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標(biāo)簽 > SMU儀器
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【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之十:在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測(cè)量
準(zhǔn)確的電源和測(cè)量測(cè)試對(duì)表征這些高壓器件非常關(guān)鍵,以便能夠及時(shí)制訂正確的設(shè)計(jì)決策。提高設(shè)計(jì)裕量和過(guò)度設(shè)計(jì)只會(huì)推動(dòng)成本上升,導(dǎo)致性能下降。
2021-12-17 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體器件SMU儀器 1994 0
NVM測(cè)試要求發(fā)生演變,泰克4200A一體化測(cè)試解決方案集中進(jìn)行表征
理想的內(nèi)存應(yīng)兼具動(dòng)態(tài)內(nèi)存和非易失性?xún)?nèi)存的特點(diǎn):成本越來(lái)越低,密度越來(lái)越高;快速讀/寫(xiě),類(lèi)似于或快于現(xiàn)有的DRAM速度
2020-11-17 標(biāo)簽:示波器NVM內(nèi)存技術(shù) 1143 0
泰克在全新2601B-PULSE 多合一源表中首次采用消除脈沖調(diào)諧技術(shù)
2601B-PULSE系統(tǒng)源表是為滿(mǎn)足垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)測(cè)試需求并解決相關(guān)問(wèn)題而開(kāi)發(fā)的,這對(duì)汽車(chē)光探測(cè)和測(cè)距 (LIDAR)應(yīng)用具有至關(guān)重...
縮減LED/功率元件測(cè)試成本 PXI模組化SMU亮相
PXI模組化電源測(cè)量單元(SMU)儀器問(wèn)世。高亮度發(fā)光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體 (MOSFET)等需...
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