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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元,再通過位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中,存儲(chǔ)單元陣...
2020-05-14 標(biāo)簽:存儲(chǔ)單元sramSRAM存儲(chǔ)單元 3800 0
目前針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng),SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢(shì):一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展,由于讀寫速度快,SRAM存儲(chǔ)器被用作計(jì)算機(jī)中...
2020-04-30 標(biāo)簽:sramSRAM存儲(chǔ)器SRAM讀寫控制 1750 0
SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其...
SRAM存儲(chǔ)芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器芯片,它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于需要緩...
2020-04-28 標(biāo)簽:sramISSISRAM存儲(chǔ)器 1418 0
意法半導(dǎo)體MCU推出智能嵌入式應(yīng)用的STM32L4
意法半導(dǎo)體新推出的STM32L4+微控制器極具性價(jià)比,集成最低的存儲(chǔ)容量512KB的閃存和320KB的SRAM,提供緊湊的10mmx10mm64引腳和7...
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團(tuán)隊(duì)一直致力于鐵性隧道結(jié)信息存儲(chǔ)原型器件研究,在磁電耦合、超快、多阻態(tài)、低功耗、非易失信息存儲(chǔ)等方面取得了重要進(jìn)展。
2020-04-11 標(biāo)簽:sram物聯(lián)網(wǎng)人工智能 2668 0
MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與S...
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新MCU GD32F3系列提供了3大系列37個(gè)產(chǎn)品型號(hào),包括LQFP144、LQFP100、LQFP64和 LQFP48等4...
2020-04-03 標(biāo)簽:sram 7721 0
基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)
在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。 在這種背景下,分析研究了前...
2020-04-03 標(biāo)簽:sramsram存儲(chǔ) 2230 0
物聯(lián)網(wǎng)ram繼承PSRAM的積極特性
IoT RAM即是物聯(lián)網(wǎng)RAM,是基于PSRAM技術(shù)的技術(shù),它增加了其他接口選項(xiàng),例如大多數(shù)MCU/FPGA使用的低引腳數(shù)Flash SPI接口,以及S...
基于PSRAM技術(shù)的IoT ram存儲(chǔ)器解決方案
迅速發(fā)展的IoT繼續(xù)為消費(fèi)者和行業(yè)帶來革命性的變化,并增強(qiáng)了他們的日常使用體驗(yàn),尤其是在邊緣增加處理能力的需求下。健身追蹤器和智能揚(yáng)聲器,農(nóng)業(yè)及工廠機(jī)器...
ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM,4,194,304位靜態(tài)RAM,組...
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM,組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技...
關(guān)鍵詞:SRAM芯片 , is62wv51216 , SRAM , ISSI代理 ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是...
外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM(SRAM)。外部SRAM存儲(chǔ)器也有很多種類。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SR...
2019-11-18 標(biāo)簽:sram 6075 0
RAM代表隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。隨機(jī)訪問是能夠以與該存儲(chǔ)器設(shè)備中的任何其他元件一樣快速且容易地訪問存儲(chǔ)設(shè)備的元件的能力。設(shè)備的大小或它有多少個(gè)存儲(chǔ)器元件和單元...
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
2019-04-01 標(biāo)簽:sram 1.1萬 0
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