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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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SRAM存儲器具有較高的性能,它的優(yōu)缺點(diǎn)分析
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM存儲器具有較高的性能,但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大。SRAM...
FPGA器件有三類配置下載方式:主動配置方式(AS)和被動配置方式(PS)和最常用的(JTAG)配置方式。AS由FPGA器件引導(dǎo)配置操作過程,它控制著外...
一款I(lǐng)SSI具有ECC的1Mx8高速異步SRAM的一些特征知識
美國ISSI存儲器公司的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存存儲器產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。...
SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲器。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則就會出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會消失,因此SRA...
ARM的Cortex-M0核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM
ARM的Cortex-M0核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM ARM的Cortex-M0處理器是最新一代的嵌入式ARM處理器,它為實(shí)現(xiàn)MCU的需要提供了低成本的平...
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)SRAM,以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)...
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的...
近年來,對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計(jì)算機(jī)市場擴(kuò)展到了汽車,通信和數(shù)字消費(fèi),工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量,以幫助處理大量數(shù)據(jù)。ISSI為...
ISSI生產(chǎn)的32Mb高速低功耗異步SRAM,這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。32MbSRAM在汽車A3溫度范圍(...
當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng),力求節(jié)約能源,因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化,SRAM要求低電壓供電。因而近...
ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL
美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產(chǎn)品。IS62WV102416DB...
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動態(tài)隨機(jī)存取存...
隨著制程邁向5nm甚至3nm,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗,STT-MRAM存儲器已成為替...
最近30年,隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展,由于DRAM具有高密度和每位低價格的優(yōu)點(diǎn),已成為了生產(chǎn)最多的用于計(jì)算機(jī)主體的易...
ISSI IS61WV25616EDALL是高速,低功耗4M位SRAM,組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造,并實(shí)現(xiàn)了ECC...
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM 逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中,靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不...
半導(dǎo)體存儲器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲信息,而半導(dǎo)體存儲器DRAM則是靠電容存儲,半導(dǎo)體靜態(tài)存儲器SRAM的存儲原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲器中最小的存儲單位就...
2020-05-10 標(biāo)簽:存儲器sram半導(dǎo)體存儲器 7708 0
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