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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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關(guān)于賽普拉斯—Ramtron公司收購的常見問題解答

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】：前陣子，賽普拉斯收購Ramtron公司一事可是風(fēng)風(fēng)火火，這陣子到了收購后期，想必大家對(duì)收購合并的過渡期都挺...

2012-10-19 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM Ramtron 3177 0

京微雅格新一代金山系列FPGA：低成本應(yīng)用的理想選擇

本文核心議題：京微雅格開始發(fā)售其新一代全新架構(gòu)的CME-M5-C （金山） FPGA器件----該系列FPGA通過集成片上MCU處理器、SRAM存儲(chǔ)器...

2012-08-17 標(biāo)簽：FPGA MCU SRAM 1299 0

異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開發(fā)板）

異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開發(fā)板）如圖所示：

2012-08-15 標(biāo)簽：FPGA 接口電路存儲(chǔ)器 4085 0

分析師點(diǎn)評(píng)Intel 22nm三柵技術(shù)

本文核心議題：本文是對(duì)Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報(bào)道，為此，這里搜集了多位業(yè)界觀察家、分析家對(duì)此的理解和意見，以便大家I更深入的了解nte...

2012-08-15 標(biāo)簽：SRAM Intel 晶體管 1471 0

微芯首推擴(kuò)展串行SRAM產(chǎn)品組合

本文核心思想：美國微芯科技公司（Microchip）宣布，首次推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件是業(yè)內(nèi)首批...

2012-08-15 標(biāo)簽：單片機(jī)Microchip SRAM 1458 1

基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。

2012-01-10 標(biāo)簽：FPGA SRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 4713 0

DS1243Y 64K非易失SRAM

DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存。

2012-01-04 標(biāo)簽：SRAM DS1243Y 1376 0

DS1251,DS1251P全靜態(tài)非易失RAM

具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。

2012-01-04 標(biāo)簽：SRAM RAM DS1251 998 0

賽普拉斯高密度QDR II系列SRAM獲Altera采用

賽普拉斯(Cypress)宣布Altera旗下的28奈米Stratix V GX現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)開發(fā)套件，選用賽普拉斯QDR II(Quad...

2011-12-06 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM Altera 1543 0

Cypress與諾西達(dá)成協(xié)議撤銷SRAM專利侵權(quán)

賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp. )周一表示，該公司已經(jīng)與諾基亞西門子通信(Nokia Siemens Net...

2011-11-23 標(biāo)簽：Cypress SRAM 諾西 792 0

賽普拉斯推出32位總線寬度低功耗異步SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步SRAM

2011-08-02 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM 總線 872 0

DS3640 加密SRAM的安全監(jiān)控電路

DS3640是一款具有1024字節(jié)加密SRAM的安全監(jiān)控電路，適用于需要加密存儲(chǔ)的應(yīng)用，包括POS終端等。DS3640支持最高密級(jí)的FIPS 140.2...

2011-06-02 標(biāo)簽：SRAM DS3640 安全監(jiān)控電路 943 0

QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì)

以CY7C1302為例來詳細(xì)介紹QDR的工作原理及其與Spartan3系列FPGA的接口設(shè)計(jì)。CY7C1302是賽普拉斯公司生產(chǎn)的一種QDR SRAM。

2011-06-01 標(biāo)簽：FPGA 接口設(shè)計(jì)SRAM 5373 0

同步突發(fā)式SRAM

同步突發(fā)式SRAM的內(nèi)部框圖如圖所示，它與同步管道突發(fā)式SRAM基本相同，不同之處只是在輸出緩沖器中沒有配置鎖存器。

2011-05-30 標(biāo)簽：SRAM 1674 0

QDR聯(lián)盟推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR)SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司和瑞薩電子公司在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。

2011-05-01 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM QDR聯(lián)盟 1632 0

業(yè)界最快QDR SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633...

2011-04-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SRAM QDR 2073 0

基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計(jì)

嵌入式SRAM 是最常用的一種，其典型的應(yīng)用包括片上緩沖器、高速緩沖存儲(chǔ)器、寄存器堆等。除非用到某些特殊的結(jié)構(gòu)，標(biāo)準(zhǔn)的六管單元(6T)SRAM 對(duì)于邏輯...

2011-03-04 標(biāo)簽：FPGA 嵌入式 SRAM 2414 0

基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)

　1 前言　針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2...

2010-09-16 標(biāo)簽：SRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1342 0

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用

　　同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)...

2010-09-11 標(biāo)簽：SRAM 1636 0

基于SRAM工藝FPGA的保密性問題

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次...

2010-08-02 標(biāo)簽：fpga sram 1749 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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