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標(biāo)簽 > soi
SOI全稱為Silicon-On-Insulator,即絕緣襯底上的硅,該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶體管之間,加入絕緣體物質(zhì),可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。
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X-FAB首創(chuàng)200V SOI晶圓代工技術(shù)
X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程,這是180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)代工制程。
硅晶圓製造商Soitec SA公司聲稱,晶片製造商現(xiàn)在可以藉由轉(zhuǎn)換到絕緣層上覆硅(SOI)晶圓,避免掉開發(fā)完全耗盡型(fully-depleted,...
基于SOI高壓集成技術(shù)的電平位移電路設(shè)計
本文基于SOI高壓集成技術(shù)設(shè)計了電源電壓為8~-100V的電平位移電路,并對電路中的核心LDMOS器件進行了設(shè)計和模擬仿真優(yōu)化。
意法半導(dǎo)體日前宣布,該公司驗證了一項超低功耗芯片生產(chǎn)工藝,該工藝由歐洲的Smart Power Management in Home and Healt...
2011-04-13 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SOI超聲波掃描儀 1194 1
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