生的由來為何不直接采用Neon？

經(jīng)過 Arm 研究團(tuán)隊(duì)多年的不懈努力，Arm 于 2019 年推出了適用于 Armv8?M 架構(gòu)的 Arm Cortex-M 矢量擴(kuò)展技術(shù) (MVE)—...

2024-02-29 標(biāo)簽：處理器寄存器 sram 2372 0

SRAM如何克服其擴(kuò)展問題？有哪些方法呢？

在高級(jí)節(jié)點(diǎn)使用 SRAM 需要新的方法。

2024-02-25 標(biāo)簽：CMOS 電容器存儲(chǔ)器 1015 0

奧易克斯與國芯科技：共創(chuàng)發(fā)動(dòng)機(jī)控制領(lǐng)域的國產(chǎn)化新篇章

CCFC2017BC芯片簡(jiǎn)介：國芯科技自主研發(fā)的高性價(jià)比動(dòng)力總成MCU芯片CCFC2017BC，集成片內(nèi)2.5M Flash、416KB SRAM，集成...

2024-01-12 標(biāo)簽：發(fā)動(dòng)機(jī)mcu sram 626 0

一種創(chuàng)新的面積和能效AI存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)—MCAIMem

人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲(chǔ)器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實(shí)現(xiàn)高性能。

2024-01-03 標(biāo)簽：編碼器存儲(chǔ)器緩沖器 2320 0

芯海科技全新推出CS8M320系列的經(jīng)濟(jì)型信號(hào)鏈MCU

芯?？萍既峦瞥鯟S8M320（簡(jiǎn)稱M320）系列的經(jīng)濟(jì)型信號(hào)鏈MCU 。

2023-12-29 標(biāo)簽：傳感器 mcu sram 882 0

2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)將出現(xiàn)或高速發(fā)展的10大技術(shù)趨勢(shì)

整個(gè)2023年，半導(dǎo)體行業(yè)下行期的陰霾似乎仍未散去，但業(yè)界已經(jīng)看到了一絲曙光。

2023-12-28 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 sram 2562 0

AI SoC必須考慮的關(guān)鍵因素“內(nèi)存架構(gòu)”

導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應(yīng)用在各類嵌入式市場(chǎng)和獨(dú)...

2023-12-25 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram soc 1229 0

智融科技SW2505H、SW3566H、SW2325通過UFCS融合快充功能認(rèn)證

近日，智融科技新款芯片產(chǎn)品SW2505H成功獲得了融合快速充電功能認(rèn)證證書，證書編號(hào)0302347161910R0M-UFCS00075。此款產(chǎn)品是繼智...

2023-12-19 標(biāo)簽：控制器 sram Cortex-M0 1419 0

新唐科技推出KM1M4BF系列MCU馬達(dá)和PFC控制器

KM1M4BF 系列 MCU 適用于白色家電、空調(diào)、電動(dòng)自行車或同等 EV 馬達(dá)等應(yīng)用。搭載 Arm Cortex-M4F CPU，運(yùn)行速度最高可達(dá) 1...

2023-12-18 標(biāo)簽：mcu 控制器 sram 668 0

芯片設(shè)計(jì)中DRAM類型如何選擇

DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非?？欤鏗BM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，...

2023-11-15 標(biāo)簽：DRAM sram 芯片設(shè)計(jì) 757 0

SRAM，存儲(chǔ)器的新未來

SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序...

2023-11-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 機(jī)器學(xué)習(xí) 943 0

MC51F003A4A0Y助力松下EMS眼罩EW-RAD11

近年來，隨著人們生活節(jié)奏的加快和工作壓力的增大，大部分人都會(huì)出現(xiàn)眼部疲勞和眼睛不適的情況。

2023-10-26 標(biāo)簽：振蕩器 sram EEPROM 651 0

三星3nm GAA完整晶圓遭遇難產(chǎn)，良率僅50%

三星向中國客戶提供了第一個(gè)3nm gaa，但新的報(bào)告顯示，這些芯片的實(shí)際形態(tài)并不完整，缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉，由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片...

2023-10-12 標(biāo)簽：sram 邏輯芯片三星 909 0

SRAM CIM在AI計(jì)算方面的優(yōu)勢(shì)及場(chǎng)景應(yīng)用

9月14-15日，2023全球AI芯片峰會(huì)（GACS 2023）將在深圳灣萬麗酒店舉行。峰會(huì)由智一科技旗下芯東西聯(lián)合智猩猩（智東西公開課全新品牌）聯(lián)合發(fā)...

2023-09-08 標(biāo)簽：集成電路 sram AI 1211 0

關(guān)于非易失性MRAM應(yīng)用

作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。

2023-08-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 621 0

ch32f103c8t6與stm32f103c8t6的區(qū)別

ch32f103c8t6與stm32f103c8t6的區(qū)別 STM32F103C8T6是一款32位微處理器，屬于STM32F1系列中的一員。它是一款廉價(jià)...

2023-08-22 標(biāo)簽：sram 微處理器 SRAM存儲(chǔ)器 1.0萬 0

單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱ram。

2023-07-25 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 sram 1380 0

上海矽朋微電子怎么樣？MRAM榮獲“中國半導(dǎo)體市場(chǎng)年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”

? — 芯紐帶?新未來?—7月20日，由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)主辦，江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)...

2023-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM FlaSh 903 0

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開...

2023-06-28 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 1563 0

SRAM使用總結(jié)

SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================...

2023-04-06 標(biāo)簽：sram 指針 1105 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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